本发明专利技术公开一种新型掺杂SiO2光触媒自洁玻璃及制备工艺，由掺杂SiO2光触媒自清洁膜层和玻璃基层构成。掺杂SiO2光触媒自清洁膜层由掺杂纳米SiO2的光触媒自清洁涂液通过滚涂机均匀涂布在玻璃表面，然后经过高温烧结制成。玻璃基层为悬浮法制造的普通钠钙硅酸盐玻璃，其可见光的透过率为85％～89％。采用此工艺制作的玻璃表面具有自清洁功能，同时自清洁膜层的使用寿命长，透光率高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及自洁玻璃及其制备工艺，具体属于一种新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺。
技术介绍
随着人民生活方式和生活意识的不断改变，对具有自洁功能的产品需求量不断增加，由此，市场上出现了批量的自洁玻璃。自洁玻璃大都采用在玻璃表面直接辊镀自清洁层，此种方法加工较为简单。但是在使用过程中发现自洁镀膜层使用寿命短，在玻璃的切割过程中容易引起自洁镀膜层的剥落、皱起、橘皮和皴裂等现象。自洁镀膜层剥落后，玻璃表面极易出现发黄或泛白等被二次污染的表征，自洁镀膜层皱起后，导致镀膜层与玻璃基层的附着力降为零，极易剥落，自洁镀膜层橘皮现象是指自洁镀膜层与玻璃基层出现附着力下降但是未降到零，颜色表征为泛浅黄色，自洁镀膜层皴裂是指自洁镀膜层受到刮划外力时，连续出现皱起的情况。为了延长自洁玻璃上自洁镀膜层的使用寿命，必须增加自洁镀膜层与玻璃基层的附着力，增强自洁玻璃的耐老化性能和耐加工性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，提高了自洁镀膜层与玻璃基层的附着力，增强了自洁镀膜面的耐老化性能，同时使自洁玻璃的后期切割加工性能得到显著的提高。为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案:一种新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，由掺杂Si02光触媒自清洁膜层和玻璃基层构成，掺杂Si02光触媒自清洁膜层由掺杂纳米Si02的光触媒自清洁涂液通过滚涂机均匀涂布在玻璃表面，然后经过高温烧结制成，玻璃基层为悬浮法制造的普通钠钙硅酸盐玻璃，其可见光的透过率为85 %?89 %。优选地，所述掺杂Si02光触媒自清洁膜层的主要成分为Si02、Ti02，将含有Si02和Ti02的有机酸性溶剂按照一定比例混合制成溶胶涂液，采用溶胶凝胶工艺由滚涂机均匀滚涂镀膜经高温烧结制成。优选地，所述掺杂Si02光触媒自洁玻璃制备工艺为:玻璃原片一一切割一一磨边--清洗--$昆涂镀膜--烘干--尚温烧结--退火--成品，其中烘干温度为150°C?300°C，时间为2min?3min，烧结温度为450°C?650°C，时间为2min?lOmin，退火为随炉退火，退火时的平均降温速度为20°C?30°C /min。优选地，所述掺杂纳米Si02的光触媒自清洁涂液由光伏增透减反射涂液与光触媒自清洁基础涂液混合而成，光伏增透减反射涂液为光触媒自清洁基础涂液体积的8 %?20%,固体份含量为4%?8%，比重为0.8?1.3g/cm3，黏稠度为5mPa.s?25mPa.S。优选地，所述采用掺杂Si02光触媒自洁玻璃的可见光透过率为80%?86%。与已有技术相比，新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，通过高温烧结和优选的退火工艺及相匹配的自清洁涂液和滚涂机均匀滚涂镀膜，延长光触媒自洁镀膜层的耐老化性能，增强光触媒自洁镀膜层与玻璃基层的附着力，提高光触媒自洁镀膜玻璃后期切割加工性能。