一种OLED器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种OLED器件及其制造方法，该OLED器件包括有基板及镀于该基板上的阳极，该阳极上方沉积有网格形状的隔离柱层，该隔离柱层上沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜，在该阳极上方位于该隔离柱层所限定的网格内蒸镀有有机层，该有机层及导电膜上方蒸镀有阴极。本发明专利技术中在Pillar层上方形成透明的非金属导电网格或者不透明金属导电网格，并与阴极接触导通，从而降低阴极的电阻，有效防止或者减轻由于阴极薄导致的IR压降问题，同时可以使阴极做的更薄。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED器件及其制造方法
本专利技术有关一种有源矩阵有机发光显示器（AMOLED）器件及其制造方法，尤其涉及一种可有效降低阴极电阻的OLED（有机发光显示器）器件及其制造方法。
技术介绍
有机发光显示器件由于其色饱和度高、对比度高、响应速度快而被认为是下一代平板显示装置。有机发光显示器件按照以下原理产生光：对器件施加电信号后，从阳极注入的空穴移动到发光层，从阴极注入的电子也移动到发光层，在发光层中，空穴和电子结合以形成激子，当激子从激发态变化到基态时，会发射光子，从而产生光。AMOLED显示器件具有两种结构，一种是底发光器件，仅仅朝底部基板发射光，另一种是顶发光器件，朝顶部非基板侧发射光。由于用于控制各个像素的薄膜晶体管布置在有机发光器件下面，所以顶发光OLED结构具有更大的开口率，所以越来越多的OLED器件采用顶发光结构。然而在顶发光OLED器件中，为了保证出光率，要求阴极透光率较高，因此阴极一般比较薄，所以阴极具有较高的电阻，从而会造成IR压降（阴极电阻导致的电压降）。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种能有效降低阴极电阻的OLED器件及其制造方法。为达到上述目的，本专利技术提供一种OLED器件，其包括有基板及镀于该基板上的阳极，该阳极上方沉积有网格形状的隔离柱层，该隔离柱层上沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜，在该阳极上方位于该隔离柱层所限定的网格内蒸镀有有机层，该有机层及导电膜上方蒸镀有阴极。所述导电膜为非金属导电膜或金属导电膜。所述非金属导电膜的材料为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、氧化铟锡或氧化铟锌透明导电材料。所述金属导电膜的材料为银、铜、金、铝、纳、钼、钨、锌、镍、铁、铂、锡或铅或其中至少两者的合金。本专利技术还提供一种OLED器件制造方法，该方法包括：（1）在基板上方镀上阳极；（2）在阳极上方沉积一层网格形状的隔离柱层，在隔离柱层上方沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜；（3）在隔离柱层所限定的网格内蒸镀有机层；（4）在所述有机层与网格形状或条纹形状的导电膜上方蒸镀一层阴极。所述步骤（2）具体包括：在所述阳极上沉积一层隔离柱层，在该隔离柱层上方沉积一层导电膜；对导电膜进行刻蚀，形成导电网格或者导电条纹，之后利用光刻技术将隔离柱层刻蚀成网格形状，刻蚀后的导电膜沉积在刻蚀后的隔离柱层上方。所述步骤（2）具体包括：在所述阳极上沉积一层隔离柱层；将隔离柱层刻蚀成网格形状；在网格形状的隔离柱层上沉积一层导电膜；将导电膜刻蚀成网格形状或者条纹形状，网格形状或者条纹形状的导电膜覆盖在刻蚀后的隔离柱层上。所述导电膜为金属导电膜或非金属导电膜。所述非金属导电膜的材料为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、氧化铟锡或氧化铟锌透明导电材料。所述金属导电膜的材料为银、铜、金、铝、纳、钼、钨、锌、镍、铁、铂、锡或铅或其中至少两者的合金。本专利技术中在Pillar层上方形成透明的非金属导电网格或者不透明金属导电网格，并与阴极接触导通，从而降低阴极的电阻，有效防止或者减轻由于阴极薄导致的IR压降问题，同时可以使阴极做的更薄。附图说明图1为本专利技术中导电网格形成在Pillar层上的结构示意图；图2为本专利技术的OLED器件实施例一结构示意图；图3为本专利技术的OLED器件实施例二结构示意图；图4为本专利技术的OLED器件制造方法流程图。具体实施方式为便于对本专利技术的结构及方法及达到的效果有进一步的了解，现结合附图并举较佳实施例详细说明如下。