一种ZnCuNO/ZnCoLiO多铁性磁电耦合同质PN结及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于材料合成技术领域，具体公开了一种ZnCuNO/ZnCoLiO多铁性磁电耦合同质PN结及其制备方法和应用；所述同质PN结包括沉积于n-Si(111)衬底基体上的ZnO缓冲层、沉积于ZnO缓冲层上的p型ZnCuNO铁磁层、沉积于ZnCuNO铁磁层上的n型ZnCoLiO铁电层、顶层电极层和底层电极层；该磁电耦合同质PN结与Si具有良好的晶格匹配性，且具有良好的铁电性和铁磁性以及磁电耦合特性，具有电荷、自旋两个自由度，可以通过外加电场和磁场对它们分别进行控制，用来设计研制三进制或四进制存储器件，实现信息的高密度存储，在新型高密度存储器领域具有重大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料合成
，更具体地，涉及一种ZnCuNO/ZnCoL1多铁性磁电耦合同质PN结及其制备方法和应用。
技术介绍
多铁性综合了铁磁性和铁电性两种基本物理性能，是近年来备受关注的信息功能材料。众所周知，铁电性通过铁电晶体中原子位移形成的自发极化实现数字信息的存储；与此相对，铁磁性通过铁磁材料中电子自旋的有序排列实现信息的存储。多铁性则是指兼有铁电，铁磁两种特性，是设计新型高密度存储器的物理基础。与普通存储材料相比，多铁性材料具有以下特点:(1)铁电、铁磁二性共存，电荷有序与自旋有序存在较强关联耦合；(2)电子自旋排列受电极化矢量的影响，因此磁信息的写读不必依赖于外加磁场，可直接通过适当的固体电子线路的电场来实现，从而提高数据存取的速率；(3)多铁性材料具有电荷、自旋两个自由度，通过外加电场和磁场对它们分别进行控制，可用来设计研制三进制或四进制存储器件，实现信息的高密度存储。多铁性材料的上述优点使得其受到材料界、固体电子学界的高度重视。多铁性材料主要是一些锰酸盐(如BiMnO3)和铁酸盐(如BiFeO3),然而，大部分多铁性材料都呈钙钛矿结构，与半导体材料的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ZnCuNO/ZnCoLiO多铁性磁电耦合同质PN结，包括顶层电极层和底层电极层，其特征在于，还包括沉积于n‑Si(111)衬底基体上的ZnO缓冲层、沉积于ZnO缓冲层上的p型ZnCuNO铁磁层、沉积于ZnCuNO铁磁层上的n型ZnCoLiO铁电层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹长伟，邵乐喜，王佳，梁枫，
申请(专利权)人：岭南师范学院，
类型：发明
国别省市：广东;44