本发明专利技术公开了一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路，包括负阻G、电容C1、电容C2、电感L、二极管对；其中负阻G的正、负极端分别与电容C1的正、负极端相连构成有源RC振荡电路；电感L与C2并联构成LC振荡电路；二极管对桥接在LC振荡电路与有源RC振荡电路之间。本发明专利技术的桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路通过调节电路参数即可产生双涡卷及分岔共存的单涡卷混沌吸引子，使其成为了一类简易蔡氏混沌电路，对于混沌系统的发展起到较大的推进作用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混浊电路的实现与方法，采用无源 LC振荡电路与有源RC振荡电路之间桥接二极管对方法，从而设计了一种简易蔡氏混浊电 路。
技术介绍
混浊理论是过去五十年来蓬勃发展起来的一口学科。混浊现象无处不在，它几乎 渗透到人类社会中每个角落。大量的研究表明，混浊在生物工程、力学工程、电子工程、数据 加密、保密通信、电力电网动态分析和保护等领域存在着广阔的应用前景。早期的混浊系统 生成模型，如Lorenz大气端流方程、Logistic虫口模型、蔡氏混浊电路等。总体来说，混浊 电路物理实现的简单性及其所产生吸引子拓扑结构的复杂性是开展混浊电路研究的两个 重要方向。蔡氏电路是一个十分简单的非线性混浊电路，它是W美国加州大学伯克利分校 的华裔科学家蔡少棠的姓命名的。蔡氏电路拓扑结构：主要由一个电感、两个电容、一个线 性电阻和一个非线性电阻组成，结构简单，却能产生复杂的混浊的特性，因此在混浊领域中 成为研究的主要对象。 目前蔡氏电路主要包括经典蔡氏电路、改进型蔡氏电路、规范式蔡氏电路。其中蔡 氏二极管是一个具有分段线性函数形式的非线性负电阻，在蔡氏电路产生混浊吸引子中起 到关键作用。因此，本专利技术对分段线性函数的作用机理进行分析，进而提出采用二极管对实 现分段线性作用，设计一种桥接二极管实现的简易蔡氏混浊电路，从而对简化蔡氏混浊电 路，实现混浊的应用研究起到推动作用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种桥接二极管对实现简易蔡氏混浊电 路的方法，电路采用无源LC振荡电路与有源RC振荡电路之间桥接二极管对禪合，从而实现 一种新型蔡氏混浊电路，该广义忆阻器无接地限制，电路结构简单、且易于电路实现。 为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混浊电 路，其结构如下： 一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混浊电路，包括负阻-G、电容Cl、电容C2、电感 L、二极管对；其中负阻-G的正、负极端分别与电容Cl的正、负极端相连（分别记做a、b端） 构成有源RC滤波器；电感L的一端与C2的正极端相连（记做C端）；电感L的另一端与C2 的负极端相连（记做d端）；电感L与C2并联构成LC滤波器；二极管对桥接在a端与C端 之间。所述二极管对包括；二极管〇1、二极管〇2;其中二极管D1的负极端与二极管D2正极 端相连；二极管Di的正极端与二极管D2负极端相连。负阻-G的实现电路包括加法器、电阻 Ri、电阻R2、电阻R，其中加法器的正极输入端和负极输入端分别与电阻Ri和电阻R2的一端 相连（分别记做e、f端）；加法器的输出端分别与电阻Ri和电阻R2的另一端相连（记做g 端）；电阻R的一端与e端相连，另一端与b端相连。b端接地。 本专利技术设计的蔡氏混浊电路含有S个状态变量，分别为电容Cl两端电压V1，电容 C2两端电压V2,流过电感L电流i^。[000引本专利技术的有益效果如下： 本专利技术的一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混浊电路通过调节电路参数即可产 生双祸卷及分岔共存的单祸卷混浊吸引子，使其成为了一类简易的蔡氏混浊电路，对于混 浊系统的发展起到较大的推进作用。