本发明专利技术提供一种IPS型On Cell触控显示面板及其制作方法。该IPS型On Cell触控显示面板包括相对设置的阵列彩膜基板(1)与上基板(3)、夹设于阵列彩膜基板(1)与上基板(3)之间的液晶层(5)、及设于上基板(3)远离液晶层(5)一侧的触控电极(7)；所述阵列彩膜基板(1)设置有TFT(T)、像素电极(18)、梳状的公共电极(20)、与彩膜光阻(17)，集成了TFT阵列与彩膜滤光的功能；所述上基板(3)仅包括上衬底基板(31)、及设于上衬底基板(31)靠近液晶层(5)一侧表面上的上配向膜(33)；所述触控电极(7)设于该上衬底基板(3)远离液晶层(5)一侧的表面上，所述触控电极(7)经过高温退火处理，从而电阻较低、触控灵敏度较高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板采用嵌入式触控技术将触控面板和液晶显示面板结合为一体，并将触控面板功能嵌入到液晶显示面板内，使得液晶显示面板同时具备显示和感知触控输入的功能。液晶显示面板通常是由一彩膜基板(Color Filter, CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型:垂直配向(Vertical Alignment，VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwisted Nematic, STN)型、平面转换(In-Plane Switching, IPS)型、及边缘场开关(FringeField Switching, FFS)型。其中IPS型液晶显示面板中的液晶分子相对于基板面平行取向，通过对液晶层施加横向电场来控制液晶分子的旋转。如图1所示，传统的IPS型液晶显示面板通常包括相对设置的TFT基板100、CF基板200及夹设于二者之间的液晶层300。所述TFT基板100设置有:下衬底基板110、栅极121、扫描线122、栅极绝缘层130、半导体层140、源/漏极151、数据线152、氧化铟锡(ITO)像素电极160、绝缘保护层170、梳状的ITO公共电极180、以及下配向膜190 ;所述CF基板200设置有:上衬底基板210、彩膜光阻220、黑色矩阵230、光阻间隔物240、及上配向膜250 ;为了对该传统IPS型液晶显示面板进行电磁保护，在CF基板200的上衬底基板210远离液晶层3 —侧的表面上设有一层整片式的ITO透明电极260。触控显示面板依感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种，目前主流的触控技术为电容式，其中电容式又分为自电容式和互电容式，目前市场上的电容式触控显示面板为主要为互电容式，互电容的优点在于可实现多点触控。触控显示面板根据结构不同可划分为:触控电极覆盖于液晶盒上式(On Cell)，触控电极内嵌在液晶盒内式(In Cell)、以及外挂式。其中，In cell式具有成本低、超薄、和窄边框的优点，主要应用在高端触控产品中，但由于In cell式触控技术工艺难度较大，信号干扰等因素，其灵敏度较差。目前市场上应用最多的触控显示面板仍为外挂式，外挂式的优点在于灵敏度高，响应速度快，但缺点是成本高，产品超薄化受限制。On Cell式集成了外挂式和In cell式的优点，既能提高灵敏度又能降低面板厚度，但由于在On Cell式触控显示面板的制作过程中，只能在液晶成盒之后在面板表面镀用于制作触控电极的透明电极ITO，ITO退火温度受限制，因此电阻很难降低，导致触控灵敏度提高受限。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种IPS型On Cell触控显示面板，其触控电极的电阻较低、触控灵敏度较高。本专利技术的目的还在于提供一种IPS型On Cell触控显示面板的制作方法，能够降低触控电极的电阻，提高触控灵敏度。为实现上述目的，本专利技术提供一种IPS型On Cell触控显示面板，包括阵列彩膜基板、与所述阵列彩膜基板相对设置的上基板、夹设于所述阵列彩膜基板与上基板之间的液晶层、及设于所述上基板远离液晶层一侧的触控电极；所述阵列彩膜基板设置有TFT、像素电极、梳状公共电极、与彩膜光阻，集成了 TFT阵列与彩膜滤光的功能；所述上基板仅包括上衬底基板、及设于所述上衬底基板靠近液晶层一侧表面上的上配向膜；所述触控电极设于该上衬底基板远离液晶层一侧的表面上，所述触控电极经过高温退火处理。