一种基于液晶填充光子晶体微腔的电场测量方法技术

本发明专利技术提出了一种基于液晶填充光子晶体微腔的电场测量方法。由宽谱光源1、传感单元2、信号处理单元3、光电探测器4、计算机5组成。其特点是传感单元2由光子晶体微腔组成，且液晶填充在光子晶体微腔的缺陷孔中。当外界电场的变化时，会引起液晶折射率的改变，进而导致光子晶体微腔的透射峰发生移动。最后，利用马克-增德干涉仪波长检测技术来监测光子晶体微腔的透射峰的移动，进而实现对外界电场的测量。结果表明，本发明专利技术所设计的系统具有很好的线性度，测量灵敏度为7nW/(V/m)，分辨力为0.143V/m，实现了微型化、高灵敏度的电场测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于光电检测技术 领域。
技术介绍
随着各国科技水平的快速发展及人们生活质量的不断提高，人们对电力的需求越 来越大，对电能质量的要求也越来越高。与此同时，各种电子通讯设备及仪器在日常生活中 的广泛使用，使得人们长期生活在电磁辐射中。因此，对电场测量的研宄受到了人们广泛的 关注(文献1.周龙.基于Pockels效应的大气电场测量传感器研宄.南京信息工程 大学，2013)。目前，电场传感器已经广泛应用于电力工业、航天航空、以及日常环境监测领 域。光纤电场传感器因其独特的抗电磁干扰、本质安全、抗腐蚀、灵敏度高、可进行远距离传 输等优点，一直是近几年电场测量领域研宄的热点（文献2. N. Hidaka，S. Tsujino，H. Sugama， et al. A design for significantly improving the measurable sensitivity of log-periodic dipole antenna arrays for optical electric field sensors. Microwave and Op本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于液晶填充光子晶体微腔的电场测量方法，包括宽谱光源1、传感单元2、信号处理单元3、光电探测器4、计算机5，所述的宽谱光源的波长范围为1500nm至1580nm，输出光功率为100mW；所述的传感单元2是一个光子晶体微腔，其特征在于：液晶填充在光子晶体微腔的缺陷孔中，外界电场的变化会引起液晶折射率的改变，进而导致光子晶体微腔的透射峰发生移动，通过监测该透射峰的移动即可推算出外界电场大小；所述的信号处理单元3为马克‑增德干涉仪，由分光比为50:50的耦合器31、干涉臂32、干涉臂33、以及分光比为50:50的耦合器34组成，光子晶体微腔的透射光经过耦合器31后被均匀地分为两束，这两束光分别经...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵勇，张亚男，王琦，
申请(专利权)人：东北大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21