一种高精度宽电流范围电流镜制造技术

本发明专利技术提供了一种高精度宽电流范围电流镜，包括参考电流输入部分、电流档位判断与控制逻辑、镜像电流输出部分；所述参考电流输入部分、镜像电流输出部分分别与所述电流档位判断与控制逻辑连接。本发明专利技术的有益效果是：采用可以电流档位切换的工作于线性区的电流镜，通过改进电流镜电路，提高VDS电压精度，从而提高电流镜像精度，拓宽电流镜像范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及电流镜，尤其设及一种高精度宽电流范围电流镜。
技术介绍
在模拟电路中，经常使用电流镜产生电路偏置电流、负载电流和精确的参考电流。 如图1所示，所用的电流镜常采用饱和管镜像。工作在饱和区，且只考虑一阶效应的MOS管 的源漏电流公式如式（1)所示。相邻的MOS管其y"、C"和VTH都是相同的，由公式（1)知 道，如果VGS相同，则两个MOS管的漏源电流ID只和W/L成比例。如图1所示的电流11和 12与Iref成比例。 但是MOS管都存在二级效应，沟道长度调制效应。就当栅和漏之间的电压差增大 时，实际的反型沟道长度逐渐减小。也就是说，当工作在饱和区的两个MOS管VGS相同，但 是VDS不相同，则实际上两个MOS管的反型沟道长度不相同，源漏电流也不相同，电流镜像 就存在偏差。为保证电流镜的镜像精度，需要让工作于饱和区电流镜像的MOS管漏源电压 相等。于是为提高电流镜像精度，出现了图2所示的电流镜像电路。 但上述都是工作在饱和区的MOS管进行电流镜像。MOS管工作在饱和区的条件如 式（3)所示，为工作于饱和区VGS必需低于VDS+VTH。由式（2)知道镜像输出电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精度宽电流范围电流镜，其特征在于：包括参考电流输入部分、电流档位判断与控制逻辑、镜像电流输出部分；所述参考电流输入部分、镜像电流输出部分分别与所述电流档位判断与控制逻辑连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李科举，秦鹏举，
申请(专利权)人：深圳市富满电子集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44