近红外线吸收性组合物、使用该组合物的近红外线截止滤波器及其制造方法、以及照相机模块及其制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供一种在制成硬化膜时维持高的近红外线遮蔽性、且可形成耐热性优异的硬化膜的近红外线吸收性组合物。本发明专利技术的近红外线吸收性组合物含有铜络合物及溶剂，上述铜络合物是使两种以上的下述通式(I)所表示的磺酸或其盐与铜成分反应而成。(通式(I)中，R1表示有机基)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】近红外线吸收性组合物及其应用、照相机模块及其制造方法、磺酸铜络合物及其混合物
本专利技术涉及一种近红外线吸收性组合物及其应用、照相机模块及其制造方法、磺酸铜络合物及其混合物。
技术介绍
在摄影机(videocamera)、数字静态照相机(digitalstillcamera)、带有照相机功能的移动电话等中，一直使用作为彩色图像的固体摄像元件的电荷耦合元件(Charge-coupledDevice，CCD)或互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，CMOS)影像传感器(imagesensor)。这些固体摄像元件在其受光部中使用对近红外线具有感度的硅光二极管(siliconphotodiode)，故必须进行光感度(luminoussensitivity)修正，大多情况下使用近红外线截止滤波器(以下也称为IR截止滤波器)。作为此种近红外线截止滤波器的材料，也已知使用磺酸酯铜络合物的近红外线吸收性组合物(专利文献1)、或使用磷酸酯铜络合物的近红外线吸收性组合物(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2001-213918号公报专利文献2：国际公开WO1999/010354号手册(日本专利第3933392号)
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种近红外线吸收性组合物，其在制成硬化膜时维持高的近红外线遮蔽性，且可形成耐热性优异的硬化膜。解决问题的技术手段本专利技术人根据上述状况进行了努力研究，结果发现，通过在近红外线吸收性组合物中调配以下铜络合物，可解决上述课题，上述铜络合物使用两种以上的磺酸或其盐、或者使用不含(甲基)丙烯酸酯基的磺酸。具体而言，通过以下的手段<1>、优选为手段<2>～手段<27>解决了上述课题。<1>一种近红外线吸收性组合物，含有使两种以上的下述通式(I)所表示的磺酸或其盐与铜成分反应而成的铜络合物，[化1](通式(I)中，R1表示有机基)。<2>一种近红外线吸收性组合物，含有铜络合物及溶剂，上述铜络合物为具有铜作为中心金属且具有结构互不相同的下述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有下述通式(II)所表示的结构且该结构互不相同的铜络合物。[化2](通式(I)中，R1表示有机基；通式(II)中，R2表示有机基；“*”表示与铜配位键结的部位)。<3>根据<1>或<2>所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述R1及R2分别独立地为烷基、芳基或具有不饱和双键的有机基。<4>根据<1>至<3>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述R1和/或R2为分子量300以下的有机基。<5>根据<1>至<4>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述通式(I)所表示的磺酸是选自未经取代的烷基磺酸、经取代或未经取代的芳基磺酸、经氟原子取代的烷基磺酸及经取代或未经取代的烯基磺酸的任一个。<6>根据<1>至<5>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述铜络合物为使三种以上的上述通式(I)所表示的磺酸或其盐与上述铜成分反应而成；或者根据<2>至<5>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述近红外线吸收性组合物含有三种以上的具有结构互不相同的上述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物，或者含有三种以上的具有上述通式(II)所表示的结构且该结构互不相同的铜络合物。<7>根据<2>至<6>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述近红外线吸收性组合物还含有：具有结构全部相同的上述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有上述通式(II)所表示的结构且该结构全部相同的铜络合物。<8>一种近红外线吸收性组合物，含有铜络合物及溶剂，上述铜络合物为使下述通式(III)所表示的磺酸或其盐与铜成分反应而成，[化3](通式(III)中，R3表示不含(甲基)丙烯酸酯基的有机基)。<9>一种近红外线吸收性组合物，含有铜络合物及溶剂，上述铜络合物为具有铜作为中心金属且具有下述通式(III)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有下述通式(IV)所表示的结构的铜络合物，[化4](通式(III)中，R3表示不含(甲基)丙烯酸酯基的有机基；通式(IV)中，R4表示不含(甲基)丙烯酸酯基的有机基；“*”表示与铜配位键结的部位)。<10>根据<8>或<9>所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述R3及R4分别独立地为含有烷基或芳基的有机基。<11>根据<8>至<10>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述R3和/或R4为分子量300以下的有机基。