薄膜晶体管、其基板、显示设备及制造薄膜晶体管的方法技术

提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、显示设备以及制造薄膜晶体管的方法。所述薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，与栅电极绝缘；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且电连接到有源层；第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与有源层的位于有源层的电连接到源电极和漏电极的区域之间的部分接触；第二蚀刻停止层，位于第一蚀刻停止层上，第二蚀刻停止层由与用于形成第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，第二蚀刻停止层具有比第一蚀刻停止层的密度高的密度；以及第三蚀刻停止层，位于第二蚀刻停止层上。

【技术实现步骤摘要】
于2014年3月6日在韩国知识产权局提交的名称为“Thin Film Transistor,Thin Film Transistor Substrate,Display Apparatus And Method Of Manufacturing Thin Film Transistor(薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、显示设备及制造薄膜晶体管的方法)”的第10-2014-0026808号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
一个或更多个实施例涉及一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管基板、一种显示设备以及一种制造薄膜晶体管的方法。
技术介绍
薄膜晶体管可以执行诸如以开关功能、控制电流或驱动电气装置为例的各种功能，薄膜晶体管可以用在各种领域中。
技术实现思路
实施例可以通过提供一种薄膜晶体管来实现，所述薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，与栅电极绝缘；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且电连接到有源层；第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与有源层的位于有源层的电连接到源电极和漏电极的区域之间的部分接触；第二蚀刻停止层，位于第一蚀刻停止层上，第二蚀刻停止层由与用于形成第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，第二蚀刻停止层具有比第一蚀刻停止层的密度高的密度；以及第三蚀刻停止层，位于第二蚀刻停止层上。第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化镓。第三蚀刻停止层可以由与用于形成第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层的绝缘材料不同类型的绝缘材料形成。第三蚀刻停止层可以包括氧化硅。有源层可以包括氧化物半导体材料。第三蚀刻停止层可以比第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层厚。实施例可以通过提供一种薄膜晶体管基板来实现，所述薄膜晶体管基板包括：基底；栅电极，位于基底上；有源层，与栅电极绝缘；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且电连接到有源层；第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与有源层的位于有源层的电连接到源电极和漏电极的区域之间的部分接触；第二蚀刻停止层，位于第一蚀刻停止层上，第二蚀刻停止层由与用于形成第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，第二蚀刻停止层具有比第一蚀刻停止层的密度高的密度；第三蚀刻停止层，位于第二蚀刻停止层上；以及像素电极，电连接到源电极和漏电极中的一个。实施例可以通过提供一种显示设备来实现，所述显示设备包括：基底；栅电极，位于基底上；有源层，与栅电极绝缘；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且电连接到有源层；第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与有源层的位于有源层的电连接到源电极和漏电极的区域之间的部分接触；第二蚀刻停止层，位于第一蚀刻停止层上，第二蚀刻停止层由与用于形成第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，第二蚀刻停止层具有比第一蚀刻停止层的密度高的密度；第三蚀刻停止层，位于第二蚀刻停止层上；以及显示器件，电连接到源电极和漏电极中的一个。所述显示器件可以包括：像素电极，电连接到源电极和漏电极中的一个；共电极，面向像素电极；以及液晶层，通过像素电极和共电极驱动。所述显示器件可以包括：像素电极，电连接到源电极和漏电极中的一个；对电极，面向像素电极；以及中间层，位于像素电极和对电极之间，中间层包括至少一个有机发射层。实施例可以通过提供一种制造薄膜晶体管的方法来实现，所述方法包括：形成栅电极；形成与栅电极绝缘的有源层；形成与栅电极绝缘并且电连接到有源层的源电极和漏电极；利用绝缘材料形成第一蚀刻停止层，使得第一蚀刻停止层与有源层的位于有源层的电连接到源电极和漏电极的区域之间的部分接触；利用与用于形成第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料在第一蚀刻停止层上形成第二蚀刻停止层，其中，第二蚀刻停止层具有比第一蚀刻停止层的密度高的密度；以及在第二蚀刻停止层上形成第三蚀刻停止层。可以通过与用于形成有源层的沉积方法相同类型的沉积方法形成第一蚀刻停止层。可以通过溅射或原子层沉积(ALD)方法形成第一蚀刻停止层和有源层。可以通过与用于形成第二蚀刻停止层的沉积方法相同类型的沉积方法形成第一蚀刻停止层。用于形成第一蚀刻停止层的功率可以比用于形成第二蚀刻停止层的功率低。可以通过与用于形成第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层的沉积方法不同类型的沉积方法形成第三蚀刻停止层。可以通过化学气相沉积(CVD)方法来执行形成第三蚀刻停止层的步骤。形成有源层的步骤可以包括：形成有源层的材料层；形成第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层；以及将有源层的材料层图案化。可以利用氧化物半导体材料来形成有源层。可以利用氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化镓形成第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对本领域技术人员来说将变得清楚，在附图中：图1示出了根据实施例的薄膜晶体管的示意性剖视图；图2示出了根据另一实施例的薄膜晶体管的示意性剖视图；图3示出了根据实施例的薄膜晶体管基板的示意性剖视图；图4示出了根据实施例的显示设备的示意性剖视图；以及图5示出了根据另一实施例的显示设备的示意性剖视图。具体实施方式现在将参照附图在下文中更充分地描述示例实施例；然而，这些示例实施例可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为受限于在此阐述的实施例。而是，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的且完整的，并且这些实施例将把示例性实施方式充分地传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终指示同样的元件。当诸如“…中的至少一个(种)”的表述在一系列元件之后时，修饰整个系列的元件，而不是修饰系列中的个别元件。可以省略冗余的解释。将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个组件与另一组件区分开。除非上下文另外限定，否则单数表述也包括复数表述。在下面的实施例中，还将理解的是，在此使用的术语“包括”和/或“具有”表明存在陈述的特征或组件，但并不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。在下面的实施例中，将理解的是，当层、区域或元件的一部分被称作“在”另一部分“上”或“上方”时，该部分可以直接在所述另一部分上或上方，或者也可以存在中间部分。另外，在附图中，为了便于描述，可以夸大或缩小元件的尺寸。换言之，由于为了便于解释，任意地示出了附图中的组件的厚度和尺寸，所以下面的实施例不限于此。在下面的实施例中，x轴、y轴和z本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，与所述栅电极绝缘；源电极和漏电极，与所述栅电极绝缘并且电连接到所述有源层；第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与所述有源层的位于所述有源层的电连接到所述源电极和所述漏电极的区域之间的部分接触；第二蚀刻停止层，位于所述第一蚀刻停止层上，所述第二蚀刻停止层由与用于形成所述第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，所述第二蚀刻停止层具有比所述第一蚀刻停止层的密度高的密度；以及第三蚀刻停止层，位于所述第二蚀刻停止层上。

