有机发光二极管显示器制造技术

有机发光二极管显示器包括衬底；位于衬底上的栅极布线；覆盖栅极布线的层间绝缘层；位于层间绝缘层上的数据布线；位于数据布线和层间绝缘层上并且具有保护开口的钝化层；位于数据布线中通过保护开口暴露的第一布线部分和层间绝缘层上的像素电极；位于钝化层上并且具有暴露像素电极的像素开口的像素限定层；覆盖像素电极的有机发射层；以及覆盖有机发射层和像素限定层的公共电极，其中，与数据布线的第一布线部分和层间绝缘层接触的像素电极具有凸出部和凹陷部。

【技术实现步骤摘要】

所描述的技术总体上涉及有机发光二极管显示器。
技术介绍
有机发光二极管显示器包括阳极和阴极的两个电极、和位于两个电极之间的有机发光层。阳极将空穴注入到发光层中，而阴极将电子注入到发光层中。所注入的电子和空穴结合以形成激子，激子在释放能量时发光。这种有机发光二极管显示器包括多个像素，像素包括作为自发射型器件的有机发光二极管，其中用于驱动有机发光二极管的多个薄膜晶体管和存储电容器位于每个像素中。为了改善有机发光二极管显示器的视角，凸出部和凹陷部被形成在由有机层制成的钝化层处。并且，对于大型电视的应用而言，在大型有机发光二极管显示器中，钝化层的厚度被增加以最小化数据布线与阴极之间的寄生电容。然而，当通过将半色调光掩模应用到焊盘部分，以在大型有机发光二极管显示器的厚钝化层处形成凸出部和凹陷部时，凸出部和凹陷部被形成并且同时钝化层的厚度必需在焊盘部分中被减小以执行焊盘键合。可选地，必需添加与用于形成焊盘部分的掩模独立的掩模以在像素的钝化层中形成凸出部和凹陷部。在
技术介绍
部分公开的上述信息仅仅用于加强对本文所描述技术的背景的理解，并因此
技术介绍
部分可包含不构成本国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
示例性实施方式提供在没有附加掩模的情况下产生的具有改善视角的大型有机发光二极管显示器。根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器包括:衬底；形成在衬底上的栅极布线；覆盖栅极布线的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上的数据布线；形成在数据布线和层间绝缘层上并且具有保护开口的钝化层；形成在数据布线中通过保护开口暴露的第一布线部分和层间绝缘层上的像素电极；形成在钝化层上并且具有暴露像素电极的像素开口的像素限定层；覆盖像素电极的有机发射层；以及覆盖有机发射层和像素限定层的公共电极，其中与所述数据布线的所述第一布线部分和所述层间绝缘层接触的所述像素电极具有凸出部和凹陷部。所述像素电极的所述凸出部和所述凹陷部可以分别为与数据布线的第一布线部分接触的凸像素部分和与层间绝缘层接触的凹像素部分。数据布线还可以包括与数据线绝缘的虚拟数据构件，并且数据布线的第一布线部分可以包括虚拟数据构件。 还可以包括形成在钝化层上并且与像素电极分离开的辅助电极，并且辅助电极可以与公共电极接触。像素限定层可以具有暴露辅助电极的协助开口，并且公共电极可以通过协助开口与辅助电极接触。数据布线可以包括与数据线绝缘的第二布线部分，并且辅助电极可以通过形成在钝化层中的接触孔连接至数据布线的第二布线部分。辅助电极可以由与像素电极相同的材料形成。栅极布线可以包括与数据布线的第二布线部分重叠的第一存储电极，并且数据布线的第二布线部分可以是第二存储电极。栅极布线还可以包括传送扫描信号的扫描线。数据布线还可以包括:传送驱动电压的驱动电压线、传送补偿控制信号并且与扫描线相交的补偿控制线、与扫描线相交并且传送操作控制信号的操作控制线、以及与扫描线相交并且传送复位信号的复位控制线；以及数据布线的第一布线部分可以包括驱动电压线、补偿控制线、操作控制线，和复位控制线中的至少一个。有机发光二极管显示器还可以包括形成在钝化层上并且与像素电极分离开的辅助电极，并且辅助电极可以与公共电极接触。辅助电极可以与驱动电压线重叠，并且辅助电极可以由与像素电极相同的材料形成。有机发光二极管显示器还可以包括连接至扫描线和数据线的开关薄膜晶体管、连接至补偿控制线的补偿薄膜晶体管、连接至操作控制线和开关薄膜晶体管的操作控制薄膜晶体管、和连接至驱动电压线的驱动薄膜晶体管。根据示例性实施方式，像素电极与数据布线的第一布线部分接触以在像素电极处形成凸出部和凹陷部，以使得视角可以被改善。并且，视角可以在没有附加掩模的情况下被改善，以使得制造成本可以被减少并且制造时间可以被减少。另外，数据布线的第一布线部分的厚度被增加以增加像素电极的凸出部和凹陷部的角度，以使得视角可以被进一步改善。【附图说明】图1是根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。图2是根据另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图。