紧凑型三电平IGCT相模块制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种紧凑型三电平IGCT相模块，属于电力电子技术领域。所述相模块包括：多个功率组件、压装装置和散热组件，多个功率组件包括四个IGCT，两个钳位二极管，两个吸收二极管和两个吸收电容；散热组件包括位于多个功率组件之间的散热器，散热器用于将功率组件产生的热量散发出去；压装装置包括左压板、支撑柱和右压板，压装装置用于将四个IGCT，两个钳位二极管，两个吸收二极管和散热器构成的一整串状结构压装在以左压板、支撑柱和右压板搭建的框架内，串状结构左右对称，两个吸收电容位于串状结构的后部，对称分布于串状结构的左右两侧。本发明专利技术的紧凑型三电平IGCT相模块结构紧凑、杂散电感小，最大限度地提升了相模块的输出能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子
，特别涉及一种紧凑型三电平IGCT (IntegratedGate Commutated Thyrisitor，集成门极换流晶闸管)相模块。
技术介绍
随着半导体器件的迅速发展，以绝缘栅双极晶体管(IGBT)、功率金属氧化物半导体场效应管(Power M0SFET)、集成门极换流晶闸管(IGCT)为代表的大功率全控器件得到急速发展。集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种高效率、可靠性高的电力半导体器件，它由门极关断晶闸管(GT0，Gate Turn-off Thyrisitor)发展而来。IGCT在开通时是一个门极可关断晶闸管(GTO)，而在关断时是一个晶体管，兼具晶体管开关速度快、开关损耗低和晶闸管导通损耗低、阻断电压高、输出电流大的特点，所以它集绝缘栅双极晶体管(IGBT)的高速开关特性和GTO的高阻断电压及低导通损耗特性于一体。目前有两种类型的IGCT半导体器件，逆导型IGCT和非对称型IGCT。中性点钳位(NPC，Electro-magnetic Interference)三电平电路是目前最为成熟的三电平电路，具有结构简单、使用功率器件少本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紧凑型三电平IGCT相模块，包括：多个功率组件，包括四个IGCT，两个钳位二极管，两个吸收二极管和两个吸收电容；散热组件，包括位于所述多个功率组件之间的散热器，所述散热器用于将所述功率组件产生的热量散发出去；压装装置，包括左压板、支撑柱和右压板，所述压装装置用于将所述四个IGCT，所述两个钳位二极管，所述两个吸收二极管和所述散热器构成的一整串状结构压装在以所述左压板、所述支撑柱和所述右压板搭建的框架内，所述串状结构左右对称，两个吸收电容位于所述串状结构的后部，对称分布于所述串状结构的左右两侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯江华，胡家喜，孙保涛，马振宇，刘少奇，周伟军，王婷，罗凌波，朱武，邹扬举，刘建平，南永辉，
申请(专利权)人：南车株洲电力机车研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43