光刻胶组合物、形成图案的方法和薄膜晶体管衬底的制法技术

本发明专利技术公开光刻胶组合物、形成图案的方法和制造薄膜晶体管衬底的方法，所述组合物包括溶剂、酚醛清漆树脂、重氮类光敏剂、由以下化学式1表示的丙烯酰基化合物，在化学式1中，R1为氢原子或甲基，R2为芳族基团或烷基，所述烷基具有1-1,000个碳原子且具有直链形状或支化形状，R3、R4和R5各自独立地为烷氧基，所述烷氧基具有1-1,000个碳原子且具有直链形状或支化形状，并且X、Y和Z各自独立地为1-100的整数。<化学式1>

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及光刻胶组合物、形成图案的方法和制造薄膜晶体管衬底的方法。
技术介绍
用于显示器件的显示衬底可包括用作用于驱动像素单元的切换元件的薄膜晶体 管、连接至该薄膜晶体管的信号线、和像素电极。所述信号线可包括提供栅极信号的栅极 线、和与该栅极线交叉并提供数据信号的数据线。 光刻工艺可用于形成薄膜晶体管、信号线和像素电极。根据光刻工艺，可在目标 (对象）层上形成光刻胶图案，且可通过使用该光刻胶图案作为掩模使该目标层图案化以 形成期望的图案。
技术实现思路
实施方案涉及光刻胶组合物、形成图案的方法和制造薄膜晶体管衬底的方法。 所述实施方案可通过提供光刻胶组合物而实现，所述光刻胶组合物包括：溶剂； 酚醛清漆树脂；重氮类（基于重氮的，diazide-based)光敏剂；和由以下化学式1表示的丙 烯酰基化合物，其中：R1为氢原子或甲基，R2为芳族基团或烷基，所述烷基具有1-约1，000 个碳原子且具有直链形状或支化形状，R3、R4和R5各自独立地为烷氧基，所述烷氧基具有 1-约1，000个碳原子且具有直链形状或支化形状，并且X、Y和Z各自独立地为1-约100的 整数， 〈化学式1>【主权项】1. 光刻胶组合物，其包括： 溶剂； 酪醒清漆树脂； 重氮类光敏剂；和 由W下化学式1表示的丙締酷基化合物，其中： R1为氨原子或甲基， R2为芳族基团或烷基，所述烷基具有1-1，000个碳原子且具有直链形状或支化形状，R3、R4和R5各自独立地为烷氧基，所述烷氧基具有1-1，000个碳原子且具有直链形状 或支化形状，并且 X、Y和Z各自独立地为1-100的整数， <化学式1〉〇2. 如权利要求1中所述的光刻胶组合物，其中所述组合物包括： 5-30重量％的所述酪醒清漆树脂， 2-10重量％的所述重氮类光敏剂， 0. 03-2重量％的所述丙締酷基化合物，和 余量的所述溶剂。3. 如权利要求2中所述的光刻胶组合物，其中所述丙締酷基化合物的重均分子量为 5,000-30,000。4. 如权利要求3中所述的光刻胶组合物，其中由化学式1表示的丙締酷基化合物由W 下化学式2表示，其中： R6为烷基，所述烷基具有10-70个碳原子且具有直链形状，并且n为10-40的整数， <化学式2〉5. 如权利要求2中所述的光刻胶组合物，其中所述重氮类光敏剂包括重氮蒙酿横酷面 化合物与酪化合物的反应产物。6. 如权利要求5中所述的光刻胶组合物，其中所述重氮类光敏剂包括选自2, 3, 4-S 哲基二苯甲酬-1，2-重氮蒙酿-5-横酸醋和2, 3, 4, 4' -四哲基二苯甲酬-1，2-重氮蒙 酿-5-横酸醋的至少一种。7. 如权利要求2中所述的光刻胶组合物，其中所述酪醒清漆树脂的重均分子量为 4,000-30,000。8. 如权利要求2中所述的光刻胶组合物，其中所述溶剂包括选自二醇離、己二醇烷基 離己酸醋和二甘醇的至少一种。9. 形成图案的方法，所述方法包括： 在基础衬底上形成目标层； 在所述目标层上涂覆如权利要求1-8中任一项所述的光刻胶组合物W形成光刻胶层， 将所述光刻胶层部分地暴露于光； 除去所述光刻胶层的暴露部分W形成光刻胶图案；W及 通过使用所述光刻胶图案作为掩模使所述目标层图案化。10. 如权利要求9中所述的方法，其中所述目标层包括金属氧化物。11. 如权利要求10中所述的方法，其中所述金属氧化物包括选自如下的至少一种：氧 化锋、氧化锋锡、氧化铜锋、氧化铜、氧化铁、氧化铜嫁锋、氧化铜锋锡、氧化铜锡、氧化嫁锋、 氧化锋侣和氧化铜嫁。12. 制造薄膜晶体管衬底的方法，所述方法包括： 在基础衬底上形成栅电极； 形成覆盖所述栅电极的栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层； 在所述氧化物半导体层上形成源金属层使得所述源金属层包括金属层和在所述金属 层上的导电氧化物层； 在所述导电氧化物层上涂覆如权利要求1-8中任一项所述的光刻胶组合物W形成第 一光刻胶图案， 通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述源金属层W形成源金属图案； 部分地除去所述第一光刻胶图案W形成第二光刻胶图案；W及 通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述源金属图案W形成源电极和漏电极。13. 如权利要求12中所述的方法，其中所述导电氧化物层包括选自如下的至少一种； 氧化铜锋、氧化铜锡、氧化嫁锋、和氧化锋侣。14. 如权利要求12中所述的方法，其中所述第一光刻胶图案包括第一厚度部分和比该 第一厚度部分薄的第二厚度部分。【专利摘要】本专利技术公开光刻胶组合物、形成图案的方法和制造薄膜晶体管衬底的方法，所述组合物包括溶剂、酚醛清漆树脂、重氮类光敏剂、由以下化学式1表示的丙烯酰基化合物，在化学式1中，R1为氢原子或甲基，R2为芳族基团或烷基，所述烷基具有1-1,000个碳原子且具有直链形状或支化形状，R3、R4和R5各自独立地为烷氧基，所述烷氧基具有1-1,000个碳原子且具有直链形状或支化形状，并且X、Y和Z各自独立地为1-100的整数。<化学式1>【IPC分类】H01L21-336, G03F7-004, G03F7-075, G03F7-20【公开号】CN104793464【申请号】CN201410795461【专利技术人】李政洙, 朴廷敏, 朴成均, 田俊, 曹基铉, 金智贤, 金东敏, 金升起, 诸葛银 【申请人】三星显示有限公司, 株式会社东进世美肯【公开日】2015年7月22日【申请日】2014年12月18日【公告号】US20150205200本文档来自技高网...

【技术保护点】
光刻胶组合物，其包括：溶剂；酚醛清漆树脂；重氮类光敏剂；和由以下化学式1表示的丙烯酰基化合物，其中：R1为氢原子或甲基，R2为芳族基团或烷基，所述烷基具有1‑1,000个碳原子且具有直链形状或支化形状，R3、R4和R5各自独立地为烷氧基，所述烷氧基具有1‑1,000个碳原子且具有直链形状或支化形状，并且X、Y和Z各自独立地为1‑100的整数，<化学式1>

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李政洙，朴廷敏，朴成均，田俊，曹基铉，金智贤，金东敏，金升起，诸葛银，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：韩国;KR