一种电压保护电路制造技术

技术编号:12121987 阅读:76 留言:0更新日期:2015-09-25 01:36
本实用新型专利技术公开了一种电压保护电路,包括变压器T、整流桥Q、电容C1、电位器RP1、电位器RP2、芯片U1和双向可控硅VS,变压器T线圈L1一端分别连接220V交流电一端、电阻R6和双向可控硅VS的T1极,变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和负载RL,负载RL另一端分别连接电容C3、双向可控硅VS的T2极、电容C4、芯片U1引脚1、电容C2、三极管VT1发射极、电位器RP2、电位器RP1滑片、电位器RP1、电位器RP1滑片、电容C1和整流桥Q引脚4。本实用新型专利技术电压保护电路电路结构简单,带有过压和欠压保护功能,成本低,非常适合推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种保护电路,具体是一种电压保护电路
技术介绍
随着现代化、智能化的发展,电力成为人们生活所不可或缺的一部分,而电力的稳定性则关系到用电设备的安全性,很多设备、元件对电压的反应都非常敏感,过压或者欠压都会对其造成难以挽回的损害,而随着小型化的发展,对电路结构进行精简成为各种电子领域的方向。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种带过压和欠压保护的电压保护电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种电压保护电路,包括变压器T、整流桥Q、电容Cl、电位器RPl、电位器RP2、芯片Ul和双向可控硅VS,所述变压器T线圈LI 一端分别连接220V交流电一端、电阻R6和双向可控硅VS的Tl极,变压器T线圈LI另一端分别连接220V交流电另一端和负载RL,负载RL另一端分别连接电容C3、双向可控硅VS的T2极、电容C4、芯片Ul引脚1、电容C2、三极管VTl发射极、电位器RP2、电位器RPl滑片、电位器RPl、电位器RPl滑片、电容Cl和整流桥Q引脚4,双向可控硅VS的G极分别连接二极管D3负极,二极管D3正极分别连接电容C4另一端、电阻R5和芯片Ul引脚4,芯片Ul引脚5连接电阻R4,芯片Ul引脚2连接电阻R7,芯片Ul引脚I分别连接电容C2另一端、二极管D2正极、二极管Dl正极和电阻R7另一端,二极管D2负极分别连接电阻R3和三极管VTl集电极,所述二极管Dl负极分别连接电阻Rl和电位器RPl另一端,所述三极管VTl基极分别连接电位器RP2另一端和电阻R3,所述整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3分别连接变压器T线圈L2两端,整流桥Q引脚2分别连接电容Cl另一端、电阻Rl另一端、电阻R2另一端、电阻R3另一端、电阻R4另一端和电阻R5另一端,所述电阻R6另一端连接电容C3另一端。作为本技术再进一步的方案:所述芯片Ul型号为TWH8751。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术电压保护电路电路结构简单,带有过压和欠压保护功能,成本低,非常适合推广使用。【附图说明】图1为电压保护电路的电路图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1,本技术实施例中,一种电压保护电路,包括变压器T、整流桥Q、电容Cl、电位器RP1、电位器RP2、芯片Ul和双向可控硅VS,变压器T线圈LI 一端分别连接220V交流电一端、电阻R6和双向可控硅VS的Tl极,变压器T线圈LI另一端分别连接220V交流电另一端和负载RL,负载RL另一端分别连接电容C3、双向可控硅VS的T2极、电容C4、芯片Ul引脚1、电容C2、三极管VTl发射极、电位器RP2、电位器RPl滑片、电位器RP1、电位器RPl滑片、电容Cl和整流桥Q引脚4,双向可控硅VS的G极分别连接二极管D3负极,二极管D3正极分别连接电容C4另一端、电阻R5和芯片Ul引脚4,芯片Ul引脚5连接电阻R4,芯片Ul引脚2连接电阻R7,芯片Ul引脚I分别连接电容C2另一端、二极管D2正极、二极管Dl正极和电阻R7另一端,二极管D2负极分别连接电阻R3和三极管VTl集电极,二极管Dl负极分别连接电阻Rl和电位器RPl另一端,三极管VTl基极分别连接电位器RP2另一端和电阻R3,整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3分别连接变压器T线圈L2两端,整流桥Q引脚2分别连接电容Cl另一端、电阻Rl另一端、电阻R2另一端、电阻R3另一端、电阻R4另一端和电阻R5另一端,电阻R6另一端连接电容C3另一端。芯片Ul 型号为 TWH8751。