【技术特征摘要】
2014.03.06 KR 10-2014-00268081.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
有源层，与所述栅电极绝缘；
源电极和漏电极，与所述栅电极绝缘并且电连接到所述有源层；
第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与所述有源层的位于所述有源
层的电连接到所述源电极和所述漏电极的区域之间的部分接触；
第二蚀刻停止层，位于所述第一蚀刻停止层上，所述第二蚀刻停止层由
与用于形成所述第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，所述
第二蚀刻停止层具有比所述第一蚀刻停止层的密度高的密度；以及
第三蚀刻停止层，位于所述第二蚀刻停止层上。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一蚀刻停止
层和所述第二蚀刻停止层包括氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化镓。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三蚀刻停止
层由与用于形成所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层的绝缘材料不同
类型的绝缘材料形成。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三蚀刻停止
层包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括氧
化物半导体材料。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三蚀刻停止
层比所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层厚。
7.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包括：
基底；
栅电极，位于所述基底上；
有源层，与所述栅电极绝缘；
源电极和漏电极，与所述栅电极绝缘并且电连接到所述有源层；
第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与所述有源层的位于所述有源
层的电连接到所述源电极和所述漏电极的区域之间的部分接触；
第二蚀刻停止层，位于所述第一蚀刻停止层上，所述第二蚀刻停止层由

\t与用于形成所述第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，所述
第二蚀刻停止层具有比所述第一蚀刻停止层的密度高的密度；
第三蚀刻停止层，位于所述第二蚀刻停止层上；以及
像素电极，电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个。
8.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
基底；
栅电极，位于所述基底上；
有源层，与所述栅电极绝缘；
源电极和漏电极，与所述栅电极绝缘并且电连接到所述有源层；
第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与所述有源层的位于所述有源
层的电连接到所述源电极和所述漏电极的区域之间的部分接触；
第二蚀刻停止层，位于所述第一蚀刻停止层上，所述第二蚀刻停止层由
与用于形成所述第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，所述
第二蚀刻停止层具有比所述第一蚀刻停止层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安秉斗，金兑映，牟然坤，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR