一种基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器制造技术

基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器，所述MOS电容感光晶体管作为光敏单元；所述MOSFET读取晶体管和与此MOSFET读取晶体管相邻的所述MOS电容感光晶体管组成基本包括多列MOS电容组成的感光晶体管和多列MOSFET读取晶体管组成的阵列，其中：由多列在同一个P型衬底上形成的一个MOS电容感光晶体管和一个MOSFET读取晶体管的双晶体管组成的基本像素单元紧密排列组成；所述MOS电容感光晶体管有多列不同形态的感光晶体管和读取晶体管通过多种形态的布局可以充分利用像素空间，提高感光晶体管的面积，提高像素占空比从而提高双晶体管光敏探测器的灵敏度、信噪比和动态范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及成像探测器件，尤其是关于红外、可见光波段至紫外波段的成像探测器的阵列结构、工作机制，是一种基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器阵列。特别涉及一种可以减少单个像元晶体管数目，提高光采集效率的高灵敏度固态图像传感器。
技术介绍
近年来，随着技术的进步，用于捕捉图像和视频的图像传感器取得了长足的发展。现在广泛运用的固态成像器件主要有两类:电荷耦合器件(CXD)和CMOS-APS成像器件。虽然CCD传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都优于CMOS传感器，但却有着成本高、集成度小、功耗大且需要多种电源的缺点；而CMOS传感器则具有低成本、低功耗以及高整合度的优点，但也存在灵敏度不高和噪声较大的问题。同时随着对像素数目提升的需求越来越大，单个像素变得越来越小，也就带来了灵敏度下降，动态范围低的问题。鉴于CXD传感器难以进一步缩小像素尺寸，而CMOS传感器暗电流噪声高并且每个像素都包含了一个光敏二极管和三个以上的晶体管，导致占空比较小。为了解决高集成度下的这些问题，结合以上两种传感器的优点，本申请人于申请公布号为CN102938409 A的专利中提出了一种基于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器，其特征是：包括MOS电容感光晶体管和MOSFET读取晶体管组成，其中：所述MOS电容感光晶体管作为光敏单元，即进行光电转换的一个基本单元；所述MOSFET读取晶体管和与此MOSFET读取晶体管相邻的所述MOS电容感光晶体管组成基本成像单元；所述基本成像单元利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料(1)上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离(6)隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极(2)，两层绝缘介质材料之间设有光电子存储层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高宏，闫锋，张丽敏，马浩文，卜晓峰，杨程，毛成，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32