【附图说明】 为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据的具体实施例并结合附图， 对本专利技术作进一步详细的说明，其中； 图1桥接二极管对实现的简易蔡氏混浊电路； 图2(a)电路元件参数R= 1.55kQ时，简易蔡氏混浊电路在V1-V2平面上的相轨 图； 图2化）电路元件参数R= 1.90kQ时，简易蔡氏混浊电路在V1-V2平面上的相轨 图； 图2(c)电路元件参数R=2.15kQ时，简易蔡氏混浊电路在V1-V2平面上的相轨 图； 图2(d)电路元件参数R= 2.35kQ时，简易蔡氏混浊电路在V1-V2平面上的相轨 图； 图3(a)R= 1. 5化Q时，实验测量得到V1-V2平面上的相轨图； 图3化)R= 1. 9化〇时，实验测量得到V1-V2平面上的相轨图；[001引图3(c)R= 2.巧kQ时，实验测量得到V1-V2平面上的相轨图； 图3(d)R= 2. 3化Q时，实验测量得到V1-V2平面上的相轨图； 图4电路元件参数R变化时，状态变量Vi的分岔图； 图5电路元件参数R变化时的李雅普诺夫指数谱；【具体实施方式】 数学建模：图1所示电路中所述的二极管Dk的本构关系可描述为 /,;=/、.(>心'-1) (1) 其中，k= 1，2,P=l/(nVT)，Vk和ik分别表示通过二极管桥Dk的电压和电流， Is, n和Vt分别表示二极管反向饱和电流、发射系数和热电压。 根据图1所示电路，利用基尔霍夫电压和电流定律及电路元件的本构关系可得：【主权项】1. 一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路，其特征在于：包括负阻G、电容Ci、电 容C2、电感L和二极管对；其中负阻G的正、负极端分别与电容C1的正、负极端相连构成有 源RC振荡电路；电感L与(：2并联构成LC振荡电路；二极管对桥接在LC振荡电路与有源RC 振荡电路之间。2. 根据权利要求1所述的一种桥二极管对实现的简易蔡氏混沌电路，其特征在于：所 述二极管对包括：二极管D1和二极管D2构成简单的非线性组件；其中二极管D1的负极端与 二极管D2正极端相连；二极管Di的正极端与二极管D2负极端相连，分别记为a和b。3. 根据权利要求1所述的一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路，其特征在于： 所述负阻G的实现电路包括加法器、电阻R1、电阻R2、电阻R，其中加法器的正极输入端和负 极输入端分别与电阻R1和电阻R2的一端相连，加法器的输出端分别与电阻R1和电阻R2的 另一端相连，电阻R的一端与加法器的负极输入端相连，另一端与所述c端相连。4. 根据权利要求1或2或3所述的一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路，其特 征在于：含有三个状态变量，分别为电容C1两端电压Vi，电容C2两端电压V2，流过电感L电 流1l。【专利摘要】本专利技术公开了一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路，包括负阻G、电容C1、电容C2、电感L、二极管对；其中负阻G的正、负极端分别与电容C1的正、负极端相连构成有源RC振荡电路；电感L与C2并联构成LC振荡电路；二极管对桥接在LC振荡电路与有源RC振荡电路之间。本专利技术的桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路通过调节电路参数即可产生双涡卷及分岔共存的单涡卷混沌吸引子，使其成为了一类简易蔡氏混沌电路，对于混沌系统的发展起到较大的推进作用。【IPC分类】H03H1-02【公开号】CN104821797【申请号】CN201510179801【专利技术人】徐权, 林毅, 包伯成, 陈墨, 王将 【申请人】常州大学【公开日】2015年8月5日【申请日】2015年4月15日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种桥接二极管对实现的简易蔡氏混沌电路，其特征在于：包括负阻G、电容C1、电容C2、电感L和二极管对；其中负阻G的正、负极端分别与电容C1的正、负极端相连构成有源RC振荡电路；电感L与C2并联构成LC振荡电路；二极管对桥接在LC振荡电路与有源RC振荡电路之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐权，林毅，包伯成，陈墨，王将，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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