一种成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料。成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料由DMCoxMn1‑xF单晶组成，其中x=0.05～0.2，所述的DMCoxMn1‑xF单晶尺寸为1.5×1.5×1.0～2.5×2.5×1.5 mm

【技术实现步骤摘要】
一种成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料及其制备方法
本专利技术涉及一种钴掺杂金属-有机框架单晶材料及其制备方法，具体是指一种Co掺杂[(CH3)2NH2]Mn(HCOO)3单晶材料（缩写为DMCoxMn1-xF,x=0.05,0.1,0.2）及其制备方法。技术背景金属-有机框架（Metal-OrganicFrameworks，MOFs）材料因在催化、储氢和光学元件等方面具有潜在的应用价值而受到广泛关注，是目前新功能材料研究领域的一个热点。由于有机物化合物具有制备灵活、骨架柔性、易裁剪性以及易形成高度各向异性和低晶格对称性结构等方面的优点，人们近年来尝试将铁电性有机物和磁性过渡金属离子结合，设计出基于金属-有机杂化的新型多铁性材料。DMMnF材料中磁电耦合效应的发现，表明将有机铁电与磁性金属离子相结合，将会大大拓展多铁性材料和磁电耦合效应的探索空间。DMMnF的制备方法主要有水热法，液相法等。水热法是指在密封的压力容器内，以水作为溶剂，在温度100～400°C，压力大于0.1MPa直至几十到几百MPa的条件下，使前驱物（原料）反应并且结晶。即提供一个在常压条件下无法得到的特殊的物理化学环境，使前驱物在反应系统中得到充分的溶解，形成原子或分子生长基元，成核并结晶。水热法具有反应速度快，产物纯度高、结晶度好、团聚少等优点。目前，通过水热法合成的DMMnF材料多以粉末微晶和微小单晶为主，但是，作为器件应用受到极大限制，因此如何更好地控制DMMnF单晶的生长，使得单晶的尺寸达到易于制作器件的要求，并拓宽其产业应用具有非常重要的意义。随着人们对金属-有机框架材料研究的深入，人们正努力对多铁性MOFs基单晶材料的磁电耦合机制进行充分的研究，希望可以通过复合、掺杂一些金属元素来改变DMMnF中Mn位的磁结构和电子结构，并对其磁电耦合效应进行有效调控，从而大大拓宽MOFs材料的应用价值。目前，一种成分可控Co掺杂[(CH3)2NH2]Mn(HCOO)3单晶材料及其制备方法还没有报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是为获得新型Co掺杂DMMnF单晶材料以及尺寸更大的DMCoxMn1-xF单晶，同时该DMCoxMn1-xF单晶的制备方法简单、方便，提供了一种成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料及其制备方法。本专利技术的技术方案为：一种成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料由DMCoxMn1-xF单晶组成，其中x=0.05～0.2，所述的DMCoxMn1-xF单晶尺寸为1.5×1.5×1.0～2.5×2.5×1.5mm3，钴所占摩尔百分比为5%～20%，锰所占摩尔百分比为80%～95%。所述的DMCoxMn1-xF单晶为淡粉色透明晶体，并且颜色随着钴掺杂浓度的增加而变深。所述成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料的制备方法包括下述步骤：（1）在烧杯中依次加入浓硫酸、丙酮、无水乙醇和去离子水，分别超声清洗15分钟，以去除烧杯中残余金属离子和有机物，将清洗后的烧杯保存备用；（2）将氯化钴和氯化锰按照所需配比配制混合，与N,N-二甲基甲酰胺溶于蒸馏水中，搅拌使其充分溶解；其中每摩尔氯化钴和氯化锰混合物对应蒸馏水用量为7.5L，N,N-二甲基甲酰胺与蒸馏水的体积比为1：1；（3）将步骤（2）制备的氯化锰和氯化钴溶液分别装入反应釜内，密封后将其加热至135～145°C进行反应，并保温60～72小时，然后自然冷却至室温；（4）将步骤（3）反应后的饱和清液用移液管取出并装入步骤（1）清洗过的烧杯中，然后将烧杯放入恒温恒湿箱内；设定30段降温曲线，温度区间为28～22°C，每段温差0.5°C，每段温度区间保温2.5～3小时，湿度为45～55%；（5）将烧杯底部的晶体颗粒用无水乙醇洗涤3次，于60°C真空干燥10分钟得到成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料。所述的恒温恒湿箱的型号为HWS-080型号。所述步骤（4）中的湿度由加湿器和恒温恒湿箱控制。