【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光刻设备的衬底支撑件和光刻设备相关申请的交叉引用本申请要求于2012年12月17日递交的美国临时申请61/738,344以及于2013年9月4日递交的美国临时申请61/873,806的权益,其在此通过引用将它们的全文并入本文中。
本专利技术涉及光刻设备和用于光刻设备的衬底支撑件。
技术介绍
光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。通常,图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现的。通常,单个衬底将包含被连续形成图案的相邻的目标部分的网络。光刻术被广泛地看作是制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而,随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小,光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率 ...
【技术保护点】
一种衬底支撑件,所述衬底支撑件用于将具有在EUV范围内的波长或更小波长的辐射束投影到衬底的目标部分上的类型的设备,所述衬底支撑件包括:衬底台,构造成保持衬底;支撑块,配置成支撑所述衬底台;至少一个传感器单元;和盖板,被设置成围绕所述衬底台和所述至少一个传感器单元,所述盖板定位和配置成导致对于在所述衬底台上的气流的阻力增大。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.12.17 US 61/738,344;2013.09.04 US 61/873,8061.一种衬底支撑件,所述衬底支撑件用于将具有在EUV范围内的波长或更小波长的辐射束投影到衬底的目标部分上的类型的设备,所述衬底支撑件包括:衬底台,构造成保持衬底;支撑块,配置成支撑所述衬底台;至少一个传感器单元;和盖板,被设置成围绕所述衬底台和所述至少一个传感器单元,所述盖板定位和配置成导致对于在所述衬底台上的气流的阻力增大;其中所述盖板包括配置成建立在所述盖板正上方的区域和在所述盖板内或下面的一个或更多的导管之间的气流的装置。2.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述盖板包括具有围绕所述至少一个传感器单元的升高的或台阶状的轮廓的边缘。3.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述盖板包括调节元件。4.根据权利要求3所述的衬底支撑件,其中所述调节元件包括用于承载热交换流体的一个或更多的导管。5.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述气流能够操作以将气体吹送通过在所述盖板和安装在所述衬底台上的衬底之间的间隙或在所述盖板和所述至少一个传感器单元之间的间隙,以用作缓冲件。6.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述气流能够操作以将气体从所述盖板正上方的区域、经由在所述盖板和安装在所述衬底台上的衬底之间的间隙和/或在所述盖板和所述至少一个传感器单元之间...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·阿勒马克,A·考沃埃特斯,R·拉法尔,N·坦凯特,C·路吉腾,HK·尼恩惠斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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