铕掺杂氧化钆发光薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种铕掺杂氧化钆发光薄膜及其制备方法和应用；该薄膜的结构通式为Gd2O3:xEu3+；其中，Gd2O3是基质，Eu3+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；x的值为0.01～0.08。本发明专利技术利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD），制备铕掺杂氧化钆发光薄膜(Gd2O3:xEu3+)，得到薄膜的电致发光谱（EL）中，在506nm位置有很强的发光峰，可作为薄膜电致发光器件的潜在应用材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光薄膜制备领域，尤其涉及一种。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。对于氧化钆室温和低温下的光谱及激光性质，很多研究工作者已经有不少文献报道。但是，以此类物质作发光材料制备成电致发光的薄膜，仍未见报道。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题在于提供一种可以应用于有机电致发光器件中作为发光层材料的铕掺杂氧化钆发光薄膜。本专利技术的技术方案如下:一种铕掺杂氧化钆发光薄膜，其结构通式为Gd203:xEu3+ ;其中，Gd2O3是基质，Eu3+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；X的值为0.01?0.08 ;优选X的值为0.05。本专利技术还提供一种上述铕掺杂氧化钆发光薄膜的制备方法，包括如下步骤:(I)、先后用甲苯、丙酮和乙醇分别超声清洗衬底(衬底为南玻公司购买的ITO玻璃)5分钟，然后用蒸馏水冲洗干净，氮气风干后送入真空镀膜设备反应室；(2)、对真空镀膜设备反应室抽真本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铕掺杂氧化钆发光薄膜，其特征在于，其结构通式为Gd2O3:xEu3+；其中，Gd2O3是基质，Eu3+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；x的值为0.01～0.08。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44