有机电致发光器件及其制备方法技术

一种有机电致发光器件，包括具有阳极图案的导电基板、发光层、阴极层及封装盖，其中，发光层及阴极层依次层叠于导电基板上，封装盖设置于导电基板上，并与导电基板相配合形成一个封闭的收容腔，发光层与阴极层收容于收容腔内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层，无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，碘与氧化物的质量比为15:100～35:100，氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中的一种，有机阻挡层的材料具有如下结构式：其中，k是1～4的整数。上述有机电致发光器件具有较长寿命。此外，还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电发光领域，特别涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在IT0玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层 低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。 0LED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内 人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一 项崭新的照明和显示技术，0LED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由 于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了 0LED的产业化进程，使得 0LED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。 柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前的有机电致发光器件普遍存在 密封性较差的问题，而导致有机电致发光器件的寿命较短。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种寿命较长的。 -种有机电致发光器件，包括具有阳极图案的导电基板、发光层、阴极层及封装 盖，其中，所述发光层及阴极层依次层叠于所述导电基板上，所述封装盖设置于所述导电基 板上，并与所述导电基板相配合形成一个封闭的收容腔，所述发光层与所述阴极层收容于 所述收容腔内，所述封装盖包括无机阻挡层及层叠于所述无机阻挡层的外表面上的有机阻 挡层，所述无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，所述碘与所述氧化 物的质量比为15:100~35:100,所述氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中 的一种，所述有机阻挡层的材料具有如下结构式：其中,k是1~4的整数。 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层和所述有机阻挡层分别为4~6层，且所述 无机阻挡层和所述有机阻挡层交替层叠。 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层的厚度为15纳米~20纳米。 在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的厚度为200纳米~300纳米。 在其中一个实施例中，还包括收容于所述收容腔内的空穴注入层、空穴传输层、电 子传输层及电子注入层，其中，所述空穴注入层层叠于所述导电基板上，所述空穴传输层层 叠于所述空穴注入层上，所述电子传输层层叠于所述发光层上，所述电子注入层层叠于所 述电子传输层上，所述阴极层层叠于所述电子注入层上。 一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤： 在具有阳极图案的导电基板上真空蒸镀制备形成发光层； 在所述发光层上真空蒸镀制备形成阴极层；及 在所述导电基板上制备形成封装盖，且所述封装盖与所述导电基板相配合形成一 个封闭的收容腔，所述发光层与所述阴极层收容于所述收容腔内，其中，所述封装盖包括无 机阻挡层及层叠于所述无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层，所述无机阻挡层由原子沉积 制备形成，所述有机阻挡层由磁控溅射制备形成，所述无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化 物，其中，碘为掺杂元素，所述碘与所述氧化物的质量比为15:100~35:100,所述氧化物为 氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中的一种，所述有机阻挡层的材料具有如下结构 式：其中，k是1~4的整数。 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层和所述有机阻挡层分别为4层~6层，且所 述无机阻挡层和所述有机阻挡层交替层叠。 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为10Pa~ 50Pa、温度为40°C~60°C的条件下，依次注入10ms~20ms三碘甲基物、5s~10s的氮气及 10ms~20ms的水蒸气；其中，三碘甲基物、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm~20sccm，三 碘甲基物选自B(CH2I)3、A1 (CH2I)3、Ga(CH2I)3、In(CH2I)3 及T1 (CH2I)3 中的一种。 在其中一个实施例中，所述磁控溅射制备形成所述有机阻挡层的工艺参数为：本 底真空度1Xl(T5Pa~1Xl(T3Pa，加速电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度 为10W/cm2 ~40W/cm2。 在其中一个实施例中，在所述具有阳极图案的导电基板上制备形成所述发光层之 前，还包括在所述导电基板上制备形成空穴注入层，在所述空穴注入层上制备形成空穴传 输层，所述发光层形成于所述空穴传输层上； 在所述发光层上制备形成所述阴极层之前，还包括在所述发光层上制备形成电 子注入层，在所述电子注入层上制备形成电子注入层，所述阴极层形成于所述电子注入层 上； 所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层收容于所述收容腔内。 上述有机电致发光器件的封装盖包括无机阻挡层和层叠在无机阻挡层的外表 面上的有机阻挡层，且无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，且碘与氧化物的质量比为 15:100~35:100,氧化物为氧化硼、氧化错、氧化镓、氧化铟及氧化铭中的一种，有机阻挡 层的材料为镓的直链烷或铍的直链烷，上述材料的无机阻挡层和有机阻挡层能够有效地减 少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的内部的结构的侵蚀，从而有效地保护了有 机电致发光器件的内部材料及电极，使得有机电致发光器件具有很好的密封性能，从而显 著地提高了有机电致发光器件的寿命，且上述有机电致发光器件的寿命达到10700小时以 上（T70@1000cd/m2)。【附图说明】 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图； 图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图。【具体实施方式】 下面主要结合附图及具体实施例对作进一步详 细的说明。 如图1所不，一实施方式的有机电致发光器件100,包括具有阳极图案的导电基板 110、发光层120、阴极层130及封装盖140。 其中，导电基板110的材质为导电玻璃或导电有机薄膜。导电玻璃可以为铟锡氧 化物玻璃（IT0)、掺铝的氧化锌玻璃（AZ0)及掺铟的氧化锌玻璃（IZ0)中的一种；更优选为 铟锡氧化物玻璃（IT0)。导电有机薄膜可以为铟锡氧化物薄膜（IT0)、掺铝的氧化锌薄膜 (AZ0)及掺铟的氧化锌薄膜（IZ0)中的一种；更优选为铟锡氧化物薄膜（IT0)。 其中，发光层120的材料可以为本领域常用的发光材料。在具体的实施例中，发光 层120的材料为三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)掺杂的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪 唑-2-基）苯（TPBI)，且三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯（TPBI)的质量比为1:20。其中，发光层120的厚度为20纳米。 其中，阴极层130的材料可以为金属材料。在具体的实施例中，阴极层130的材料 为铝。阴极层130的厚度为100纳米。 封装盖140设置于导电基板110上，并与导电基板110相配合形成一个封闭的收 容腔200。发光层120与阴极层130收容于收容腔200内。封装盖140包括无机阻挡层142 及层叠于无机阻挡层142的外表面上的有机阻挡层144。设置无机阻挡层142和有机阻挡 层144是利用无机阻挡层142的阻隔性能和有机阻挡层144的应力缓冲作用。无机阻挡 层142的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，且碘与氧化物的质量比为15:100~ 35:100,氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括具有阳极图案的导电基板、发光层、阴极层及封装盖，其中，所述发光层及阴极层依次层叠于所述导电基板上，所述封装盖设置于所述导电基板上，并与所述导电基板相配合形成一个封闭的收容腔，所述发光层与所述阴极层收容于所述收容腔内，所述封装盖包括无机阻挡层及层叠于所述无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层，所述无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，所述碘与所述氧化物的质量比为15:100～35:100，所述氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中的一种，所述有机阻挡层的材料具有如下结构式：其中，k是1～4的整数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，钟铁涛，王平，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44