本技术的工作原理是:请参阅图1,当220V市电电网电压过低时,电阻Rl和电位器RPl分压值减小,使二极管Dl导通,使芯片Ul导通,接着使二极管D3截止,随之双向可控硅VS关断,从而切断负载RL电源,调节电位器RPl可设定欠压保护值。当电网电压过高时,电阻R2和电位器RP2的分压值增高,使三极管VTl导通,随之二极管D2导通,接着芯片Ul导通,使二极管D3截止,双向可控硅VS关断,调节电位器RP2可设定过压保护值。电阻R7、电容C2和电容C4构成了断电延时启动电路,当断电后又立即通电时,电容C2、电容C4两端电压不能突变,使芯片Ul引脚2保护低电平而导通,从而使二极管D3截止,双向可控娃VS截止,负载RL断电。对于本领域技术人员而言,显然本技术不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本技术。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。【主权项】1.一种电压保护电路,包括变压器T、整流桥Q、电容Cl、电位器RPl、电位器RP2、芯片Ul和双向可控硅VS,其特征在于,所述变压器T线圈LI 一端分别连接220V交流电一端、电阻R6和双向可控硅VS的Tl极,变压器T线圈LI另一端分别连接220V交流电另一端和负载RL,负载RL另一端分别连接电容C3、双向可控硅VS的T2极、电容C4、芯片Ul引脚1、电容C2、三极管VTl发射极、电位器RP2、电位器RPl滑片、电位器RPl、电位器RPl滑片、电容Cl和整流桥Q引脚4,双向可控硅VS的G极分别连接二极管D3负极,二极管D3正极分别连接电容C4另一端、电阻R5和芯片Ul引脚4,芯片Ul引脚5连接电阻R4,芯片Ul引脚2连接电阻R7,芯片Ul引脚I分别连接电容C2另一端、二极管D2正极、二极管Dl正极和电阻R7另一端,二极管D2负极分别连接电阻R3和三极管VTl集电极,所述二极管Dl负极分别连接电阻Rl和电位器RPl另一端,所述三极管VTl基极分别连接电位器RP2另一端和电阻R3,所述整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3分别连接变压器T线圈L2两端,整流桥Q引脚2分别连接电容Cl另一端、电阻Rl另一端、电阻R2另一端、电阻R3另一端、电阻R4另一端和电阻R5另一端,所述电阻R6另一端连接电容C3另一端。2.根据权利要求1所述的电压保护电路,其特征在于,所述芯片Ul型号为TWH8751。【专利摘要】本技术公开了一种电压保护电路,包括变压器T、整流桥Q、电容C1、电位器RP1、电位器RP2、芯片U1和双向可控硅VS,变压器T线圈L1一端分别连接220V交流电一端、电阻R6和双向可控硅VS的T1极,变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和负载RL,负载R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压保护电路,包括变压器T、整流桥Q、电容C1、电位器RP1、电位器RP2、芯片U1和双向可控硅VS,其特征在于,所述变压器T线圈L1一端分别连接220V交流电一端、电阻R6和双向可控硅VS的T1极,变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和负载RL,负载RL另一端分别连接电容C3、双向可控硅VS的T2极、电容C4、芯片U1引脚1、电容C2、三极管VT1发射极、电位器RP2、电位器RP1滑片、电位器RP1、电位器RP1滑片、电容C1和整流桥Q引脚4,双向可控硅VS的G极分别连接二极管D3负极,二极管D3正极分别连接电容C4另一端、电阻R5和芯片U1引脚4,芯片U1引脚5连接电阻R4,芯片U1引脚2连接电阻R7,芯片U1引脚1分别连接电容C2另一端、二极管D2正极、二极管D1正极和电阻R7另一端,二极管D2负极分别连接电阻R3和三极管VT1集电极,所述二极管D1负极分别连接电阻R1和电位器RP1另一端,所述三极管VT1基极分别连接电位器RP2另一端和电阻R3,所述整流桥Q引脚1和整流桥Q引脚3分别连接变压器T线圈L2两端,整流桥Q引脚2分别连接电容C1另一端、电阻R1另一端、电阻R2另一端、电阻R3另一端、电阻R4另一端和电阻R5另一端,所述电阻R6另一端连接电容C3另一端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张萌孟天璇米晓琳
申请(专利权)人:国网山东省电力公司枣庄供电公司国家电网公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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