有机发光显示设备制造技术

一种有机发光显示设备，具有能够在形成绝缘层(例如，像素限定层)期间减少缺陷的结构。有机发光显示设备包括：基板，具有显示区和围绕显示区的外围区；位于基板的外围区上的台阶形成层；位于基板上横跨显示区和外围区的绝缘层，其中绝缘层的通过覆盖台阶形成层而对应于台阶形成层的部分的顶面高于绝缘层的剩余部分的顶面；以及位于绝缘层上的第一导电层，第一导电层的端部接近于绝缘层的对应于台阶形成层的部分。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 有机发光显TF设备相关申请的交叉引用本申请要求2014年2月5日递交韩国知识产权局的韩国专利申请N0.10-2014-0013314的优先权和权益，其公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术的一个或多个实施例涉及有机发光显示设备。
技术介绍
通常，有机发光显示设备包括多个有机发光器件，每个有机发光器件包括像素电极、对电极和中间层，中间层被插入在像素电极和对电极之间。中间层包括发射层。在这种有机发光显示设备中，像素电极被布置为相互间隔开，然而对电极相对于多个有机发光器件被形成为单体。此外，对电极与显示区外的电极电源线相接触，并且接收预设的电信号。然而，在这种可比较的有机发光显示设备的制造工艺中，在形成电极电源线之后，并且在用于形成绝缘层(例如，像素限定层)的材料被涂敷在电极电源线上以形成绝缘层时，由于下面的电极电源线，形成绝缘层的材料可能不是被平滑地涂敷。
技术实现思路
根据本专利技术的一个或多个实施例的各方面针对有机发光显示设备，其具有能够在形成绝缘层(例如，像素限定层)期间减少缺陷的结构。另外的方面被部分地阐明在随后的描述中，并且部分地根据这些描述显而易见，或者可以通过实践所呈现的实施例而获知。根据本专利技术的一个或多个实施例，有机发光显示设备包括:基板，具有显示区和围绕所述显示区的外围区；台阶形成层，位于所述基板的外围区上；绝缘层，位于所述基板上并且位于所述显示区和所述外围区的上方，其中所述绝缘层的通过覆盖所述台阶形成层而对应于所述台阶形成层的部分的顶面高于所述绝缘层的剩余部分的顶面；以及第一导电层，位于所述绝缘层的剩余部分上，所述第一导电层的端部接近于所述绝缘层的对应于所述台阶形成层的部分。所述基板的顶面和所述第一导电层的所述端部的顶面之间的距离，可以小于或等于所述基板的顶面和所述绝缘层的对应于所述台阶形成层的部分的顶面之间的距离，所述第一导电层的所述端部是所述第一导电层的朝向所述基板的边缘的一部分。所述第一导电层具有多层结构，并且构成最上层之下的层的材料的蚀刻速率可以高于构成所述最上层的材料的蚀刻速率。所述第一导电层可以包括第一钛层、位于所述第一钛层上的铝层和位于所述铝层上的第二钛层。所述基板的顶面和所述第一导电层的所述端部的顶面之间的距离，可以等于所述基板的顶面和所述绝缘层的对应于所述台阶形成层的部分的顶面之间的距离，所述第一导电层的所述端部是所述第一导电层的朝向所述基板的边缘的一部分。所述台阶形成层的厚度可以等于或大于所述第一导电层的厚度。所述台阶形成层可以包括第一台阶形成层和第二台阶形成层。所述第一导电层的所述端部的面向所述台阶形成层的侧表面可以与所述绝缘层相接触。所述绝缘层可以包括对应于所述第一导电层的所述端部的沟槽或孔，并且所述第一导电层的所述端部可以位于所述绝缘层的沟槽或孔中。所述有机发光显示设备可以进一步包括第二导电层，所述第二导电层位于所述基板和所述绝缘层之间，并且至少部分被所述绝缘层的沟槽或孔暴露，其中所述第一导电层的所述端部可以与所述第二导电层相接触。此外，所述第二导电层延伸至所述台阶形成层之下。所述台阶形成层可以具有沿着所述基板的边缘侧延伸的形状，并且所述第一导电层也可以具有沿着所述基板的边缘侧延伸的形状。所述基板可以具有有长边和短边的矩形形状，并且所述基板的边缘侧可以是所述长边。所述台阶形成层可以被形成在沿着所述基板的边缘侧的多个位置处，并且所述第一导电层可以具有沿着所述基板的边缘侧延伸的形状。此外，所述基板可以具有有长边和短边的矩形形状，并且所述基板的边缘侧可以是所述长边。