本发明专利技术提供一种光伏材料及其制备方法。一种光伏材料，分子式为Cu(Al1-y,Xy)Se2，其中X为第IV主族元素、Ti、V或者Fe，y＝0.03～0.25；所述光伏材料为类似CuAlSe2的正交晶系黄铜矿型结构，其中X元素替代部分Al原子的晶格位置。上述材料可以同时吸收近红外和可见波段的太阳光。使用该新型材料作为吸收层制作光伏器件时，既可以具有宽禁带半导体的高电压特性，也具有窄禁带材料的高电流特性，从而使得光伏器件具有更高转化效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其是涉及一种。
技术介绍
太阳能电池是利用太阳能最有效、最广泛的一种方式，低成本和高效率一直都是太阳能电池技术发展的动力和目标。以单晶硅为代表的第一代太阳能电池和以非晶硅薄膜为代表的第二代太阳能电池都无法同时满足高效率和低成本的要求。目前，以叠层太阳能电池和中间带太阳能电池等为代表的第三代太阳能电池能很好地解决高效率和低成本的冲突问题。传统的太阳能电池材料，吸收太阳能光谱中大于电池材料禁带宽度的高能量光谱，对低于其禁带宽度的低能量光子无法利用，限制了太阳能电池的效率。利用深能级杂质掺杂技术形成的铜基杂质中间带太阳能电池，除了能够实现一般薄膜电池对可见光波段的吸收利用，还能够实现对红外波段的双光子吸收利用。杂质中间带太阳能电池在不改变开路电压的同时提高电池的短路电流，从而提高中间太阳能电池的转换效率。杂质中间带材料的中间带(IB)加上导带(CB)和价带(VB)形成的三能级系统，就好比是多结电池中的三种禁带宽度，它在单一材料中集成了三层材料的功能，又避免了叠层电池在能带宽度和应力匹配上的两难选择，被认为是下一代高效太阳能电池材料的希望。当前已有实验成功将InAs的量子点嵌入到GaAs的载体材料，通过分子束外延的方式以岛状与层状混合生长的方式生长成功获得了量子点中间带材料。但是实验材料中的In为稀有贵金属，成本过高。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种成本较低且能作为杂质中间带材料的。—种光伏材料，分子式为Cu (Al^Xy)Se2，其中X为第IV主族元素、T1、V或者Fe，y = 0.03?0.25 ;所述光伏材料为类似CuAlSe2的正交晶系黄铜矿型结构，其中X元素替代部分Al原子的晶格位置。在其中一个实施例中，0.1 < y彡0.25。在其中一个实施例中，所述光伏材料中的摩尔比为Cu: (A1+X):Se = 1.0:(0.9?1.1):2.00在其中一个实施例中，所述光伏材料Cu (Ali_y，Xy) Se2中X为S1、Ge、Sn、T1、V或者Fe中的至少一种。—种光伏材料的制备方法，所述光伏材料的分子式为Cu (Al1^y, Xy) Se2, y = 0.03?0.25，其中X为第IV主族元素、T1、V或者Fe，具体包括以下步骤:采用共蒸镀法分别加热或者用电子束蒸发铜、铝、砸及X元素的靶材，在衬底的表面沉积制备所述光伏材料，所述光伏材料为类似CuAlSe2的正交晶系黄铜矿型结构，其中X元素替代部分Al原子的晶格位置。在其中一个实施例中，所述铜、铝、砸的靶材的加热温度由以下步骤确定:采用共蒸镀法分别同时加热铜、铝、砸的靶材，在衬底表面沉积生成正交晶系黄铜矿型结构的CuAlSe2MW，并且该 CuAlSe2MW的摩尔比组成为 Cu:Al: Se = 1.0: (0.9 ?1.1): 2.0。在其中一个实施例中，所述衬底为镀有钼层的玻璃基板。在其中一个实施例中，在衬底的表面沉积制备所述光伏材料之前先将所述衬底的温度加热至240°C?260°C。在其中一个实施例中，在衬底的表面沉积制备所述光伏材料的步骤之前还包括步骤:将所述镀有钼层的玻璃基板加热至500°C，在H2S或者S的氛围中硫化5-20分钟，形成50nm左右的MoS2层。本专利技术提供一种光伏材料Cu(Al1^Xy) Se2,其中X为第IV主族元素、T1、V或者Fe，该光伏材料通过共价键结合，有一定的离子键成分，具有正方晶系黄铜矿型结构。与CuAlSe2材料相比，该Cu (Al ^y, Xy) Se2M料实际上是由X元素取代部分Al元素形成深能级，该深能级差不多处于禁带中央，将禁带宽度2.70eV分裂为两个部分，从而产生了杂质中间带；这样能够同时充分吸收和利用对应于带隙为2.7eV以及子带隙的能带宽度的光子。