所述阵列彩膜基板具体包括下衬底基板、设于所述下衬底基板上的栅极与扫描线、设于栅极、扫描线与下衬底基板上的栅极绝缘层、于所述栅极上方设于栅极绝缘层上的岛状半导体层、设于所述栅极绝缘层上分别接触岛状半导体层两侧的源\漏极、设于所述栅极绝缘层上的数据线、设于所述源\漏极、数据线与栅极绝缘层上的绝缘保护层、设于绝缘保护层上的彩膜光阻、设于所述彩膜光阻上并接触部分源\漏极的像素电极、设于所述像素电极与彩膜光阻上的绝缘层、于所述绝缘层上与像素电极相对设置的梳状公共电极、设于所述绝缘层上的黑色矩阵、设于所述黑色矩阵上的光阻间隔物、以及覆盖所述绝缘层、公共电极、黑色矩阵、与光阻间隔物的下配向膜；所述栅极、岛状半导体层、及源\漏极构成TFT。所述触控电极的材料为ΙΤ0。所述像素电极与公共电极的材料为ΙΤ0。所述上衬底基板与下衬底基板均为玻璃基板。本专利技术还提供一种IPS型On Cell触控显示面板的制作方法，包括如下步骤:步骤1、提供上衬底基板，在所述上衬底基板的一侧表面上涂布配向液，形成上配向膜，完成上基板的制作；步骤2、在所述上衬底基板与配向膜相对的另一侧表面上制作触控电极，并对所述触控电极进行高温退火处理，以降低触控电极的电阻；步骤3、提供阵列彩膜基板，所述阵列彩膜基板设置有TFT、像素电极、梳状的公共电极、与彩膜光阻，集成了 TFT阵列与彩膜滤光的功能；步骤4、将阵列彩膜基板与上基板对组，使所述上配向膜朝向阵列彩膜基板，向阵列彩膜基板与上基板之间灌入液晶，形成液晶层。所述步骤2还包括在对所述触控电极进行高温退火处理后，涂布一层覆盖所述触控电极的有机保护膜；所述步骤4还包括去除所述有机保护膜。所述有机保护膜的材料为聚酰亚胺或光刻胶，厚度为3?5 μ m。所述阵列彩膜基板具体包括下衬底基板、设于所述下衬底基板上的栅极与扫描线、设于栅极、扫描线与下衬底基板上的栅极绝缘层、于所述栅极上方设于栅极绝缘层上的岛状半导体层、设于所述栅极绝缘层上分别接触岛状半导体层两侧的源\漏极、设于所述栅极绝缘层上的数据线、设于所述源\漏极、数据线与栅极绝缘层上的绝缘保护层、设于绝缘保护层上的彩膜光阻、设于所述彩膜光阻上并接触部分源\漏极的像素电极、设于所述像素电极与彩膜光阻上的绝缘层、于所述绝缘层上与像素电极相对设置的梳状公共电极、设于所述绝缘层上的黑色矩阵、设于所述黑色矩阵上的光阻间隔物、以及覆盖所述绝缘层、公共电极、黑色矩阵、与光阻间隔物的下配向膜；所述栅极、岛状半导体层、及源\漏极构成TFT。所述触控电极、像素电极与公共电极的材料为ITO ;所述上衬底基板与下衬底基板均为玻璃基板。本专利技术的有益效果:本专利技术提供的一种IPS型On Cell触控显示面板，其阵列彩膜基板集成了 TFT阵列与彩膜滤光的功能，上基板仅包括衬底基板与配向膜，触控电极设置在上衬底基板远离液晶层一侧的表面上，且触控电极经过高温退火处理，使得触控电极的电阻较低、触控灵敏度较高；本专利技术提供的一种IPS型On Cell触控显示面板的制作方法，在阵列彩膜基板与上基板对组、液晶层形成之前，在上基板的上衬底基板远离液晶层一侧的表面上制本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种IPS型On Cell触控显示面板，其特征在于，包括阵列彩膜基板(1)、与所述阵列彩膜基板(1)相对设置的上基板(3)、夹设于所述阵列彩膜基板(1)与上基板(3)之间的液晶层(5)、及设于所述上基板(3)远离液晶层(5)一侧的触控电极(7)；所述阵列彩膜基板(1)设置有TFT(T)、像素电极(18)、梳状公共电极(20)、与彩膜光阻(17)，集成了TFT阵列与彩膜滤光的功能；所述上基板(3)仅包括上衬底基板(31)、及设于所述上衬底基板(31)靠近液晶层(5)一侧表面上的上配向膜(33)；所述触控电极(7)设于该上衬底基板(3)远离液晶层(5)一侧的表面上，所述触控电极(7)经过高温退火处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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