【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】区域规则性共聚物及其制备方法
技术介绍
已经发现,称为聚(对亚苯基亚乙炔基)或PPE和聚(对聚亚苯基亚乙烯基)或PPV的聚合物种类可用作发光二极管、“塑料激光器(plasticlaser)”、发光-电化学电池、薄膜晶体管和化学传感器中的活性层。具有严格交替的PPE和PPV单体单元的混合聚亚苯基亚乙烯基-亚乙炔基共聚物或“PPVE”组合了PPE/PPV的物理(相、热)性能与新光特性类型,包括增强的电子亲和性。这使得PPVE成为用于晶体管和其他固态电子设备中的非常有希望的候选者。它们独特的电子学可容易经侧链调谐,同时保留PPE的充分理解的固态相性能、X射线衍射等。针对它们的电荷载体移动性,已经使用这种PPVE聚合物,尤其在蒽-PPVE共聚物中;针对其电发光特性、光伏特性,已经使用这种PPVE聚合物用于太阳能电池;并且,已经使用这种PPVE聚合物作为薄膜场效应晶体管中的活性组分。针对聚(噻吩)的工作已经显示侧链沿着缀合聚合物骨架的一致性(identity)和相对位置对所得聚合物的特性具有大的影响。正常的聚合方法将所有可能的组合掺入骨架,生产固有的区域无规聚合物。在彼此“指”向的侧链之间存在空间和(在一些情况下)电子“冲突”,将骨架扭转使其不在一个平面内,同时对有效的缀合长度和总体聚合物结晶度有相应的作用。这不仅仅对于聚(噻吩)而且对于任何经历类似事件的刚性棒缀合的聚合物非常重要。与相同聚合物的区域无规形式相比,区域规则性(regioregular)材料具有更高的结晶度、在光区域的红移吸收(red-shiftedabsorption)、更大的传导性,和(通常)更小的带隙 ...
【技术保护点】
制备聚合物的方法,所述方法包括:结合甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛和X取代的二烷氧基芳基膦酸酯;和在使所述甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛和所述X取代的二烷氧基芳基膦酸酯偶联的条件下使所述甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛和所述X取代的二烷氧基芳基膦酸酯接触,以提供X取代的甲硅烷基炔基二芳基乙烯。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.制备聚合物的方法,所述方法包括:结合甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛和X取代的二烷氧基芳基膦酸酯;和在使所述甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛和所述X取代的二烷氧基芳基膦酸酯偶联的条件下使所述甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛和所述X取代的二烷氧基芳基膦酸酯接触,以提供X取代的甲硅烷基炔基二芳基乙烯,其中X选自羟基、烷氧基、砹、碘、溴、氯、氟、三氟甲烷磺酸根(CF3SO3-)、甲磺酸根(CH3SO3-)、甲苯磺酸根(CH3C6H4SO3-)或苯磺酸根(C6H5SO3-)。2.权利要求1所述的方法,其中所述甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛和所述X取代的二烷氧基芳基膦酸酯的偶联包括霍纳尔-沃兹沃思-埃蒙斯偶联。3.权利要求1所述的方法,其中所述甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛包括式I的化合物:其中:每个R1a和R2a独立地是C1-C20烷基、C2-C20烯、C2-C20炔或烷撑二醇;和每个R5是C1-C20烷基。4.权利要求1所述的方法,其中所述甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛包括式Ia的化合物:其中每个R1a和R2a独立地是C1-C20烷基、C2-C20烯、C2-C20炔或烷撑二醇。5.权利要求1所述的方法,其中所述X取代的二烷氧基芳基膦酸酯包括式II的化合物:其中:每个R1b和R2b独立地是C1-C20烷基、C2-C20烯、C2-C20炔或烷撑二醇;和每个R3和R4独立地是C1-C20烷基。6.权利要求3、4或5所述的方法,其中每个R1a和R1b相同并且每个R2a和R2b相同。7.权利要求1所述的方法,其中所述X取代的甲硅烷基炔基二芳基乙烯包括式III的化合物:其中:每个R1a、R1b、R2a和R2b独立地是C1-C20烷基、C2-C20烯、C2-C20炔或烷撑二醇;R5是C1-C20烷基;和X是羟基、烷氧基、砹、碘、溴、氯或氟、三氟甲烷磺酸根(CF3SO3-)、甲磺酸根(CH3SO3-)、甲苯磺酸根(CH3C6H4SO3-)或苯磺酸根(C6H5SO3-)。8.权利要求1所述的方法,进一步包括:在使得甲硅烷基部分从X取代的甲硅烷基炔基二芳基乙烯去除的条件下放置所述X取代的甲硅烷基炔基二芳基乙烯,以提供X取代的炔基二芳基乙烯;和在使得X取代的炔基二芳基乙烯偶联的条件下放置X取代的炔基二芳基乙烯,以提供区域规则性芳基乙炔基-芳基乙烯基共聚物。9.权利要求8所述的方法,其中偶联所述X取代的炔基二芳基乙烯包括Sonogashira偶联。10.权利要求8所述的方法,其中所述区域规则性芳基乙炔基-芳基乙烯基共聚物包括式IV的化合物:其中:每个R1a、R1b、R2a和R2b独立地包括C1-C20烷基、C2-C20烯、C2-C20炔或烷撑二醇;X是羟基、烷氧基、砹、碘、溴、氯或氟、三氟甲烷磺酸根(CF3SO3-)、甲磺酸根(CH3SO3-)、甲苯磺酸根(CH3C6H4SO3-)或苯磺酸根(C6H5SO3-);和n包括2或更大的整数。11.权利要求10所述的方法,其中n是2至100的整数。12.权利要求10所述的方法,其中R1a和R1b相同和R2a和R2b相同。13.权利要求1所述的方法,进一步包括在使得甲硅烷基-炔基和X取代的二烷氧基芳醛反应的条件下使甲硅烷基-炔基与X取代的二烷氧基芳醛接触,以提供甲硅烷基炔基二烷氧基芳醛。14.权利要求13所述的方法,其中所述甲硅烷基-炔基选自三甲代甲硅烷基乙炔、叔丁基二甲基甲硅烷基乙炔、三异丙基甲硅烷基甲基乙炔和三异丙基甲硅烷基乙炔或其组合。15.权利要求1所述的方法,进一步包括在使得包含膦酸根的化合物和X取代的二烷氧基芳醛反应的条件下,使包含膦酸根的化合物和X取代的二烷氧基芳醛接触,以提供X取代的二烷氧基芳基膦酸酯单体。16.权利要求15所述的方法,其中使包含膦酸根的化合物和X取代的二烷氧基芳醛接触包括:在使得X取代的二烷氧基芳醛被还原的条件下,放置X取代的二烷氧基芳醛,以提供X取代的二烷氧基芳基甲醇;在使得包含离去基团的化合物与X取代的二烷氧基芳基甲醇反应的条件下,结合X取代的二烷氧基芳基甲醇与包含离去基团的化合物,以提供X取代的二烷氧基芳基甲基-离去基团;在使得所述X取代的二烷氧基芳基甲基-离去基团与包含亚磷酸根的化合物反应的条件下,结合所述X取代的二烷氧基芳基甲基-离去基团与包含亚磷酸根的化合物;和允许进行Arbuzov重排,以提供X取代的二烷氧基芳基膦酸酯单体。17.权利要求16所述的方法,其中所述离去基团X包括重氮盐,氧鎓离子、全氟丁磺酸根、三氟甲烷磺酸根、氟磺酸根、甲苯磺酸根或甲磺酸根。18.权利要求16所述的方法,其中所述离去基团X是甲磺酸根。19.权利要求13或15所述的方法,进一步包括在使得C1-C6烷氧基二卤化物C1-C6烷烃和未保护的X取代的二烷氧基芳烃反应的条件下,使C1-C6烷氧基二卤化物C1-C6烷烃与未保护的X取代的二烷氧基芳烃接触,以提供X取代的二烷氧基芳醛。20.权利要求19所述的方法,其中所述X取代的二烷氧基芳醛包括式V的化合物:其中:每个R1a、R1b、R2a和R2b独立地包括C1-C20烷基、C2-C20烯、C2-C20炔或烷撑二醇;和X是羟基、烷氧基、砹、碘、溴、氯或氟、三氟甲烷磺酸根(CF3SO3-)、甲磺酸根(CH3SO3-)、甲苯磺酸根(CH3C6H4SO3-)或苯磺酸根(C6H5SO3-)。21.权利要求19所述的方法,进一步包括在使得羟基化的C1-C20烷基、C2-C20烯、C2-C20炔或烷撑二醇和未保护的X取代的单烷氧基对位取代的芳烃反应的条件下,使羟基化的C1-C20烷基、C2-C20烯、C2-C20炔或烷撑二醇和未保护的X取代的单烷氧基对位取代的芳烃接触,以提供未保护的X取代的二烷氧基芳烃。22.权利要求21所述的方法,其中接触的步骤包括Mitsunobu偶联。23.权利要求22所述的方法,其中使用结合树脂的三苯基膦(PPh3)进行所述Mitsunobu偶联。24.权利要求21所述的方法,进一步包括在使得保护基团从受保护的X取代的单烷氧基对位取代的芳烃去除的条件下,放置受保护的X取代的单烷氧基对位取代的芳烃,以提供未保护的X取代的单烷氧基对位取代的芳烃。25.权利要求24所述的方法,进一步包括在使得受保护的单烷氧基芳烃被卤化的条件下,放置受保护的单烷氧基芳烃,以提供受保护的X取代的单烷氧基芳烃。26.权利要求25所述的方法,其中所述受保护的X取代的单烷氧基芳烃包括3-卤素4-(烷氧基)苯基1-保护基团。27.权利要求25所述的方法,进一步包括在使得包含保护基团的化合物和单烷氧基对位取代的芳烃反应的条件下,使包含保护基团的化合物和单烷氧基对位取代的芳烃接触,以提受供保护的单烷氧基对位取代的芳烃。28.权利要求27所述的方法,其中所述包含保护基团的化合物选自β-甲氧基乙氧基甲基醚、甲氧甲基醚、...
【专利技术属性】
技术研发人员:G·L·布里泽斯,
申请(专利权)人:英派尔科技开发有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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