本专利技术不使用昂贵稀少的金属In，成本较低。【附图说明】图1为CuAlSeJ^晶体单胞结构示意图；图2为当X元素取代CuAlSe2的部分Al时的晶体超单胞结构示意图；图3为CiKAlh，Xy) Se^料中X分别为Sn\Si\Ge元素时形成的杂质中间带的带宽和位置图(对应于与图a，图b和图c)；图4为CiKAlh，Tiy) Se2材料中y取不同值时形成的杂质中间带位置和带宽图；图5为CiKAlh，1^)5%材料中y = 0.25时的复介电函数图；图6为Cu (Al1^y, Tiy) Se2材料中y = 0.25时的光吸收系数图；图7为杂质中间带太阳能电池结构图；图8为蒸镀样品时的设备结构示意图。【具体实施方式】为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。一实施方式的光伏材料，分子式为Cu(AlnXy) Se2，其中X为第IV主族元素、T1、V或者Fe，Cu (Al1^y, Xy) Se2为类似CuAlSe 2的正交晶系黄铜矿结构，其中X的晶格位置替代部分Al原子的晶格位置，y = 0.03?0.25。优选的，光伏材料中的摩尔比为Cu: (A1+X):Se = 1.0: (0.9?1.1):2.0。优选的，0.1 < y 彡 0.25。(^^1562通过共价键结合，有一定离子键成分，结构如图1所示。CuAlSe2为直接带隙半导体，室温禁带宽度2.70eV，晶格常数0.5603nm，一般为p型材料，空穴迀移率I X 10 V/(V.s)。请参阅图2，图2是Cu (Al1^y, Xy) Se2M料的晶格结构示意图，Cu (Al ^y, Xy) 3%材料的晶格结构类似于以IV主族元素、T1、V或者Fe取代CuAlSe2* Al元素位置，同样为正交晶系黄铜矿型结构，具有杂质中间带。图3为CiKAlh，Xy) Se^料中X分别为Si\Ge\Sn不同元素时形成中间带的位置图，图3中横坐标代表能量，纵坐标代表态密度(Density of states)，其中a, b, c分别代表Cu(AlbXy)Se^W中的X为S1、Ge、Sn。由图3可以看出，三种元素取代部分Al形成的能级都相对较深，差不多处于禁带中央，可以将原来的禁带分割为两个合适大小的部分。如图3 所示，当 X 为 Si 时 Cu (Al1^y, Xy) Se2M料具有 0.9eV\l.8eV 和 2.7eV 三种带隙；当X为Ge时，Cu(Al1^y, Xy) Se2M料具有1.0eV\l.7eV和2.7eV三种带隙；当X为Sn时，CiKAl^ Xy) Se2M料具有1.3eV\l.4eV和2.7eV三种带隙。如图4所示，是我们得到的在不同浓度下Ti元素掺杂CuAlSed^Al位形成的中间带位置以及带宽，从图4中我们可以看出不同浓度均很好的形成了中间带，并且都跨过费米能级，曲线c为当掺杂浓度I =0.25时，Cu (Al1^y, Tiy) Se2M料具有1.0eV, 1.7eV和2.7eV三种带隙；曲线b当掺杂浓度y=0.125时，Cu (Al1^y, Tiy) Se2M料具有1.2eV、1.5eV和2.7eV三种带隙；曲线a当掺杂浓度 y = 0.0625 时，Cu(Al1^y, Tiy) Se2M料本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光伏材料，其特征在于，分子式为Cu(Al1‑y,Xy)Se2，其中X为第IV主族元素、Ti、V或者Fe，y＝0.03～0.25；所述光伏材料为类似CuAlSe2的正交晶系黄铜矿型结构，其中X元素替代部分Al原子的晶格位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王婷婷，钟国华，薛艳君，顾光一，程亚，张倩，李晓光，罗海林，杨春雷，肖旭东，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，香港中文大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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