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图；【具体实施方式】参见附图，一种新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，准备好供加工生产使用的玻璃原片，切割成实际生产需要的玻璃尺寸，对切割边或有明显刮楞边进行打磨，随后使用无水乙醇对玻璃块清洗，将制备完成的掺杂纳米Si02的光触媒自清洁涂液使用滚涂机均匀涂布在玻璃基层2表面，放置1min后再用滚涂机均匀涂布掺杂纳米Si02的光触媒自清洁涂液，如此循环3次，将其放入烘干炉炉温为150°C?300°C，时间为2min?3min，取出后将其放入高温烧结炉进行连续2min?1min的高温烧结，烧结温度为450°C?650°C，此时在玻璃基层2表面形成掺杂Si02光触媒自清洁膜层1，随后进行随炉退火，使高温烧结炉按照平均降温速度为20°C?30°C /min,连续降温直至室温，制成新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃。【主权项】1.一种新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，由掺杂Si02光触媒自清洁膜层和玻璃基层构成，掺杂Si02光触媒自清洁膜层由掺杂纳米Si02的光触媒自清洁涂液通过滚涂机均匀涂布在玻璃表面，然后经过高温烧结制成，玻璃基层为悬浮法制造的普通钠钙硅酸盐玻璃，其可见光的透过率为85 %?89 %。2.根据权利要求1所述的新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，其特征在于:所述的掺杂Si02光触媒自清洁膜层的主要成分为Si02、Ti02，将含有Si02和Ti02的有机酸性溶剂按照一定比例混合制成溶胶涂液，采用溶胶凝胶工艺由滚涂机均匀滚涂镀膜经高温烧结制成。3.根据权利要求1和2所述的新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，其特征在于:所述的制备工艺为:玻璃原片一一切割一一磨边一一清洗一一辊涂镀膜一一烘干一一高温烧结——退火——成品，其中烘干温度为150°C?300°C，时间为2min?3min，烧结温度为450°C?650°C，时间为2min?lOmin，退火为随炉退火，退火时的平均降温速度为20°C ?30 °C /min。4.根据权利要求1所述的新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，其特征在于:所述的掺杂纳米Si02的光触媒自清洁涂液由光伏增透减反射涂液与光触媒自清洁基础涂液混合而成，光伏增透减反射涂液为光触媒自清洁基础涂液体积的8%?20%，固体份含量为4%?8%，比重为0.8?1.3g/cm3，黏稠度为5mPa.s?25mPa.S。5.根据权利要求1所述的新型掺杂Si02光触媒自洁玻璃及制备工艺，其特征在于:所述的采用掺杂Si02光触媒自洁玻璃的可见光透过率为80%?86%。【专利摘要】本专利技术公开一种新型掺杂SiO2光触媒自洁玻璃及制备工艺，由掺杂SiO2光触媒自清洁膜层和玻璃基层构成。掺杂SiO2光触媒自清洁膜层由掺杂纳米SiO2的光触媒自清洁涂液通过滚涂机均匀涂布在玻璃表面，然后经过高温烧结制成。玻璃基层为悬浮法制造的普通钠钙硅酸盐玻璃，其可见光的透过率为85％～89％。采用此工艺制作的玻璃表面具有自清洁功能，同时自清洁膜层的使用寿命长，透光率高。【IPC分类】C03C17/23【公开号】CN104926151【申请号】CN201510275703【专利技术人】孔德云, 王红武, 马义虎 【申请人】合肥润嘉节能玻璃有限责任公司【公开日】2015年9月23日【申请日】2015年5月19日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型掺杂SiO2光触媒自洁玻璃及制备工艺，由掺杂SiO2光触媒自清洁膜层和玻璃基层构成，掺杂SiO2光触媒自清洁膜层由掺杂纳米SiO2的光触媒自清洁涂液通过滚涂机均匀涂布在玻璃表面，然后经过高温烧结制成，玻璃基层为悬浮法制造的普通钠钙硅酸盐玻璃，其可见光的透过率为85％～89％。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孔德云，王红武，马义虎，
申请(专利权)人：合肥润嘉节能玻璃有限责任公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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