图3是示意性地示出根据另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的三个像素中的多个薄膜晶体管和多个电容器的位置的视图。图4是根据另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的一个像素的详细布局视图。图5是沿着图4中的线V-V获取的有机发光二极管显示器的剖视图。图6是根据另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。图7是根据另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。【具体实施方式】下文中将参照其中示出了本专利技术的示例性实施方式的附图对示例性实施方式进行更加全面的描述。本领域的技术人员将理解，能够以多种不同方式对所描述的实施方式进行修改，而均不背离本专利技术的精神或范围。附图和说明在本质上被认为是示例性的，而不是限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。另外，为了更好地理解和描述的便利而任意地给出了附图中所示构成构件的尺寸和厚度，所以本专利技术并不限于此。在附图中，为了清楚起见，层、膜、板、区域等的厚度被放大。在附图中，为了更好地理解和描述的便利，一些层和区域的厚度被放大。应理解，当诸如层、膜、区域、或衬底的元件被称为位于另一个元件“上”时，该元件可直接位于另一个元件上或者还可以存在有中间元件。将参照图1对根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器进行描述。图1是根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。如图1所示，在根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器中，缓冲层111被形成在衬底110上，并且驱动半导体层131a和形成存储电容器Cst的第一存储电极132被形成在缓冲层111上。衬底110可以包括由玻璃、石英、陶瓷材料、或塑料材料制成的绝缘衬底。由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)制成的栅极绝缘层140被形成在驱动半导体层131a和第一存储电极132上。包括驱动栅极125a和第二存储电极127的栅极布线被形成在栅极绝缘层140上。存储电容器Cst包括通过位于第一存储电极132与第二存储电极127之间的栅极绝缘层140间隔开的第一存储电极132和第二存储电极127。在一个实施方式中，栅极绝缘层140为介电材料，并且通过充电至存储电容器Cst的电荷以及两个电极132和127之间的电压确定存储电容。覆盖驱动栅极125a和第二存储电极127的层间绝缘层160被形成在栅极绝缘层140上。栅极绝缘层140和层间绝缘层160共同具有暴露驱动半导体层131a的漏区域的接触孔63。如同栅极绝缘层140，层间绝缘层160也通过使用陶瓷类材料诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)制成。包括数据线171、驱动源极176a、驱动漏极177a、虚拟数据构件178、和数据焊盘部分179的数据布线被形成在层间绝缘层160上。在这种情况下，驱动源极176a和驱动漏极177a分别通过形成在层间绝缘层160和栅极绝缘层140中的接触孔67和63被连接至驱动半导体层131a的源区域和漏区域。驱动薄膜晶体管Td包括驱动半导体层131a、驱动栅极125a、驱动源极176a、和驱动漏极177a。钝化层180被形成在层间绝缘层160上，并且钝化层180具有保护开口 181。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：衬底；栅极布线，位于所述衬底上；层间绝缘层，覆盖所述栅极布线；数据布线，位于所述层间绝缘层上；钝化层，位于所述数据布线和所述层间绝缘层上并且具有保护开口；像素电极，位于所述数据布线中通过所述保护开口暴露的第一布线部分和所述层间绝缘层上；像素限定层，位于所述钝化层上并且具有暴露所述像素电极的像素开口；有机发射层，覆盖所述像素电极；以及公共电极，覆盖所述有机发射层和所述像素限定层，其中，与所述数据布线的所述第一布线部分和所述层间绝缘层接触的所述像素电极具有凸出部和凹陷部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴在焕，鲁花真，朴世勋，李源规，张荣真，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR