一种高通量中子通道制造技术

一种高通量中子通道，在同等条件下可以从中子通道出口引出更多量的中子，它将现用的中子通道由圆柱形改变为圆台形状，并在中子通道周围添加了聚乙烯慢化层和石墨反射层。使中子通道引出口的中子通量提高80％以上；先添加石墨作反射层，使中子通量提高50％以上，然后将中子通道形状由圆柱形改变为圆台形状，使中子通量提高60％左右，再在中子通道和石墨反射层之间添加聚乙烯慢化层，使得中子先慢化再反射，最终使中子通量提高80％以上；因此同等活度的252Cf中子源在中子活化分析、辐照等实际应用方面可以从中子通道出口引出更多量的中子，不仅提高中子源经济效益，同时减少工作人员的操作时间和中子源对人体及环境的辐射。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高通量中子通道，由中子通道，聚乙烯慢化层，石墨反射层，混凝土屏蔽层构成，其特征在于：将现用的中子通道由圆柱形改变为圆台形状，并在中子通道周围添加了聚乙烯慢化层和石墨反射层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王烈林，谢华，付君，曹巍，黄祥祥，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51