【附图说明】这些和/或其它方面将从以下结合附图考虑的对实施例的描述中变得明显并且更易于理解，附图中:图1是根据本专利技术实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；图2和图3是根据比较性实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；图4是根据本专利技术另一实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；图5是根据本专利技术另一实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；图6是根据本专利技术另一实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；图7是根据本专利技术另一实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；以及图8是示出根据本专利技术另一实施例的有机发光显示设备的制造期间的操作的示意性俯视图。【具体实施方式】现在将详细参考实施例，实施例的例子示于附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就这一点而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里所阐明的描述。因此，以下仅仅通过参考附图来描述实施例，以解释本描述的各个方面。这里所使用的词语“和/或”包括所列出的相关联项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。另外，在描述本专利技术的实施例时，“可以”的使用涉及“本专利技术的一个或多个实施例”。可以理解的是，在层、区域或部件被称为“形成在另一层、区域或部件之上”时，其可以被直接或间接地形成在其他层、区域或部件之上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或部件。为了便于解释，附图中元件的大小可能被放大。换句话说，因为为了便于解释附图中部件的大小和厚度是任意示出的，所以其后的实施例并不限于此。另外，在第一元件被描述为“联接”或“连接”至第二元件时，第一元件可以直接联接或连接至第二元件；或者第一元件可以间接联接或连接至第二元件，其中一个或多个中间元件插入第一元件和第二元件之间。在下面的示例中，X轴、y轴和z轴并不限于直角坐标系中的三个轴，而是可以以更广泛的意义来解释。例如，X轴、y轴和Z轴可以互相垂直，或者可以表示互相不垂直的不同方向。图1是根据本专利技术实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图。 根据本专利技术实施例的有机发光显示设备包括基板110，其包括显示区DA和外围区PA，外围区PA是显示区DA外部的非显示区。基板110可以由各种适合的材料中的任何任意材料形成，诸如玻璃材料、金属或塑料材料。多个薄膜晶体管TFTl被布置在基板110的显示区DA，电联接(例如，连接)至多个薄膜晶体管TFTl的有机发光器件可以被布置在显示区DA中。有机发光器件至多个薄膜晶体管TFTl的电联接或连接可以被理解为多个像素电极210电联接或连接至多个薄膜晶体管TFTl。如果需要的话，薄膜晶体管TFT2可以被布置在基板110的外围区PA。薄膜晶体管TFT2可以是对施加到显示区DA中的电信号进行控制的电路单元的一部分。薄膜晶体管TFTl或薄膜晶体管TFT2可以包括:半导体层130、栅电极150和源电极/漏电极170，半导体层130包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。由氧化硅或氮化硅形成、用于平坦化基板110的顶面和/或用于减少或防止杂质渗入半导体层130中的缓冲层120位于基板110上。半导体层130可以位于缓冲层120上。栅电极150位于半导体层130上，在半导体层130处，源电极170和漏电极170根据施加至栅电极150的信号而互相电通信。考虑到相对于邻近层的粘合性、其上堆叠有栅电极150的表面的表面平整度以及可加工性，栅电极150可以被形成为单层或多层，包含从例如铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(N当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示设备包括：基板，具有显示区和围绕所述显示区的外围区；台阶形成层，位于所述基板的外围区上；绝缘层，位于所述基板上并且位于所述显示区和所述外围区的上方，其中所述绝缘层的通过覆盖所述台阶形成层而对应于所述台阶形成层的部分的顶面高于所述绝缘层的剩余部分的顶面；以及第一导电层，位于所述绝缘层的剩余部分上，所述第一导电层的端部接近于所述绝缘层的对应于所述台阶形成层的部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高在庆，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR