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一种甘草次酸3、11和30位官能团结构修饰方法技术

技术编号:11724255 阅读:410 留言:0更新日期:2015-07-11 16:08
一种甘草次酸3、11和30位官能团结构修饰方法,该方法经以下步骤:1)11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯一锅烩反应;2)11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯反应液的处理;3)11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯粗品的制备;4)11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯精品的制备。本发明专利技术以甘草次酸为原料,在甘草次酸的3-位羟基、11-位羰基和30-位羧基同步进行了结构修饰,一锅煮法合成了11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯。将原本需三步的反应一步进行,工艺原料简单易得,反应条件易于操作、反应条件温和、后处理方便、产率高等优点,适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
甘草次酸(Glycyrrhetinic acid)分子式:C3(lH4604,分子量:470. 68384,CAS NO. 471-53-4,MDL NO. MFCD00003706,EINECS NO. 207-444-6,RTECS NO. RK0180000,BRN NO. 2229654。beta-甘草亭酸;(3B,20B)-3-羟基-11-氧代-齐墩果-12-烯-29-酸; (3 0,20 0 )-3-羟基-11-氧代-齐墩果-12-烯-29-酸;3 0 -羟基-11-氧-12-齐墩果 烯-30-酸;甘草亭酸;18BETA-甘草次酸;甘珀酸。结构式如下:【主权项】1. ,以甘草次酸为原料,该方法包含以 下步骤: (1) 11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯一锅烩反应。 (2) 11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯反应液的处理。 (3) 11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯粗品的制备。 (4) 11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯精品的制备。2. 如权利要求1所述的,其特征在于, 步骤(1)中反应溶剂为二氧六环、吡啶、吗啉或四氢呋喃中之一;脱氢催化剂为Ni、Cu、Pt、 Pd/C合金、铝或锌粉中之一;3-位酰化剂为乙酰氯、乙酸酐或冰醋酸中之一;30-位酯化剂 为甲醇;薄层色谱展开剂:石油醚-乙酸乙酯(2 : 1),显色剂:硫酸-甲醇(1 : 1)。3. 如权利要求1所述的,其特征在于, 步骤(2)中反应完成后反应液倾入冰-水-稀盐酸中猝灭,过滤,弃去Pd/C合金,得澄清溶 液。4. 如权利要求1所述的,其特征在于, 步骤(3)中澄清溶液,0-5°C放置24h,直至沉淀不再出现,抽滤,水洗至中性,烘干,得白色 粗品。5. 如权利要求1所述的,其特征在于, 步骤(4)中粗品用乙醇溶解,加入3-5%的活性炭,在回流下脱色30min,过滤浓缩,结晶, 50-60°C真空干燥,得精品11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯。【专利摘要】,该方法经以下步骤:1)11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯一锅烩反应;2)11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯反应液的处理;3)11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯粗品的制备;4)11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯精品的制备。本专利技术以甘草次酸为原料,在甘草次酸的3-位羟基、11-位羰基和30-位羧基同步进行了结构修饰,一锅煮法合成了11-脱氧甘草次酸甲酯-3-0-乙酸酯。将原本需三步的反应一步进行,工艺原料简单易得,反应条件易于操作、反应条件温和、后处理方便、产率高等优点,适合工业化生产。【IPC分类】C07J63-00【公开号】CN104761611【申请号】CN201510122285【专利技术人】李玉山 【申请人】李玉山【公开日】2015年7月8日【申请日】2015年3月16日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种甘草次酸3、11和30位官能团结构修饰方法,以甘草次酸为原料,该方法包含以下步骤:(1)11‑脱氧甘草次酸甲酯‑3‑0‑乙酸酯一锅烩反应。(2)11‑脱氧甘草次酸甲酯‑3‑0‑乙酸酯反应液的处理。(3)11‑脱氧甘草次酸甲酯‑3‑0‑乙酸酯粗品的制备。(4)11‑脱氧甘草次酸甲酯‑3‑0‑乙酸酯精品的制备。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李玉山
申请(专利权)人:李玉山
类型:发明
国别省市:陕西;61

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