本专利技术的单晶材料由钴、锰按一定比例组分与二甲氨阳离子和甲酸根阴离子复合而成的DMCoxMn1-xF单晶，其形貌为扁平的斜立方体单晶，具体是指颜色随着钴掺杂浓度的增加而变深的淡粉色透明DMCoxMn1-xF斜立方体金属-有机骨架单晶（如图1）。有益效果：本专利技术制备过程中，所用试剂为商业产品，无需繁琐制备；利用水热法和液相法相结合获得尺寸更大的单晶以及新型钴掺杂金属-有机框架单晶材料；工艺可控性强，易操作，制得的产物纯度高。本专利技术所得的DMCoxMn1-xF材料，有望在新型金属-有机框架半导体、信息存储和光学器件方面得到广泛的应用。附图说明图1是用本专利技术制得的DMCoxMn1-xF(x=0.05,0.1,0.2)单晶数码照片；图2是用本专利技术制得的DMCoxMn1-xF(x=0.05,0.1,0.2)单晶的X射线衍射(XRD)谱图；图3是用本专利技术制得的DMCo0.1Mn0.9F单晶谱图，其中（a）是用本专利技术制得的DMCo0.1Mn0.9F单晶XPS全谱，(b)是用本专利技术制得的DMCo0.1Mn0.9F单晶Mn2p的XPS谱图；(c)是用本专利技术制得的DMCo0.1Mn0.9F单晶Co2p的XPS谱图。具体实施方式以下结合实例进一步说明本专利技术。本专利技术制备DMCoxMn1-xF(x=0.05,0.1,0.2)单晶材料是采用水热法和液相法相结合方法。在烧杯中依次加入浓硫酸、丙酮、无水乙醇和去离子水，分别超生清洗15分钟，以去除烧杯中残余金属离子、有机物等杂质，将清洗后的烧杯保存备用。将氯化钴和氯化锰按照5%:95%、10%:90%和20%:80%的摩尔比分别称取2.5mmol，与15mLN,N-二甲基甲酰胺（DMF）溶于15mL蒸馏水中，搅拌使其充分溶解；其中DMF与蒸馏水的体积比为1：1。将不同摩尔比的氯化锰和氯化钴溶液分别装入反应釜内，密封后将其加热至135～145°C进行反应，并保温60～72小时，然后自然冷却至室温。将反应后的不同浓度饱和清液用移液管取出并装入清洗过的烧杯中，然后将烧杯放入恒温恒湿箱内；设定30段降温曲线，温度区间为28～22°C，每段温差0.5°C，每段温度区间保温2.5～3小时，湿度为45～55%。将烧杯底部的晶体颗粒用无水乙醇洗涤3次，于60°C真空干燥10分钟得到淡粉色透明的DMCoxMn1-xF(x=0.05,0.1,0.2)斜立方体晶体。实施例1将氯化钴和氯化锰按照5%:95%、10%:90%和20%:80%的摩尔比分别称取2.5mmol，与15mLN,N-二甲基甲酰胺（DMF）溶于15mL蒸馏水中，搅拌使其充分溶解；其中DMF与蒸馏水的体积比为1：1。将不同摩尔比的氯化锰和氯化钴溶液分别装入反应釜内，密封后将其加热至140°C进行反应，并保温60小时，然后自然冷却至室温。将反应后的不同浓度饱和清液用移液管取出并装入清洗过的烧杯中，然后将烧杯放入恒温恒湿箱内；设定30段降温曲线，温度区间为28～22°C，每段温差0.5°C，每段温度区间保温2.5小时，湿度为50%。将烧杯底部的晶体颗粒用无水乙醇洗涤3次，于60°C真空干燥10分钟得到淡粉色透明的DMCoxMn1-xF(x=0.05,0.1,0.2)斜立方体晶体。将所得DMCo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成分可控钴掺杂金属‑有机框架DMMnF单晶材料，其特征在于，由DMCoxMn1‑xF单晶组成， 其中x=0.05～0.2，所述的DMCoxMn1‑xF单晶尺寸为1.5×1.5×1.0～2.5×2.5×1.5 mm3，钴所占摩尔百分比为5%～20%，锰所占摩尔百分比为80%～95%。

【技术特征摘要】
1.一种成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料的制备方法,所述的成分可控钴掺杂金属-有机框架DMMnF单晶材料由DMCoxMn1-xF单晶组成，其中x=0.05～0.2，所述的DMCoxMn1-xF单晶尺寸为1.5×1.5×1.0～2.5×2.5×1.5mm3，钴所占摩尔百分比为5%～20%，锰所占摩尔百分比为80%～95%；其特征在于，包括下述步骤：（1）在烧杯中依次加入浓硫酸、丙酮、无水乙醇和去离子水，分别超声清洗15分钟，以去除烧杯中残余金属离子和有机物，将清洗后的烧杯保存备用；（2）将氯化钴和氯化锰按照所需配比配制混合，与N,N-二甲基甲酰胺溶于蒸馏水中，搅拌使其充分溶解；其中每摩尔氯化钴和氯化锰混合物对应蒸馏水用量为7.5L，N,N-二甲基甲酰胺与蒸馏水的体积比为1：1；（3）将步骤（2）制备的氯化锰...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈谦，
申请(专利权)人：陈谦，
类型：发明
国别省市：浙江;33