<12>根据<8>至<11>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述通式(III)所表示的磺酸为选自未经取代的烷基磺酸、经取代或未经取代的芳基磺酸、经氟原子取代的烷基磺酸及经取代或未经取代的烯基磺酸的任一个。<13>根据<9>至<12>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述近红外线吸收性组合物含有两种以上的具有结构全部相同的上述通式(III)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或两种以上的具有上述通式(IV)所表示的结构且该结构全部相同的铜络合物。<14>根据<1>至<13>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，还含有硬化性化合物。<15>根据<14>所记载的近红外线吸收性组合物，其中上述硬化性化合物为三官能以上的(甲基)丙烯酸酯和/或环氧树脂。<16>根据<1>至<15>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中近红外线吸收性组合物的固体成分为35质量％～90质量％。<17>根据<1>至<16>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其是在固体摄像元件用影像传感器上形成涂膜而使用。<18>一种近红外线吸收性组合物，含有使具有2个以上的酸基的化合物或其盐与铜成分反应而成的铜络合物。<19>根据<18>所记载的近红外线吸收性组合物，其中具有2个以上的酸基的化合物所含的酸基是选自磺酸基、羧酸基及含磷原子的酸基。<20>根据<18>所记载的近红外线吸收性组合物，其中具有2个以上的酸基的化合物至少含有磺酸基及羧酸基。<21>一种近红外线截止滤波器，其是使用根据<1>至<20>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物制作而成。<22>一种照相机模块，具有固体摄像元件基板、及配置于上述固体摄像元件基板的受光侧的根据<21>所记载的近红外线截止滤波器。<23>一种照相机模块的制造方法，制造具有固体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近红外线吸收性组合物，含有使两种以上的下述通式(I)所表示的磺酸或其盐与铜成分反应而成的铜络合物。通式(I)中，R1表示有机基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.02.19 JP 2013-030487;2013.07.24 JP 2013-153991.一种近红外线吸收性组合物，含有使两种以上的下述通式(I)所表示的磺酸或其盐与铜成分反应而成的铜络合物，通式(I)中，R1表示分子量300以下的有机基。2.一种近红外线吸收性组合物，含有：具有铜作为中心金属且具有结构互不相同的下述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有下述通式(II)所表示的结构且所述结构互不相同的铜络合物；以及溶剂，通式(I)中，R1表示分子量300以下的有机基；通式(II)中，R2表示分子量300以下的有机基；“*”表示与铜配位键结的部位。3.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物，其中所述R1和/或R2分别独立地为烷基、芳基或具有不饱和双键的有机基。4.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物，其中所述通式(I)所表示的磺酸是选自未经取代的烷基磺酸、经取代或未经取代的芳基磺酸、经氟原子取代的烷基磺酸及经取代或未经取代的烯基磺酸的任一个。5.根据权利要求1或2所述的近红外线吸收性组合物，其中所述铜络合物是使三种以上的所述通式(I)所表示的磺酸或其盐与所述铜成分反应而成。6.根据权利要求2所述的近红外线吸收性组合物，其中所述近红外线吸收性组合物含有：三种以上的具有结构互不相同的所述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或三种以上的具有所述通式(II)所表示的结构且所述结构互不相同的铜络合物。7.根据权利要求2所述的近红外线吸收性组合物，其中所述近红外线吸收性组合物还含有：具有结构全部相同的所述通式(I)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有所述通式(II)所表示的结构且所述结构全部相同的铜络合物。8.一种近红外线吸收性组合物，含有：使下述通式(III)所表示的磺酸或其盐与铜成分反应而成的铜络合物；及溶剂，通式(III)中，R3表示不含(甲基)丙烯酸酯基且分子量300为以下的有机基。9.一种近红外线吸收性组合物，含有：具有铜作为中心金属且具有下述通式(III)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或具有下述通式(Ⅳ)所表示的结构的铜络合物；及溶剂，通式(III)中，R3表示不含(甲基)丙烯酸酯基且分子量300为以下的有机基；通式(Ⅳ)中，R4表示不含(甲基)丙烯酸酯基且分子量300为以下的有机基；“*”表示与铜配位键结的部位。10.根据权利要求8或9所述的近红外线吸收性组合物，其中所述R3和/或R4分别独立地为含有烷基或芳基的有机基。11.根据权利要求8或9所述的近红外线吸收性组合物，其中所述通式(III)所表示的磺酸为选自未经取代的烷基磺酸、经取代或未经取代的芳基磺酸、经氟原子取代的烷基磺酸及经取代或未经取代的烯基磺酸的任一个。12.根据权利要求9所述的近红外线吸收性组合物，其中所述近红外线吸收性组合物含有：两种以上的具有结构全部相同的所述通式(III)所表示的磺酸作为配体的铜络合物、或两种以上的含有所述通式(...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛敬史，人见诚一，高桥秀知，奈良裕树，朴星戊，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP