垂直磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器及调制方法技术

本发明专利技术是一种垂直磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器，其特征在于该光子晶体太赫兹波调制器包括二维三角晶格结构硅光子晶体(1)、波导区(2)、点缺陷谐振腔(3)；其中，二维三角晶格结构光子晶体(1)是沿X—Z平面周期性分布的介质柱型硅光子晶体；在二维三角晶格结构硅光子晶体(1)的两端引入对称的线缺陷构成波导区(2)，然后在二维三角晶格结构光子晶体(1)的中心处采用磁控可调谐材料锑化铟构造圆形介质柱，形成点缺陷谐振腔(3)，太赫兹波沿x方向从波导区(2)的左端输入，波导区(2)的右端输出；外加磁场在X—Z平面内沿Z方向施加到圆形点缺陷谐振腔(3)上，其方向与太赫兹波传输方向垂直。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种磁控太赫兹波调制器(二维三角晶格结构光子晶体)，尤其是一种缺陷模迀移型以及消失型、等离子体光子晶体太赫兹波调制器，涉及太赫兹波通信与光信息处理的

技术介绍
光子晶体作为一种新型的光学功能材料，已受到了广泛的关注。人们正试图利用光子晶体的特殊性质，开发出更多的光学元器件，其中光子晶体调制器就是研宄的热点之一。而太赫兹波(100GHz — 1THz)是频谱上的最后一段空白，将其应用于未来的无线通信领域，以解决高速率、超宽带无线接入问题是必然的趋势。将光子晶体调制器的调制波段迀移到THz波段，就很好地满足了现代无线移动通信的宽频带要求。根据调制机理的不同，光子晶体太赫兹波调制器主要分为以下两类:光子带隙型和缺陷模型。其中光子带隙型太赫兹波调制器是利用光子带隙的改变来实现对太赫兹波的断、通调制；而缺陷模型太赫兹波调制器是利用光子晶体的缺陷模迀移(或消失)来实现对太赫兹波的断、通调制。并且缺陷模型太赫兹波调制器比光子带隙型太赫兹波调制器的调制性能更好。垂直磁控的磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器具有以下优势:调制器性能好，可同时实现缺陷模迀移型以及消失型太赫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器，其特征在于该光子晶体太赫兹波调制器包括二维三角晶格结构硅光子晶体(1)、波导区(2)、点缺陷谐振腔(3)；其中，二维三角晶格结构光子晶体(1)是沿X—Z平面周期性分布的介质柱型硅光子晶体；在二维三角晶格结构硅光子晶体(1)的两端引入对称的线缺陷构成波导区(2)，然后在二维三角晶格结构硅光子晶体(1)的中心处采用磁控可调谐材料锑化铟构造圆形介质柱，形成点缺陷谐振腔(3)，太赫兹波沿x方向从波导区(2)的左端输入，波导区(2)的右端输出；外加磁场在X—Z平面内沿Z方向施加到圆形点缺陷谐振腔(3)上，其方向与太赫兹波传输方向垂直。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹤鸣，周雯，季珂，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32