一种阵列基板的制作方法及阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制作方法，包括：预刻蚀，自基板上表面的第一层对阵列基板进行刻蚀形成过孔，直至所述过孔延伸至需要电连接的金属层；二次刻蚀，对所述过孔进行再次刻蚀，使所述过孔的至少一个边缘延伸至越过所述金属层的一个边缘，形成通孔；沉积电极层，连接所述金属层与相应的金属部分。本发明专利技术还公开了一种使用该方法制造的阵列基板。本发明专利技术将阵列基板的过孔的至少一个边缘延伸至越过金属层的一个边缘，形成通孔，液体在过孔内容易经过风刀吹出二不产生残留，可以确保电极层沉积过程中能与金属层完全接触，避免不良品的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
技术介绍
在液晶显示面板的阵列基板制备工艺中，过孔工艺是一项很重要的工艺，阵列基板中通常通过过孔工艺将位于不同层级的金属裸露，然后通过后续工艺利用ιτο(氧化铟锡)材料将位于不同层级的金属的裸露部分连接，或将位于同一层级的金属连接，例如阵列基板的栅极线与数据线之间的连接、数据线与像素电极之间的连接以及公共电极线的矩阵结构的形成等。过孔工艺的优劣直接影响到产品的良率以及最终面板的相关性能。目前设计过孔的设计都是挖洞式的，如图1和图2所示，过孔I的四周都有氮化硅围墙2挡住，这样在湿制程过程中风刀不易吹干过孔1，如图3所示，容易在过孔I的位置残留液体，ITO成ITO膜3时，残留液体4将ITO膜3与下层的金属层(图中data层即数据线层)隔开，导致ITO膜3与金属层断开的现象，造成面板的显示不良。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的不足，本专利技术提供了一种因液体残留产生面板显示不良的阵列基板的制作方法及阵列基板。为了实现上述的目的，本专利技术采用了如下的技术方案:一种阵列基板的制作方法，包括:预刻蚀，自基板上表面的第一层对阵列基板进行刻蚀形成过孔，直至所述过孔延伸至需要电连接的金属层；二次刻蚀，对所述过孔进行再次刻蚀，使所述过孔的至少一个边缘延伸至越过所述金属层的一个边缘，形成通孔；沉积电极层，连接所述金属层与相应的金属部分。其中，所述过孔包括至少两条交叉的长槽或长孔。其中，所述过孔为交叉的“十”字形槽或孔。其中，所述过孔为多个。其中，所述金属层为数据线金属层。其中，所述过孔的开口自底面到顶面逐渐变宽。其中，所述过孔的至少一端贯穿所述第一层的侧壁。本专利技术还提供了一种阵列基板，使用上述的制作方法制造而成。本专利技术将阵列基板的过孔的至少一个边缘延伸至越过金属层的一个边缘，形成通孔，液体在过孔内容易经过风刀吹出二不产生残留，可以确保电极层沉积过程中能与金属层完全接触，避免不良品的广生。【附图说明】图1为现有技术的阵列基板结构示意图。图2为图1的一个剖面结构示意图。图3为图1的过孔不良时的结构示意图。图4为本专利技术实施例一的阵列基板的制作方法示意图图5为本专利技术实施例一的阵列基板结构示意图。图6为图5的阵列基板的一个剖面结构示意图。图7为本专利技术实施例二的阵列基板的剖面结构示意图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例一结合图4?图6，本专利技术的阵列基板的制作方法，包括如下步骤:SOl:预刻蚀，自基板上表面的第一层12对阵列基板进行刻蚀形成过孔11，直至过孔11延伸至需要电连接的金属层10 ;S02:二次刻蚀，对过孔11进行再次刻蚀，使过孔11的至少一个边缘延伸至越过金属层10的一个边缘，形成通孔；S03:沉积电极层13，连接金属层10与相应的金属部分。这里，电极层13为ITO薄膜层。由于本实施例的过孔11为通孔，风刀吹气过程中，气体自过孔11上表面进入，然后自过孔11下表面吹出，过孔11内的残留液体被随之吹出，从而很容易风干，不会由于液体残留而导致在沉积电极层13的过程中产生不良。为了保证在湿制程过程中过孔11内的残留液体能更好地吹出，过孔11包括至少两条交叉的长槽或长孔，本实施例的过孔11为交叉的“十”字形。这样，在风刀吹气过程中，过孔11内的液体一方面可以从过孔11下表面吹出，另一方面，还能从过孔11的“十”字槽的不同侧吹出。为了实现不同金属部分的电连接，过孔11可以为多个。本实施例的金属层10为数据线金属层。进一步地，过孔11的开口可以设置为自底面到顶面逐渐变宽。气刀吹入的空气可以更好地沿着倾斜的孔壁吹入，同时，吹入的气体还能沿着倾斜的孔壁将残留的液体反向吹出，达到彻底清除的功效。本实施例还提供了一种阵列基板，利用上述制作方法制造而成，有效避免了过孔11内液体的残留，降低了基板和显示面板的不良率。实施例二如图7所示，与实施例一不同的是，本实施例的过孔11的至少一端贯穿第一层12的侧壁，过孔11内的残留液体能顺着气流从贯穿的一侧流出。以上仅是本申请的【具体实施方式】，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。【主权项】1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 预刻蚀，自基板上表面的第一层(12)对阵列基板进行刻蚀形成过孔(11)，直至所述过孔(11)延伸至需要电连接的金属层(10); 二次刻蚀，对所述过孔(11)进行再次刻蚀，使所述过孔(11)的至少一个边缘延伸至越过所述金属层(10)的一个边缘，形成通孔； 沉积电极层(13)，连接所述金属层(10)与相应的金属部分。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述过孔(11)包括至少两条交叉的长槽或长孔。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述过孔(11)为交叉的“十”字形槽或孔。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述过孔(11)为多个。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属层(10)为数据线金属层。6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述过孔(11)的开口自底面到顶面逐渐变宽。7.根据权利要求1-6任一所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述过孔(11)的至少一端贯穿所述第一层(12)的侧壁。8.—种阵列基板，其特征在于，使用权利要求1-7任一所述的制作方法制造而成。【专利摘要】本专利技术公开了一种阵列基板的制作方法，包括：预刻蚀，自基板上表面的第一层对阵列基板进行刻蚀形成过孔，直至所述过孔延伸至需要电连接的金属层；二次刻蚀，对所述过孔进行再次刻蚀，使所述过孔的至少一个边缘延伸至越过所述金属层的一个边缘，形成通孔；沉积电极层，连接所述金属层与相应的金属部分。本专利技术还公开了一种使用该方法制造的阵列基板。本专利技术将阵列基板的过孔的至少一个边缘延伸至越过金属层的一个边缘，形成通孔，液体在过孔内容易经过风刀吹出二不产生残留，可以确保电极层沉积过程中能与金属层完全接触，避免不良品的产生。【IPC分类】H01L21-768【公开号】CN104701250【申请号】CN201510094449【专利技术人】高冬子 【申请人】深圳市华星光电技术有限公司【公开日】2015年6月10日【申请日】2015年3月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：预刻蚀，自基板上表面的第一层(12)对阵列基板进行刻蚀形成过孔(11)，直至所述过孔(11)延伸至需要电连接的金属层(10)；二次刻蚀，对所述过孔(11)进行再次刻蚀，使所述过孔(11)的至少一个边缘延伸至越过所述金属层(10)的一个边缘，形成通孔；沉积电极层(13)，连接所述金属层(10)与相应的金属部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高冬子，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44