有机发光装置制造方法及图纸

有机发光装置包括第一电极、面对该第一电极的第二电极、和布置在该第一电极与该第二电极之间的发光层；布置在该发光层与该第二电极之间的电子传输区；以及布置在该第一电极与该发光层之间的空穴传输区，其中上述电子传输区包含由下式1表示的电子传输材料中的至少一种；并且上述空穴传输区包含由下式2或3表示的空穴传输材料中的至少一种。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年2月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0019691号的优先权和利益，其公开内容通过引用整体并入本文。
下列描述涉及有机发光装置。
技术介绍
有机发光装置为自发射装置，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及优异的亮度、驱动电压和响应速度特征；并且产生全色图像。有机发光装置可包括布置在基板上的第一电极、以及顺序布置在第一电极上的空穴传输区、发光层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可穿过空穴传输区向发光层移动，并且由第二电极提供的电子可穿过电子传输区向发光层移动。诸如空穴和电子的载流子在发光层中复合而产生激子。这些激子从激发态转变为基态，从而产生光。
技术实现思路
本专利技术的一个或多个实施方式的方面涉及有机发光装置。另外的方面将在下面的描述中部分列出并且在某种程度上会由于该描述而显而易见，或者可通过实施本专利技术的实施方式而了解。根据本专利技术的一个或多个实施方式，有机发光装置包括第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区；以及在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区，其中所述电子传输区包含由下式1表示的电子传输材料中的至少一种，并且所述空穴传输区包含由下式2或3表示的空穴传输材料中的至少一种：式1式2式3其中在式1至3中，X11、X12和X13可各自独立地为CH或N；X11、X12和X13中的至少一个可为N；L11、L12和L21至L23可各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团；n11、n12和n21至n23可各自独立地为选自0至3的整数；n11和n12的和为1或更大；R11至R13、R21至R24、R31、R32、R34和R35可各自独立地选自：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基(arythio)、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团；a13可为选自1至3的整数；R25至R28可各自独立地选自氢原子、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-N(Q1)(Q2)、-Si(Q3)(Q4)(Q5)和-B(Q6)(Q7)；a25和a27可各自独立地为选自1至3的整数；a26和a28可各自独立地为选自1至4的整数；所述取代的C3-C10亚环烷基、所述取代的C1-C10亚杂环烷基、所述取代的C3-C10亚环烯基、所述取代的C1-C10亚杂环烯基、所述取代的C6-C60亚芳基、所述取代的C1-C60亚杂芳基、所述取代的二价非芳族稠合多环基团、所述取代的二价非芳族稠合杂多环基团、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C6-C60芳氧基、所述取代的C6-C60芳硫基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团、所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团、所述取代的C1-C60烷基、所述取代的C2-C60烯基、所述取代的C2-C60炔基和所述取代的C1-C60烷氧基中的至少一个取代基选自：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-N(Q11)(Q12)、-Si(Q13)(Q14)(Q15)和-B(Q16)(Q17)；C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机发光装置，包含：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区；以及在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区，其中所述电子传输区包含由下式1表示的电子传输材料中的至少一种；并且所述空穴传输区包含由下式2或3表示的空穴传输材料中的至少一种：式1式2式3其中在式1至3中，X11、X12和X13各自独立地为CH或N；X11、X12和X13中的至少一个为N；L11、L12和L21至L23各自独立地选自取代或未取代的C3‑C10亚环烷基、取代或未取代的C1‑C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3‑C10亚环烯基、取代或未取代的C1‑C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6‑C60亚芳基、取代或未取代的C1‑C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团；n11、n12和n21至n23各自独立地为选自0至3整数；n11和n12的和为1或更大；R11至R13、R21至R24、R31、R32、R34和R35各自独立地选自：氢、氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1‑C60烷基、取代或未取代的C2‑C60烯基、取代或未取代的C2‑C60炔基、取代或未取代的C1‑C60烷氧基、取代或未取代的C3‑C10环烷基、取代或未取代的C1‑C10杂环烷基、取代或未取代的C3‑C10环烯基、取代或未取代的C1‑C10杂环烯基、取代或未取代的C6‑C60芳基、取代或未取代的C6‑C60芳氧基、取代或未取代的C6‑C60芳硫基、取代或未取代的C1‑C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团；a13为选自1至3的整数；R25至R28各自独立地选自氢、氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1‑C60烷基、取代或未取代的C2‑C60烯基、取代或未取代的C2‑C60炔基、取代或未取代的C1‑C60烷氧基、取代或未取代的C3‑C10环烷基、取代或未取代的C1‑C10杂环烷基、取代或未取代的C3‑C10环烯基、取代或未取代的C1‑C10杂环烯基、取代或未取代的C6‑C60芳基、取代或未取代的C6‑C60芳氧基、取代或未取代的C6‑C60芳硫基、取代或未取代的C1‑C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、‑N(Q1)(Q2)、‑Si(Q3)(Q4)(Q5)和‑B(Q6)(Q7)；a25和a27各自独立地为选自1至3的整数；a26和a28各自独立地为选自1至4的整数；所述取代的C3‑C10亚环烷基、所述取代的C1‑C10亚杂环烷基、所述取代的C3‑C10亚环烯基、所述取代的C1‑C10亚杂环烯基、所述取代的C6‑C60亚芳基、所述取代的C1‑C60亚杂芳基、所述取代的二价非芳族稠合多环基团、所述取代的二价非芳族稠合杂多环基团、所述取代的C3‑C10环烷基、所述取代的C1‑C10杂环烷基、所述取代的C3‑C10环烯基、所述取代的C1‑C10杂环烯基、所述取代的C6‑C60芳基、所述取代的C6‑C60芳氧基、所述取代的C6‑C60芳硫基、所述取代的C1‑C60杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团、所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团、所述取代的C1‑C60烷基、所述取代的C2‑C60烯基、所述取代的C2‑C60炔基和所述取代的C1‑C60烷氧基中的至少一个取代基选自：氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基和C1‑C60烷氧基；各自被选自以下的至少一个取代的C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基和C1‑C60烷氧基：氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C3‑C10环烷基、C2‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、‑N(Q11)(Q12)、‑Si(Q13)(Q14)(Q15)和‑B(Q16)(Q17)；C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；各...

