【技术实现步骤摘要】
本技术属于医疗器械
技术介绍
在医疗X光射线系统中，整机的干扰、地线的扰动、系统的电位差等一系列问题，对驱动高压MOSFET管可靠性有了更加严格的要求，高压MOSFET管关断的不彻底导致器件损坏事件屡屡发生。
技术实现思路
专利技术目的:本方案采用磁耦合驱动，为在复杂的医疗X光射线系统环境下驱动高压MOSFET管提供了一种新的思路。本专利技术所采用的的技术方案:本电路由Ul光耦芯片、推挽电路、隔离变压器、保护电路、高压MOSFET管组成，其特征在于:驱动脉冲通过Ul光耦芯片隔离驱动Ql和Q2组成的推挽电路产生脉冲波形，脉冲波形经过Tl隔离变压器进行隔离驱动，经过保护电路VDl和VD2驱动高压MOSFET管Q3，实现驱动整个过程，从而实现全功能。本方案的技术效果是:在复杂的医疗X光射线系统中能有效的提高驱动高压MOSFET管可靠性、安全性，能满足在复杂环境下对高压MOSFET管驱动要求。【附图说明】图1为一种磁耦合驱动电路的原理图。【具体实施方式】本电路由Ul光耦芯片(1)、推挽电路(2)、隔离变压器(3)、保护电路(4)、高压MOSFET管(5)组成，其特征在于:驱动脉冲通过Ul光耦芯片(I)隔离驱动Ql和Q2组成的推挽电路(2)产生脉冲波形，脉冲波形经过Tl隔离变压器(3)进行隔离驱动，经过保护电路(4) VDl和VD2驱动高压MOSFET管Q3 (5)，实现驱动整个过程，从而实现全功能。其优点是:由于采用了隔离变压器隔离高低压，具有无延时、抗干扰等性能，推挽电路更具有反向钳制作用，保证通断彻底，电路可靠。【主权项】1.一种磁耦合驱动...
【技术保护点】
一种磁耦合驱动电路，由U1光耦芯片（1）、推挽电路（2）、隔离变压器（3）、保护电路（4）、高压MOSFET管（5）组成，其特征在于：驱动脉冲通过U1光耦芯片（1）隔离驱动Q1和Q2组成的推挽电路（2）产生脉冲波形，脉冲波形经过T1隔离变压器（3）进行隔离驱动，经过保护电路（4）VD1和VD2驱动高压MOSFET管Q3（5），实现驱动整个过程，从而实现全功能。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘金虎，陈振华，
申请(专利权)人：南京普爱射线影像设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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