磁光效应的二维三角晶格光子晶体模分复用与解复用器制造技术

本发明专利技术是一种基于磁光效应的二维三角晶格光子晶体模分复用/解复用器。其中二维三角晶格介质柱型光子晶体(1)是由方形介质柱按三角晶格排列，沿X-Z平面周期性分布的光子晶体，介质柱材料为硅，背景材料为空气；输入主波导区(2)由移除一排介质柱构成，TE模输出波导区(3)由一排掺Bi复合稀土铁石榴石单晶(TbYbBiIG)材料介质柱构成,而TM模输出波导区(4)由三排填充磁光TbYbBiIG材料的介质柱形成。TE模输出波导区与TM模输出波导区分别位于输入主波导区的右侧与上侧，这一区域为模式解复用区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种基于磁光效应的二维三角晶格光子晶体模分复用/解复用器，尤其是一种光通信波段的TE/TM模式模分复用/解复用器，涉及光通信与光信息处理的

技术介绍
目前，大容量数据传输是人们面临的一大问题，模分复用正是解决这一问题的关键技术。模分复用技术是一种崭新的光多输入多输出传输形式，利用有限的稳定模式作为独立信道传递信息，可以成倍地提高系统容量和频谱效率。而磁光晶体是具有磁光效应的材料，可利用磁光晶体的特殊性质，将其应用于未来的模分复用光通信领域。模分复用光通信系统中关键器件之一是模分复用/解复用器，基于磁光效应的光子晶体模分复用/解复用器，不仅可以满足大容量数据传输的需求，并且其尺寸仅在微米量级，对于未来的光集成系统有着潜在的应用价值。该光子晶体模分复用/解复用的机制是利用磁光晶体的磁光效应。当给磁光晶体施加外磁场时，由于磁光效应，导致磁导率发生改变，进而引起折射率的变化。对于TE模式，外磁场方向沿y方向时，因为磁场方向与TE模的磁场分量Hz方向垂直，引起周围磁偶极子的运动，磁导率发生改变。同理，对于TM模式，只有当外磁场方向沿z轴时，磁导率才随着磁场的改变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁光效应的二维三角晶格光子晶体模分复用与解复用器，其特征在于该模分复用与解复用器包括二维三角晶格硅光子晶体(1)、输入主波导区(2)、TE模输出波导区(3)、TM模输出波导区(4)；其中，二维三角晶格光子晶体(1)是沿X‑Z平面周期性分布的介质柱型硅光子晶体；在二维三角晶格硅光子晶体(1)中移除一排介质柱构成输入主波导区(2)；在二维三角晶格硅光子晶体(1)中引入一排掺Bi复合稀土铁石榴石单晶TbYbBiIG介质柱构成TE模输出波导区(3)；在二维三角晶格硅光子晶体(1)中引入三排TbYbBiIG介质柱形成TM模输出波导区(4)；TE模输出波导区与TM模输出波导区分别位于输入主波导区的右侧...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹤鸣，周雯，庄煜阳，季珂，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32