结合图1、图2与图4所示，本专利技术OLED器件制造方法的实施例一：首先在基板上利用磁控溅射的方法镀上一层阳极反射层银和氧化铟锡（ITO，IndiumTinOxides）膜层，该阳极反射层银和ITO膜层作为阳极，然后在阳极上沉积一层Pillar（隔离柱）材料，该Pillar材料为聚酰亚胺类材料，在Pillar层上方沉积一层厚度为0.1nm~500nm的非金属导电膜，此处非金属导电膜的材料可为石墨烯、碳纳米管膜、导电高分子、ITO或IZGO（氧化铟锌）等导电性较好的透明导电材料。利用光刻技术或者激光刻蚀技术将非金属导电膜进行图案化刻蚀，形成非金属导电网格，之后利用光刻技术对Pillar层进行图案化刻蚀，如图1与图2所示，将非金属导电膜与Pillar层刻蚀为形状相同或相似的网格形状，非金属导电膜沉积在Pillar层上方。对OLED器件进行蒸镀，在刻蚀后的Pillar所限定的网格内蒸镀有机层，有机层的各层有机材料均用精密金属MASK（掩膜），各层有机材料限制在Pillar所围范围以内，不会覆盖到非金属导电网格上。利用OpenMASK（通用金属掩膜）蒸镀阴极，该阴极将有机层及非金属导电网格覆盖，保证阴极和非金属导电网格的接触导通。在上述实施例中，也可以先将Pillar层图案化后再在Pillar层上沉积并图案化非金属导电膜。结合图1、图3与图4所示，本专利技术OLED器件制造方法的实施例二：首先在基板上利用磁控溅射的方法镀上一层阳极反射层银和一层氧化铟锡（ITO，IndiumTinOxides）膜层，该阳极反射层银和ITO膜层作为阳极，然后在阳极上沉积一层Pillar材料，再在Pillar层上方蒸镀或者溅射一层厚度为30nm~500nm的金属导电膜，此处金属导电膜的材料可为银（Ag）、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、纳(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、镍(Ni)、铁(Fe)、铂(Pt)、锡(Sn)或铅（Pb）等导电性较好的金属材料或者其中至少两者的合金。利用光刻技术将金属导电膜进行图案化刻蚀，形成金属导电网格，并利用金属导电网格的图案作为光刻MASK对Pillar层进行曝光，形成Pillar图案，如图1与图3所示，将金属导电膜与Pillar层刻蚀为形状相同或相似的网格形状，金属导电膜覆盖在Pillar层上方。蒸镀OLED器件时，在刻蚀后的Pillar所限定的网格内蒸镀有机层，有机层的各层有机材料均用精密金属MASK，将各层有机材料限制在Pillar所围范围以内，不会覆盖到金属网格上。利用OpenMASK蒸镀阴极，保证阴极和金属网格的接触导通。在上述实施例中，也可以将Pillar层先图案化后再在Pillar层上沉积以及图案化金属导电膜。本专利技术中的刻蚀后的导电膜除为网格形状外，还可以为条纹形状。在传统阴极中，为了保证较低的电阻，一般厚度在30nm左右，本专利技术通过导电网格降低了阴极的电阻，阴极可以做的更薄，由于更薄，透光性更好，因此阴极可以选用透光性不如MgAg合金，但是更廉价的阴极材料，如Al/LiF（铝/氟化锂）、AlLi（铝锂合金）或Al/Ca（铝钙合金）等材料，从而降低成本。本专利技术中在Pillar层上方形成透明的非金属导电网格或者不透明金属导电网格，并与阴极接触导通，从而降低阴极的电阻，有效防止或者减轻由于阴极薄导致的IR压降问题，同时可以使阴极做的更薄。其中透明的非金属导电网格不反射外界光，不会影响器件的对比度。以上所述，仅为本专利技术的较佳实施例而已，并非用于限定本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件，其特征在于，其包括有基板及镀于该基板上的阳极，该阳极上方沉积有网格形状的隔离柱层，该隔离柱层上沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜，在该阳极上方位于该隔离柱层所限定的网格内蒸镀有有机层，该有机层及导电膜上方蒸镀有阴极。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件制造方法，其特征在于，该方法包括：（1）在基板上方镀上阳极；（2）在阳极上方沉积一层网格形状的隔离柱层，在隔离柱层上方沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜；（3）在隔离柱层所限定的网格内蒸镀有机层；（4）在所述有机层与网格形状或条纹形状的导电膜上方蒸镀一层阴极；其中，步骤（2）包括：在所述阳极上沉积一层隔离柱层，在该隔离柱层上方沉积一层导电膜；对导电膜进行刻蚀，形成导电网格或者导电条纹，之后利用光刻技术将隔离柱层刻蚀成网格形状，刻蚀后的导电膜沉积在刻蚀后的隔离柱层上方；或者，步骤（2）包括：在所述阳极上沉积一层隔离柱层...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝晓钊，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32