【技术实现步骤摘要】
【专利说明】用于硬掩模组合物的单体和包含此单体的硬掩模组合物及 使用硬掩模组合物形成图案的方法 相关申请案的交叉参考 本专利技术主张2014年3月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请案第 10-2014-0032392号的优先权和权益，所述专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文 中。
本专利技术涉及一种单体、一种包含所述单体的硬掩模组合物以及一种使用所述硬掩 模组合物形成图案的方法。
技术介绍
最近，半导体行业已发展到具有几纳米到几十纳米尺寸的图案的超精细技术。这 种超精细技术主要需要有效的光刻技术。典型的光刻技术包含：在半导体衬底上提供材料 层；在材料层上涂布光刻胶层；使光刻胶层曝光且显影以提供光刻胶图案；以及使用光刻 胶图案作为掩模来蚀刻材料层。如今，由于待形成的图案尺寸较小，仅仅通过上述典型的光 刻技术难以得到具有极佳轮廓的精细图案。因此，可在材料层与光刻胶层之间形成被称作 硬掩模层的层来得到精细图案。硬掩模层起到中间层的作用，用于通过选择性蚀刻工艺将 光刻胶的精细图案转移到材料层。因此，需要硬掩模层具有如抗蚀刻性等特征以使其在多 重蚀刻工艺期...
【技术保护点】
一种用于硬掩模组合物的单体，其中，由以下化学式1表示：[化学式1]其中，在所述化学式1中，A、B以及B'独立地为经取代或未经取代的脂肪族环状基团或芳香族环状基团，L以及L'独立地为‑C(＝O)NH‑、‑C(＝O)O‑或‑C(H)＝N‑，X以及X'独立地为氢、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1到C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1到C20醛基、经取代或未经取代的羧基或其组合，以及Y以及Y'独立地为氢、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C3到...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金惠廷，金瑆焕，南沇希，金润俊，文俊怜，宋炫知，尹龙云，李忠宪，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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