一种片式柱晶制造技术

本实用新型专利技术涉一种高分子聚合物结晶，特别涉及一种片式柱晶，包括基座、外壳及引线，所述基座与外壳相连，所述外壳内设有晶片，贯穿线贯穿基座置于外壳内与晶片连接，所述基座包括相互贴合且直径相等的稳定层及增强层，稳定层与增强层的厚度比值为0.8-0.96，所述外壳的两侧贴合有抗压壁，该抗压壁呈半圆状，所述外壳的上端面上设有稳定杆，稳定杆的端部与外壳上端面的圆心处连接，所述稳定杆的长度与外壳的高度比值为0.75-0.95。本实用新型专利技术构合理，简单，稳定性强。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉一种高分子聚合物结晶，特别涉及一种片式柱晶。
技术介绍
柱晶是一种高分子聚合物七种结晶之一，当聚合物熔体在应力作用下冷却结晶时候可以形成柱晶。但是目前市场上的柱晶主要包括外壳、基座和引线。由于只有两根引线连接，外壳的重量只有作用在两根引线上，导致柱晶的结构稳定性很差，柱晶会倾斜或歪倒，而且两个相邻之间的柱晶相碰撞后，会磨损外壳。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种结构合理，简单，稳定性强的柱晶。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：一种片式柱晶，包括基座、外壳及引线，所述基座与外壳相连，其特征是：所述外壳内设有晶片，贯穿线贯穿基座置于外壳内与晶片连接，所述基座包括相互贴合且直径相等的稳定层及增强层，稳定层与增强层的厚度比值为0.8-0.96，所述外壳的两侧贴合有抗压壁，该抗压壁呈半圆状，所述外壳的上端面上设有稳定杆，稳定杆的端部与外壳上端面的圆心处连接，所述稳定杆的长度与外壳的高度比值为0.75-0.95。进一步，所述稳定杆与外壳的连接方式是焊接。进一步，述稳定层与增强层采用焊接的方式贴合。进一步，所述外壳是采用锌白铜合金制成。进一步，所述稳定层直径与外壳直径的比值为1.2-1.3。对比现有技术的不足，本技术的技术方案所带来的有益效果：本申请的片式柱晶的基座由稳定层及增强层组成，通过稳定层及增强层的设置，使得引线伸出外壳体的距离缩短，进而提高了柱晶的结构稳定性，而且稳定层能保证引线在连接过程中不会受力变形弯曲，增强层能提高外壳的结构强度及抗撞击能力。当稳定层与增强层的厚度比值为0.8-0.96时，引线的结构稳定性最佳及基座的生产成本最低。外壳的两侧贴合有抗压壁，该抗压壁能杜绝两个相邻的柱晶相撞而磨损外壳。通过在外壳的上端面上设置稳定杆，该稳定杆是与其他部件连接的，提高柱晶的结构稳定性，而且分担了引线的重力负荷，提高了引线的使用寿命。当稳定杆的长度与外壳的高度比值为0.75-0.95时，柱晶的结构稳定性最佳及柱晶的生产成本最低。附图说明图1为本技术的主视图。图2为本技术的侧视图。图3为本技术的俯视图。具体实施方式如图1-图3所示：一种片式柱晶，包括基座2、外壳1及引线3，所述基座2与外壳1相连，其特征是：所述外壳1内设有晶片，贯穿线贯穿基座2置于外壳1内与晶片连接，所述基座2包括相互贴合且直径相等的稳定层21及增强层22，稳定层21与增强层22的厚度比值为0.8-0.96：若稳定层21与增强层22的厚度比值大于0.8-0.96时，增强层22变薄，导致外壳1受到外力撞击时容易变形。若稳定层21与增强层22的厚度比值小于0.8-0.96时，稳定层21变薄，导致引线3伸出外壳1的距离变长，进而使得引线3受力容易变形弯曲。当若稳定层21与增强层22的厚度偏厚时，大大提高了生产成本，不符合市场需求。所述外壳1的两侧贴合有抗压壁5，该抗压壁5呈半圆状，所述外壳1的上端面上设有稳定杆4，稳定杆4的端部与外壳1上端面的圆心处连接，大大提高了稳定杆4与外壳1的连接稳定性。所述稳定杆4的长度与外壳1的高度比值为0.75-0.95：若稳定杆4的长度与外壳1的高度比值大于0.75-0.95时，外壳1的高度偏低，导致外壳1内的晶片的安装空间变下，影响柱晶的使用效果。若稳定杆4的长度与外壳1的高度比值小于0.75-0.95时，稳定杆4长度偏低，导致稳定杆4起到的支撑稳定柱晶的效果降低。若稳定杆4的长度及外壳1的高度偏高时，大大提高了生产成本，不符合市场需求。进一步，所述稳定杆4与外壳1的连接方式是焊接。进一步，述稳定层21与增强层22采用焊接的方式贴合。进一步，所述外壳1是采用锌白铜合金制成。进一步，所述稳定层21直径与外壳1直径的比值为1.2-1.3时，柱晶的结构稳定性及抗扭能力最佳。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，本领域的技术人员在本技术技术方案范围内进行通常的变化和替换都应包含在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式柱晶，包括基座、外壳及引线，所述基座与外壳相连，其特征是：所述外壳内设有晶片，贯穿线贯穿基座置于外壳内与晶片连接，所述基座包括相互贴合且直径相等的稳定层及增强层，稳定层与增强层的厚度比值为0.8‑0.96，所述外壳的两侧贴合有抗压壁，该抗压壁呈半圆状，所述外壳的上端面上设有稳定杆，稳定杆的端部与外壳上端面的圆心处连接，所述稳定杆的长度与外壳的高度比值为0.75‑0.95。

【技术特征摘要】
1.一种片式柱晶，包括基座、外壳及引线，所述基座与外壳相连，
其特征是：所述外壳内设有晶片，贯穿线贯穿基座置于外壳内与晶片
连接，所述基座包括相互贴合且直径相等的稳定层及增强层，稳定层
与增强层的厚度比值为0.8-0.96，所述外壳的两侧贴合有抗压壁，
该抗压壁呈半圆状，所述外壳的上端面上设有稳定杆，稳定杆的端部
与外壳上端面的圆心处连接，所述稳定杆的长度与外壳的高度比值为
0.75-...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡国旺，
申请(专利权)人：浙江一晶电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33