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一种成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料及其制备方法技术

技术编号:11765233 阅读:87 留言:0更新日期:2015-07-23 16:21
本发明专利技术公开了一种成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料。成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料由DMCoxMn1‑xF单晶组成,其中x=0.05~0.2,所述的DMCoxMn1‑xF单晶尺寸为1.5×1.5×1.0~2.5×2.5×1.5 mm

【技术实现步骤摘要】
一种成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料及其制备方法
本专利技术涉及一种钴掺杂金属-有机框架单晶材料及其制备方法,具体是指一种Co掺杂[(CH3)2NH2]Mn(HCOO)3单晶材料(缩写为DMCoxMn1-xF,x=0.05,0.1,0.2)及其制备方法。技术背景金属-有机框架(Metal-OrganicFrameworks,MOFs)材料因在催化、储氢和光学元件等方面具有潜在的应用价值而受到广泛关注,是目前新功能材料研究领域的一个热点。由于有机物化合物具有制备灵活、骨架柔性、易裁剪性以及易形成高度各向异性和低晶格对称性结构等方面的优点,人们近年来尝试将铁电性有机物和磁性过渡金属离子结合,设计出基于金属-有机杂化的新型多铁性材料。DMMnF材料中磁电耦合效应的发现,表明将有机铁电与磁性金属离子相结合,将会大大拓展多铁性材料和磁电耦合效应的探索空间。DMMnF的制备方法主要有水热法,液相法等。水热法是指在密封的压力容器内,以水作为溶剂,在温度100~400°C,压力大于0.1MPa直至几十到几百MPa的条件下,使前驱物(原料)反应并且结晶。即提供一个在常压条件下无法得到本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/27/CN104788504.html" title="一种成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料及其制备方法原文来自X技术">成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料及其制备方法</a>

【技术保护点】
一种成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料,其特征在于,由DMCoxMn1‑xF单晶组成, 其中x=0.05~0.2,所述的DMCoxMn1‑xF单晶尺寸为1.5×1.5×1.0~2.5×2.5×1.5 mm3,钴所占摩尔百分比为5%~20%,锰所占摩尔百分比为80%~95%。

【技术特征摘要】
1.一种成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料的制备方法,所述的成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料由DMCoxMn1-xF单晶组成,其中x=0.05~0.2,所述的DMCoxMn1-xF单晶尺寸为1.5×1.5×1.0~2.5×2.5×1.5mm3,钴所占摩尔百分比为5%~20%,锰所占摩尔百分比为80%~95%;其特征在于,包括下述步骤:(1)在烧杯中依次加入浓硫酸、丙酮、无水乙醇和去离子水,分别超声清洗15分钟,以去除烧杯中残余金属离子和有机物,将清洗后的烧杯保存备用;(2)将氯化钴和氯化锰按照所需配比配制混合,与N,N-二甲基甲酰胺溶于蒸馏水中,搅拌使其充分溶解;其中每摩尔氯化钴和氯化锰混合物对应蒸馏水用量为7.5L,N,N-二甲基甲酰胺与蒸馏水的体积比为1:1;(3)将步骤(2)制备的氯化锰...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈谦
申请(专利权)人:陈谦
类型:发明
国别省市:浙江;33

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