本实用涉及一种脉冲调制器，更具体地说涉及一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，提升了P沟道MOSFET Q4的栅极电压，脉冲前后沿陡。电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器D1的输出端，电阻R4的一端接地。电阻R3的输出端连接在三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接在电阻R2的一端。电阻R1的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻R1的输出端。三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极。三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地。P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种脉冲调制器，更具体地说涉及一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器。
技术介绍
在微波毫米波固态电路中，脉冲调制器被广泛地应用于微波毫米波固态功率放大器中。随着半导体技术的发展，特别是GaAs功率器件的成熟和普及，涌现出大量漏偏置电源脉冲调制器的研宄成果，帮助GaAs功率器件被广泛地应用到各种脉冲体制的系统中。如今，第三代半导体GaN技术日渐成熟，相对于GaAS功率放大器，GaN功率放大器具有带宽宽、功率大的显著优点，已经开始取代GaAs功率放大器，应用于需要更大功率更大带宽的场合。GaN器件的工作电压比GaAs器件高将近一个数量级，并且由于工作电压的关系，GaN器件的等效漏极阻抗比GaAs的大，GaN微波功率放大器漏偏置脉冲调制器面临两个技术难题，一个是提升工作电压，一个是提升驱动速度解决脉冲前后沿的问题。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是:提供一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，三极管Q2和三极管Q3组成升压电路，提升了 P沟道MOSFET Q4的栅极电压，脉冲前后沿陡，可应用于各种GaN微波功率放大器中。为解决上述技术问题，本实用涉及一种脉冲调制器，更具体地说涉及一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，包括脉冲驱动器D1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、P沟道MOSFET Q4、电容Cl、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、负载RL、调制电压输出电路和高压电源VDC，三极管Q2和三极管Q3组成升压电路，提升了 P沟道MOSFET Q4的栅极电压，脉冲前后沿陡，可应用于各种GaN微波功率放大器中。电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器Dl的输出端，电阻R4的一端接地。电容C2并联连接在电阻R3两端。电阻R3的输出端连接在三极管Ql的基极，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql的集电极连接在电阻R2的一端。电阻Rl的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻Rl的输出端。三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极。三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地。P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地。电容Cl的一端连接电源，一端接地。作为本方案的进一步优化，本技术一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器所述的三极管Ql和三极管Q3都是NPN型三极管。作为本方案的进一步优化，本技术一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器所述的三极管Q2是PNP型三极管。作为本方案的进一步优化，本技术一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器所述的P沟道MOSFET Q4的材质为GaN型半导体。本技术一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器的有益效果为:a.为P沟道MOSFET Q4提供了合适的工作电压；b.驱动速度高；c.可应用于大带宽信号的调制。【附图说明】图1为本技术一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器的电路原理图。【具体实施方式】在图1中，本实用涉及一种脉冲调制器，更具体地说涉及一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，包括脉冲驱动器D1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、P沟道MOSFET Q4、电容Cl、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、负载RL、调制电压输出电路和高压电源VDC,三极管Q2和三极管Q3组成升压电路，提升了 P沟道MOSFET Q4的栅极电压，脉冲前后沿陡，可应用于各种GaN微波功率放大器中。电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器Dl的输出端，电阻R4 —端接地。电容C2并联连接在电阻R3两端。脉冲驱动器Dl放大输入的TTL脉冲信号，放大后的脉冲信号经电阻R4和电组R3分压后传输至三极管Ql的基极。三极管Ql是NPN型三极管，当三极管Ql的基极电位大于集电极电位，三极管Ql截止，当三极管Ql的基极电位小于集电极电位，三极管Ql导通。脉冲驱动器输出不同的电压从而控制三极管Ql的通断。电阻R3的输出端连接在三极管Ql的基极，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql的集电极连接在电阻R2的一端。脉冲驱动器输出的电压经过三极管Ql放大后，提升了流过电阻R2的电流，从而提升了电阻R2两端的电压。电阻Rl的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻Rl的输出端。三极管Q3是NPN型三极管，三极管Q2是PNP型三极管。三极管Q2的基极和三极管Q3组成了放大驱动电路，电阻Rl和电阻R2组成分压电路，分压信号经放大驱动电路放大后，驱动能力上升。三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极。三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地。P沟道MOSFET Q4的材质为GaN型半导体。P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地。经放大驱动电路放大后的信号传输至P沟道MOSFET Q4的栅极，P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，栅极电压变化可以控制P沟道MOSFET Q4的导通和关断，也可以控制漏极输出电压的大小。电容Cl的一端连接电源，一端接地。电容Cl组成分压电路，且可防止电源短路。当然上述说明并非对本技术的限制，本技术也不仅限于上述举例，本
的普通技术人员在本技术的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也属于本技术的保护范围。【主权项】1.一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，包括脉冲驱动器D1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、P沟道MOSFET Q4、电容Cl、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、负载RL、调制电压输出电路和高压电源VDC，其特征在于:电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器Dl的输出端，电阻R4的一端接地；电容C2并联连接在电阻R3两端；电阻R3的输出端连接在三极管Ql的基极，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql的集电极连接在电阻R2的一端；电阻Rl的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻Rl的输出端；三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极；三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地；P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地；电容Cl的一端连接电源，一端接地。2.根据权利要求1所述的一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，其特征在于:所述三极管Ql和三极管Q3都是NPN型三极管。3.根据权利要求1所述的一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，其特征在于:所述三极管Q2是PNP型三极管。4.根据权利要求1所述的一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，其特征在于:所述P沟道MOSFET Q4的材质为GaN型半导体。【专利摘要】本实用涉及一种脉冲调制器，更具体地说涉及一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，提升了P沟道MOSFET Q4的栅极电压，脉冲前后沿陡。电阻R4和电阻R3并联连本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种GaN微波功率放大器高速脉冲调制器，包括脉冲驱动器D1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、P沟道MOSFET Q4、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、负载RL、调制电压输出电路和高压电源VDC，其特征在于：电阻R4和电阻R3并联连接于脉冲驱动器D1的输出端，电阻R4的一端接地；电容C2并联连接在电阻R3两端；电阻R3的输出端连接在三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接在电阻R2的一端；电阻R1的输入端连接在电源上，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极都连接在电阻R1的输出端；三极管Q3的集电极连接在电源上，发射极连接在P沟道MOSFET Q4的栅极；三极管Q2的发射极连接在三极管Q3的发射极，集电极接地；P沟道MOSFET Q4的源极连接在电源上，负载RL和调制电压输出电路并联连接于P沟道MOSFET Q4的漏极上，负载RL的一端接地；电容C1的一端连接电源，一端接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘义冬，曹海勇，
申请(专利权)人：刘义冬，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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