【技术实现步骤摘要】
一种高电源抑制比的低压差线性稳压器
本专利技术属于集成电路设计领域,涉及一类低压差线性稳压器,尤其涉及一种高电源抑制比的低压差线性稳压器。
技术介绍
低压差线性稳压器(LowDropoutLinerRegulator)作为系统芯片的主要电源管理单元被广泛应用,从中央处理器、内存到数模、模数转换器,再到DSP,基带芯片,所有模块的正常运行都需要稳定的供电。传统线性稳压器的主要组成电路如图1所示,包括:1)输出功率管,导通输入供电电压端到输出电压端之间的线路并形成恒定的输出电压;2)反馈网络,用于监测输出电压;3)电压基准,生成一个与电源电压无关,受温度变化、工艺误差影响很小的恒定的基准电压;4)误差放大器,通过将反馈回来的输出电压信息和相基准电压比较,根据所得的误差调节功率管以形成一个稳定的输出电压。随着射频SOC通讯芯片的大力发展,低压差线性稳压器被大量应用于便携式设备的射频收发器系统当中,这类系统通常需要比较高的电源抑制比,同时能提供比较准确的电源电压。伴随着全集成SOC芯片的发展,将低压差线性稳压器集成于射频收发机系统中成为了未来发展的一个趋势。在射频收发机中 ...
【技术保护点】
一种高电源抑制比的低压差线性稳压器,其特征在于,包括误差放大器,所述误差放大器的两个输入端为参考电压和反馈电压,所述误差放大器的输出端接输出管,所述输出管的漏端为串联的提供反馈电压的负载电阻,所述输出管的源端级联NMOS管和Vt偏置追踪电路,所述Vt偏置追踪电路包括串联电阻和连接所述串联电阻的三极管,所述NMOS管连接于所述输出管的源端和电源电压输入端之间,所述NMOS管的输入端连接所述Vt偏置追踪电路的三极管。
【技术特征摘要】
1.一种高电源抑制比的低压差线性稳压器,其特征在于,包括误差放大器,所述误差放大器的两个输入端为参考电压和反馈电压,所述误差放大器的输出端接输出管,所述输出管的漏端为串联的提供反馈电压的负载电阻,所述输出管的源端级联NMOS管和Vt偏置追踪电路,所述Vt偏置追踪电路包括串联电阻和连接所述串联电阻的三极管,所述NMOS管连接于所述输出管的源端和电源电压输入端之间,所述NMOS管的输入端连接所述Vt偏置追踪电路的三极管;所述输出管的源端级联的NMOS管为负阈值的NMOS管,所述Vt偏置追踪电路中的三极管为负阈值的NMOS管。2.如权利要求1所述的高电源抑制比的低压差线性稳压器,其特征在于:所述误差放大器采用5管的单级运算放大器结构,并采用外部电流偏置。3.如权利要求2所述的高电源抑制比的低压差线性稳压器,其特征在于:所述误差放大器采用由三极管M0、M1、M2、M2和M4组成的单级运算放大器结构,其中M1的栅是参考电压输入端,M2的栅为反馈电压输入端,M0为偏置管,M3和M4为负载管。4.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶乐,洪阳,杨丽杰,廖怀林,黄如,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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