包括滤光器和保护层的发光器件制造技术

根据本发明专利技术的实施例的方法包括提供附接到底座（62）的多个LED（60）。将滤光器（102）附接到所述多个LED中的至少一个。在所述滤光器上方形成保护层（104）。在所述底座上方形成反射层（74）。去除安置在所述保护层上方的反射层的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及具有滤光器和保护层的发光器件。
技术介绍
包括发光二极管（LED)、谐振腔发光二极管（R化邸）、垂直腔激光二极管（VCS化） 和边缘发射激光器在内的半导体发光器件是当前可用的最高效的光源之一。在制造能够 跨可见光谱进行操作的高亮度发光器件中当前令人感兴趣的材料系统包括III-V族半导 体，特别是也被称为III-氮化物材料的嫁、侣、铜和氮的二元、=元和四元合金。通常，由 金属有机物化学气相沉积（M0CVD)、分子束外延（MBE)或其他外延技术通过在藍宝石、娃碳 化物、III-氮或其他合适衬底上外延生长不同组分和渗杂浓度的半导体层的堆叠来制作 III-氮发光器件。该堆叠常常包括渗杂有例如形成在衬底上方的Si的一个或多个n型层、 形成在该一个n型层或多个n型层上方处于有源区中的一个或多个发光层，W及渗杂有例 如形成在该有源区上方的Mg的一个或多个P型层。在该些n型和P型区上形成电触点。 图1图示了在US7256483中更详细描述的倒装巧片LED。该LED包括n型层16、 有源层18W及生长在藍宝石生长衬底(未示出）上的P型层20。P层20和有源层18的部 分在L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供附接到底座的多个LED；将滤光器附接到所述多个LED中的至少一个；在所述滤光器上方形成保护层；在所述底座上方形成反射层；以及去除安置在所述保护层上方的反射层的一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：AD施里克，HH贝奇特，KK麦，T迪伊德里奇，JPA沃格斯，U马肯斯，M海德曼恩，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL