一种吉赫兹横电磁波小室的设计方法技术

技术编号:11590076 阅读:112 留言:0更新日期:2015-06-10 22:52
本发明专利技术提供一种吉赫兹横电磁波小室的设计方法,该方法包括以下步骤,在棱锥状倾斜外导体腔的棱锥顶点处设置圆形馈点,棱锥的底面为终端平面,将该终端平面设置为矩形。内导体板的顶点设置于圆形馈点处、内导体板的底面设置于终端平面上,内导体板的厚度不变。计算在圆形馈点与终端平面之间的同轴传输线结构的各个横截面均设置为50Ω的特性阻抗时,横截面长度渐变的内导体板的各个横截面长度。本发明专利技术产生的有益效果是:本发明专利技术设计方法操作简洁,可保证低驻波比吉赫兹横电磁波小室的实现,使吉赫兹横电磁波小室发射的电磁波达到标准规定的驻波比要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电磁兼容测试设备设计领域,尤其涉及一种吉赫兹横电磁波小室的设计方法
技术介绍
吉赫兹横电磁波小室(gigahertz transverse electromagnetic cell,GTEM)是一种产生频率达GHz横电磁波的场发生装置,工作频率频率最高可达18GHz,最低频率通常为10MHz。GTEM产生均匀、横向的电磁波,可用于电子设备的电磁敏感性测试(该指标可反映设备的抗干扰能力),已为CNAS(中国合格评定国家认可委员会)推荐为敏感性测试装置;还可作为场强计(用于测试电磁场强)的标定装置。驻波比为GTEM的主要技术指标之一。国际组织规定的驻波比为小于1.43。对一个纵向尺寸达5-10米的测试装置,这是非常高的指标,技术实现非常具挑战性。GTEM本质上是一个同轴传输线结构,包括内导体芯板和外导体腔体构成。能量的馈端为圆形的N型同轴结构,主体为方形的同轴结构。现有GTEM设计过程复杂,难以实现电磁性能的低驻波比。
技术实现思路
<br>本专利技术针对本文档来自技高网...
一种吉赫兹横电磁波小室的设计方法

【技术保护点】
一种吉赫兹横电磁波小室的设计方法,其特征在于,该方法包括以下步骤,1)在棱锥状倾斜外导体腔的棱锥顶点处设置圆形馈点,棱锥的底面为终端平面,将该终端平面设置为矩形;2)内导体板的顶点设置于圆形馈点处、内导体板的底面设置于终端平面上,内导体板的厚度不变,从内导体板的顶点到底面之间的各个横截面上,内导体板的横截面宽度渐变,内导体板的底面为条形,内导体板的底面的长边与终端平面的上边平行,内导体板的底面的长边两端点距离终端平面的中心点距离相等;3)预设终端平面的上边的长度为a,终端平面的侧边的长度为b,内导体板的厚度为h,内导体板的底面的下长边与终端平面的下边的距离为d,棱锥状倾斜外导体腔的圆形馈点到终...

【技术特征摘要】
1.一种吉赫兹横电磁波小室的设计方法,其特征在于,该方法包括以下步骤,1)在棱锥状倾斜外导体腔的棱锥顶点处设置圆形馈点,棱锥的底面为终端平面,将该终端平面设置为矩形;2)内导体板的顶点设置于圆形馈点处、内导体板的底面设置于终端平面上,内导体板的厚度不变,从内导体板的顶点到底面之间的各个横截面上,内导体板的横截面宽度渐变,内导体板的底面为条形,内导体板的底面的长边与终端平面的上边平行,内导体板的底面的长边两端点距离终端平面的中心点距离相等;3)预设终端平面的上边的长度为a,终端平面的侧边的长度为b,内导体板的厚度为h,内导体板的底面的下长边与终端平面的下边的距离为d,棱锥状倾斜外导体腔的圆形馈点到终端平面之间的距离L;4)计算在圆形馈点与终端平面之间的同轴传输线结构的各个横截面均设置为50Ω的特性阻抗时,内导体板的各个横截面宽度。
2.根据权利要求1所述的吉赫兹横电磁波小室的设计方法,其特征在于,所述步骤4)具体包括,将圆形馈点与终端平面之间划分为3段,具体为段1、段2、段3,分别计算内导体板在段1、段2、段3中的各个横截面宽度;段1长度为2cm到7cm,段1的前端面上内导体板的横截面为圆形,段1的后端面上内导体板的横截面为矩形,通过几何放样方法实现段1的前端面到段1的后端面的渐变,所述段2的长度小于1m,段2与段3...

【专利技术属性】
技术研发人员:王春宋文武黄明亮吴为军谢大刚
申请(专利权)人:中国舰船研究设计中心
类型:发明
国别省市:湖北;42

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