一种半金属哈斯勒合金Co2FeAl纳米线的制备方法及其用途技术

本发明专利技术提出了一种半金属哈斯勒合金Co2FeAl纳米线的制备方法，先用湿化学法制备得到Co2FeAl哈斯勒合金颗粒，再用该合金颗粒在纯度为99.99％的Ar气保护下，在真空管式炉内生长为Co2FeAl哈斯勒合金纳米线。采用本发明专利技术方法制备出的Co2FeAl纳米线具有高自旋极化率和高居里温度，将制备得到的Co2FeAl纳米线应用于自旋阀多层膜结构以及自旋电子的检测，能够获得更高的磁电阻效应，满足高灵敏度和存储密度的磁传感器和磁存储器的使用要求；且本发明专利技术方法不需要大型仪器设备、也无需控制难以精确控制的复杂工艺参数，因此该方法制备工艺简单、成本低、效率高，且制备得到的Co2FeAl纳米线结构良好、重复性好，便于规模化制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁性材料
，具体地说，本专利技术涉及一种半金属Heusler (哈斯勒)合金材料，更具体的说，本专利技术涉及一种半金属哈斯勒合金Co2FeAl纳米线的制备方法及其用途。
技术介绍
电子具有电荷和自旋两个内禀属性，以往的研宄只是涉及利用了电子的电荷特性，近些年来，随着自旋电子学的发展，人们发现稀磁半导体能够同时利用电子的电荷和自旋来进行信息的处理和存储。但关键问题是自旋极化电子注入到半导体材料中的效率很低。因此，从材料研宄者角度讲，搜寻这种单一自旋的材料或者具有高自旋极化率的材料显得尤为重要。其中一类最为重要的材料是所谓的“半金属材料”，半金属是一种自旋取向的电子(设定为自旋向上的电子)的能带结构呈现金属性，即Fermi面处于导带中，具有金属的行为；而另一自旋取向的电子(设定为自旋向下的电子)呈现绝缘体性质或半导体性质，所以半金属材料是以两种自旋电子的行为不同(即金属性和非金属性)为特征的新型功能材料。因为半金属这种特殊的能带结构，使得半金属(half-metallic)铁磁体有着较高的居里温度和理论上接近100 %的高自旋极化率。因此，半金属成为众多研宄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半金属哈斯勒合金Co2FeAl纳米线的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤一：制备催化Co2FeAl哈斯勒合金颗粒用催化剂：取1cm×1cm的Si（100）片作为衬底，先用质量百分比浓度为2～5％的HF溶液浸蚀30～50s，然后用去离子水冲洗干净后再分别在丙酮和酒精溶液中用超声波清洗2～3min，得到洁净的Si片衬底，然后在Si片上蒸镀一层金膜作为催化剂； 步骤二：将纯净的Co2FeAl哈斯勒合金颗粒装在氧化铝方舟中，放在管式炉的恒温中心位置，将步骤一所述蒸镀有金膜催化剂的Si片衬底放在距Co2FeAl源气路下游15cm的位置，所述管式炉升温速率为10～20℃/min，当Co2...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：康泽威，杨辅军，姚军，李纪辉，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42