【技术特征摘要】
2014.02.20 KR 10-2014-00196911.有机发光装置，包含：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；
在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；
在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区；以及
在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区，
其中所述电子传输区包含由下式1表示的电子传输材料中的至少一种；并且
所述空穴传输区包含由下式2或3表示的空穴传输材料中的至少一种：
式1
式2
式3
其中在式1至3中，
X11、X12和X13各自独立地为CH或N；
X11、X12和X13中的至少一个为N；
L11、L12和L21至L23各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未

\t取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代
或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团；
n11、n12和n21至n23各自独立地为选自0至3整数；
n11和n12的和为1或更大；
R11至R13、R21至R24、R31、R32、R34和R35各自独立地选自：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸
基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取
代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代
或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取
代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、
取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基
团；
a13为选自1至3的整数；
R25至R28各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、
脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代或未取代的
C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取
代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、
取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的
C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或
未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的
单价非芳族稠合杂多环基团、-N(Q1)(Q2)、-Si(Q3)(Q4)(Q5)和-B(Q6)(Q7)；
a25和a27各自独立地为选自1至3的整数；
a26和a28各自独立地为选自1至4的整数；
所述取代的C3-C10亚环烷基、所述取代的C1-C10亚杂环烷基、所述取代的C3-C10亚环烯基、所述取代的C1-C10亚杂环烯基、所述取代的C6-C60亚芳基、所述取代的C1-C60亚杂芳基、所述取代的二价非芳族稠合多环基团、所述取代的二价非芳族稠合杂多环
基团、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环
烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C6-C60芳氧
基、所述取代的C6-C60芳硫基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳族稠
合多环基团、所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团、所述取代的C1-C60烷基、所述

\t取代的C2-C60烯基、所述取代的C2-C60炔基和所述取代的C1-C60烷氧基中的至少一个
取代基选自：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或
其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸
基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C3-C10环烷基、C2-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、
单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-N(Q11)(Q12)、-Si(Q13)(Q14)(Q15)
和-B(Q16)(Q17)；
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、
C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族
稠合杂多环基团；
各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯
基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单
价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、
氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其
盐、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂
环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、
C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-N(Q21)(Q22)、
-Si(Q23)(Q24)(Q25)和-B(Q26)(Q27)；以及
-N(Q31)(Q32)、-Si(Q33)(Q34)(Q35)和-B(Q36)(Q37)；并且
Q1至Q7、Q11至Q17、Q21至Q27和Q31至Q37各自独立地选自氢、C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中
X11和X13中的每一个为N，且X12为CH。
3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中
X12和X13中的每一个为N，且X11为CH。
4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中
X12为N，且X11和X13中的每一个为CH。
5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中
L11、L12和L21至L23各自独立地选自：
亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚
苊基、亚芴基、螺-亚芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽
基、亚萤蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊
芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚吡咯基、亚噻
吩基、亚呋喃基、亚噻咯基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑
基、亚异噁唑基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚异吲哚基、亚吲哚
基、亚吲唑基、亚嘌呤基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘
啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚咔唑基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲
咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚苯并噻咯基、
亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚噁二唑基、亚三嗪基、亚
二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基和亚二苯并噻咯基；
以及
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明淑，金成昱，金在弘，黄珍秀，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR