EUV集光器制造技术

一种用于将来自EUV辐射源(3)的EUV辐射(14)传输至照明远场(17a)的EUV集光器(15)。所述集光器(15)包含至少一个正反射镜集光器子单元(23)，其包含至少一个用于正入射的反射镜(23)。另外，所述集光器(15)包含至少一个掠反射镜集光器子单元(30)，其包含至少一个用于掠入射的反射镜(30)。所述集光器子单元(23，30)的布置使得产生所述EUV辐射(14)在所述远场(17a)上的强度分布，其由通过至少还在所述正反射镜集光器子单元(23)处的反射产生的内部正反射镜强度分布以及通过至少还在所述掠反射镜集光器子单元(30)处的反射产生的外部掠反射镜强度分布构成。所述强度分布至少在所述远场(17a)的大于总远场(17a)的40％的部分上与所述远场(17a)的所述部分的平均强度偏离小于20％。这导致对布置在集光器下游的照明光学单元的光束引导的要求降低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】 相关申请的交叉引用 通过引用将德国专利申请DE 10 2012 220 465. 2的内容并入于此。
本专利技术涉及一种将来自EUV(极紫外）辐射源的辐射传输至主焦斑的集光器。另 外，本专利技术涉及一种包含这种集光器的照明光学单元，一种包含这种照明光学单元的照明 系统，一种包含这种照明系统的投射曝光设备，一种通过这种投射曝光设备制造微结构或 纳米结构部件的方法，以及一种通过该方法制造的部件。
技术介绍
由 WO 2011/138259 AU US 7, 075, 712 B2、US 7, 501，641 B2、US 2006/0176547 AUUS 2006/0120429 A1、US 7,075,713 B2、EP 1469349 AUUS 2008/0266650 Al 以及 WO 2009/095220 Al已知引言中提及类型的集光器。
技术实现思路
本专利技术的目的是改进集光器，使得对布置在下游的照明光学单元的光束引导的要 求降低。 该目的通过本专利技术借助包含权利要求1中指定的特征的集光器来实现。 根据本专利技术，已认识到，将集光器分为一方面包含用本文档来自技高网...

【技术保护点】
将来自EUV辐射源(3)的EUV辐射(14)传输至照明远场(17a)的EUV集光器(15)，‑包含至少一个正入射反射镜集光器子单元(23；44；49)，所述至少一个正入射反射镜集光器子单元包含用于正入射的至少一个反射镜(23；23，45)，其将来自所述辐射源(3)的EUV辐射(14)传输至所述照明远场(17a)，‑包含至少一个掠入射反射镜集光器子单元(30；35；41；47；50)，所述至少一个掠入射反射镜集光器子单元包含用于掠入射的至少一个反射镜(30；30，36，37；30，36，37，42，43；30，48；30，51)，其将来自所述辐射源(3)的EUV辐射(14)传输至所述照明远场(1...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M恩德雷斯，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE