【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括在多个频带中进行操作的裂环谐振器(split ring resonator)的天线以及使用该天线的无线通信设备。本申请基于并且要求2012年11月12日提交的日本专利申请公开No.2012-248169的优先权权益，其全部内容合并于此。
技术介绍
已经开发了用于在无线通信设备中使用的天线和结构的各种技术。例如，PTL 1公开了可以高精度调谐其谐振频率的天线设备。PTL2(相当于WO 98/44590)公开了用于天线的馈电网络。PTL 3公开了具有宽带相位响应的电磁波传播介质。PTL 4公开了使用微波谐振器设备的天线设备。PTL 5(相当于WO 2006/023195)公开了超材料，包括在宽频带具有负折射率的透镜、衍射光学器件和梯度折射率光学器件。PTL 6公开了微波传输线路。NPL 1和NP 2公开了裂环谐振器天线。近年来，已经开发了周期性地设置具有特定结构的导体图案来人工地控制通过该结构传播的电磁波的传播特性的超材料。在超材料的已知基本部件中，谐振器使用作为其一个圆周部分被切开的环形导体的C形裂环。裂环谐振器可以与磁场交互以控制有效的磁导率。另一方面，要求减小具有通信功能的电子设备(例如无线通信设备)的整体尺寸，并且相应地需要减小天线尺寸。因此，已经提出了使用裂环谐振器来减小天线的尺寸。例如，NPL 1公开了在单极天线附近设置裂环谐振器来增加有效磁导率并且减小单极天线的...
【技术保护点】
一种包括第一导体平面和馈电线的天线，在所述第一导体平面中形成第一裂环谐振器和第二裂环谐振器，所述馈电线包含第一分支线、第二分支线和分支部，其中，所述第一裂环谐振器包括沿着在所述第一导体平面中形成的第一开口的开口边缘的第一导体区域以及切断所述第一导体区域的一部分的第一裂部；所述第二裂环谐振器包括沿着在所述第一导体平面中形成的第二开口的开口边缘的第二导体区域以及切断所述第二导体区域的一部分的第二裂部；所述第一分支线的一端连接到所述第一裂环谐振器，并且另一端跨所述第一导体区域延伸到所述分支部；并且所述第二分支线的一端连接到所述第二裂环谐振器，并且另一端跨所述第二导体区域延伸到所述分支部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.12 JP 2012-2481691.一种包括第一导体平面和馈电线的天线，在所述第一导体平面
中形成第一裂环谐振器和第二裂环谐振器，所述馈电线包含第一分支
线、第二分支线和分支部，
其中，所述第一裂环谐振器包括沿着在所述第一导体平面中形成
的第一开口的开口边缘的第一导体区域以及切断所述第一导体区域的
一部分的第一裂部；
所述第二裂环谐振器包括沿着在所述第一导体平面中形成的第二
开口的开口边缘的第二导体区域以及切断所述第二导体区域的一部分
的第二裂部；
所述第一分支线的一端连接到所述第一裂环谐振器，并且另一端
跨所述第一导体区域延伸到所述分支部；并且
所述第二分支线的一端连接到所述第二裂环谐振器，并且另一端
跨所述第二导体区域延伸到所述分支部。
2.根据权利要求1所述的天线，其中，所述第一裂环谐振器被配
置成具有第一谐振频率，并且所述第二裂环谐振器被配置成具有第二
谐振频率。
3.根据权利要求1所述的天线，
其中，所述第一导体平面包括至少在所述第一导体平面的周围的
一部分中形成的线性侧；并且
所述第一裂部和所述第二裂部被形成在所述第一导体平面的线性
侧上。
4.根据权利要求3所述的天线，
其中，相对于所述第一裂部，在所述第一分支线和所述第一裂环
谐振器之间的连接点被定位为更接近所述第二裂环谐振器；并且
相对于所述第二裂部，在所述第二分支线和所述第二裂环谐振器
\t之间的连接点被定位为更接近所述第一裂环谐振器。
5.根据权利要求3所述的天线，
其中，相对于所述第一裂部，在所述第一分支线和所述第一裂环
谐振器之间的连接点被定位为更远离所述第二裂环谐振器；并且
相对于所述第二裂部，在所述第二分支线和所述第二裂环谐振器
之间的连接点被定位为更远离所述第一裂环谐振器。
6.根据权利要求1所述的天线，
其中，所述第一导体平面进一步包括与所述第一开口和所述第二
开口连通的间隙；并且
所述馈电线被设置在与所述第一导体平面相同的平面中，并且在
保持与所述间隙的两侧的预定距离的同时，在所述间隙内延伸。
7.根据权利要求1所述的天线，
其中，所述馈电线被形成为在不同于所述第一导体平面的平面中
延伸并且面对所述第一导体平面。
8.根据权利要求1所述的天线，进一步包括不同于所述第一导体
平面...
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