一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用ZnS作为溅射靶材，采用m面蓝宝石作为衬底；清洗靶材和衬底，将靶材和衬底分别固定在靶台和样品台上装入真空室，并抽真空至真空度为5×10-4Pa以下；设定衬底温度为400-700℃；开启氧气阀，使真空室内的氧压稳定在0.02-5Pa；设定激光器的激光脉冲能量、激光脉冲频率和激光脉冲个数；启动靶台和样品台的自转，开启激光器，激光预溅射靶材2-3分钟后开始沉积，沉积完成后关闭激光器；让沉积的薄膜自然冷却至室温后再取出真空室。本发明专利技术的有益效果：制备工艺简单，所需设备要求低，且制备方法易于控制。

【技术实现步骤摘要】
一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法
本专利技术涉及ZnOS薄膜
，具体而言，涉及一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法。
技术介绍
ZnO作为新一代宽禁带半导体，在紫外光探测器、透明电极、表面声波器件、传感器等方面都有着广泛的应用。ZnO的能带工程一直是研究的热点。2004年B.K.Meyer等用反应溅射法在玻璃和c面蓝宝石上沉积得到c轴取向的极性面ZnOS薄膜，并得到ZnOS带隙随S含量呈二次曲线变化。对于极性面ZnOS的生长技术如PLD方法在近年来已日趋成熟。近年来，非极性面ZnO基半导体由于其克服了斯塔克效应，能大大提高量子阱的内量子效率而成为研究热点，而m面ZnO由于其生长过程中易出现(),(0002),()等杂相而使得其研究得到限制。对于m面ZnOS三元合金薄膜，想要对其做进一步研究，首要工作是实现单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的制备，目前对于单相外延m面ZnOS薄膜尚没有可参考的制备技术。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种工艺简单、成本低、设备要求低的生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法。本专利技术提供了一种生长单相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1，采用ZnS作为溅射靶材，采用m面蓝宝石作为衬底；步骤2，清洗靶材和衬底，将所述靶材和所述衬底分别固定在靶台和样品台上装入真空室，调整所述样品台和所述靶台的间距，并开启真空泵抽真空至真空度为5×10‑4Pa以下；步骤3，开启衬底加热器将衬底升温，调节生长温度为400‑700℃；步骤4，通入氧气，调整氧压为0.02‑5Pa；步骤5，开启激光器，设定激光器的激光脉冲频率为5Hz，设定激光脉冲能量为350mJ/pulse；步骤6，启动所述靶台和所述样品台的自转，开启所述激光器，激光溅射靶材2‑3分钟，旋开样品台的挡...

【技术特征摘要】
1.一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1，采用ZnS作为溅射靶材，采用m面蓝宝石作为衬底；步骤2，清洗靶材和衬底，将所述靶材和所述衬底分别固定在靶台和样品台上装入真空室，调整所述样品台和所述靶台的间距，并开启真空泵抽真空至真空度为5×10-4Pa；步骤3，开启衬底加热器将衬底升温，调节生长温度为400-700℃；步骤4，通入氧气，调整氧压为0.02-5Pa；步骤5，开启激光器，设定激光器的激光脉冲频率为5Hz，设定激光脉冲能量为350mJ/puls...

【专利技术属性】
技术研发人员：何云斌，黎明锴，丁雅丽，张蕾，尚勋忠，常钢，李派，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42