本发明专利技术提供了一种防治十字花科作物根肿病的漂浮育苗方法，该方法包括：在十字花科作物种子播种于育苗基质后5天，向育苗水体进行第一次药剂喷施，所述药剂包括：福帅得50000-70000倍，20-30ml/m3•育苗水体；科佳40000-50000倍，20-30ml/m3•育苗水体；钙盐10-20g/m3•育苗水体；镁盐5-10g/m3•育苗水体。在此基础上再添加钼酸铵0.1-0.2mg/m3•育苗水体；硫酸锰0.5-1.0mg/m3•育苗水体；磷酸二氢钾80-100mg/m3•育苗水体，可获得更好的防治效果并能促进作物的生长。在对十字花科作物进行漂浮育苗时，本发明专利技术能有效阻断十字花科作物种子在育苗期间被根肿病菌侵染，有效控制根肿病的发生和危害，且所用药剂的剂量少，环境友好；在防治根肿病的同时还能有效促进十字花科作物根系的生长，增强作物幼苗植株的抗病能力。
【技术实现步骤摘要】
一种防治十字花科作物根肿病的漂浮育苗方法
本专利技术属于漂浮育苗领域，具体涉及一种防治十字花科作物根肿病的漂浮育苗方法。技术背景漂浮育苗是一项能快速培育出健壮、整齐、无病虫害的工厂化育苗技术。漂浮育苗技术是上世纪80年代末在美国、巴西等国兴起的,90年代中后期引入我国，目前已得到广泛应用。十字花科作物在幼苗期容易受到芸苔根肿菌的侵染而发生根肿病，严重影响了该类作物的栽培生产。漂浮育苗通过避免种子直接接触土壤来减少土壤中芸苔根肿菌对作物的感染，使得漂浮育苗可以一定程度上避免根肿病的发生。然而，在实际育苗过程中，小部分芸苔根肿菌可以通过种子带菌、育苗水体带菌、育苗盘带菌、基质带菌、育苗环境的周围的带菌尘土等多种方式进入到漂浮育苗环境中，一旦芸苔根肿菌进入育苗池并得以繁殖，将借助育苗水体迅速传播，使漂浮育苗所育幼苗所遭受的根肿病侵害要比土壤育苗更为严重。而芸苔根肿菌进入漂浮育苗环境的方式众多，人为控制芸苔根肿菌的进入成本十分高昂。由于漂浮育苗的特殊性，大量使用杀菌剂等化学药剂不仅会污染水体，大量排放还会造成环境的破坏，严重的，甚至会影响作物生长环境的生态平衡。因此，在漂浮育苗过程中，如何有效阻止芸苔根肿菌直接侵染植株幼苗避免发生严重的根肿病，同时避免对环境的影响，成为亟待解决的技术难题。
技术实现思路
：本专利技术针对现有技术缺点，提供一种防治十字花科作物根肿病的漂浮育苗方法，该方法包括：在十字花科作物种子播种在有机土沙盘之后，向育苗水体进行第一次药剂喷施，所述药剂包括：福帅得50000-70000倍20-30ml/m3•育苗水体科佳40000-50000倍20-30ml/m3•育苗水体钙盐10-20g/m3•育苗水体镁盐5-10g/m3•育苗水体。在现有技术中，福帅得与科佳常作为土壤杀菌剂进行土壤喷雾处理或灌根，来防治根肿病的发生。然而，在漂浮育苗方法中，按常规剂量直接添加福帅得或科佳，会造成较为严重的水体污染，如降低剂量又无法起到防治根肿病的效果。本专利技术申请人经过长时间摸索，发现以一定比例将钙盐、镁盐、福帅得和科佳混合后，能发挥很好的根肿病防治效果。该效果的实现机制尚未完全清楚，可能的解释是在水体环境中，钙和镁增强了芸苔根肿菌对福帅得和科佳的敏感度。但值得指出的是，如本专利技术的实施例显示，钙盐或镁盐的添加量并非越大越好，需得在本专利技术所设区间才能与福帅得或科佳共同发挥防治根肿病的效果；另外，钙盐与镁盐需同时添加。此外，必须指出的是，根据本
对十字花科根肿病防治方面的常识，本专利技术方法适用于大多数的十字花科作物，而不局限于本专利技术实施例中所举的有限种十字花科作物。采用本专利技术方法用于某种或多种十字花科的漂浮育苗，均属于本专利技术保护的范围。优选的，所述药剂还包括：钼酸铵0.1-0.2mg/m3•育苗水体。优选的，所述药剂还包括：硫酸锰0.5-1.0mg/m3•育苗水体。优选的，所述药剂还包括：磷酸二氢钾80-100mg/m3•育苗水体。钼酸铵、硫酸锰和磷酸二氢钾的加入，能为作物提供必要的营养元素，促进作物获得良好的长势，提高抗病性，更为重要的是，上述物质的添加并不降低芸苔根肿菌对福帅得和科佳的敏感度，并可促进作物的生长。优选的，所述福帅得的用量为：福帅得60000倍，25ml/m3•育苗水体；所述科佳的用量为：科佳48000倍，25ml/m3•育苗水体；所述钙盐的用量为18g/m3•育苗水体；所述镁盐的用量为8g/m3•育苗水体。如本专利技术的一个实施例所示，对各物质采用上述剂量，可获得最好的防治根肿病的效果。优选的，所述钼酸铵的用量为0.15mg/m3•育苗水体；所述硫酸锰的用量为0.8mg/m3•育苗水体；所述磷酸二氢钾的用量为85mg/m3•育苗水体。优选的，所述钙盐为氯化钙或碳酸钙，所述镁盐为氯化镁或硫酸镁。所述方法还包括：在第一次药剂喷施完毕后，再向育苗水体用第一次喷施药剂，进行后续药剂喷施，所述后续药剂喷施与前次药剂喷施间隔时间为10-15，共进行后续喷施1-2次。进行药剂喷施时，但保证根肿病防治效果的前提下，所进行的喷施次数越少越好，本专利技术申请人经过长时间摸索，发现药剂喷施次数为2次，喷施间隔时间为15天时，可取得很好的根肿病防治效果。然而，有必要指出的是，本专利技术并非需要多次药剂喷施才能实现根肿病的防治，而是多次喷施比单次喷施的效果好一些而已。本专利技术的有益效果：1、在对十字花科作物进行漂浮育苗时，本专利技术能有效的防治根肿病的发生；2、本专利技术方法所用药剂的剂量少，环境友好；3、本专利技术在防治根肿病的同时还能有效促进十字花科作物的生长，提高植株的抗病能力。具体实施方式实施例1利用常规方法建漂浮育苗池，育苗基质为草炭：蛭石：膨化珍珠岩60:20:20、(V/V,%），采用聚苯乙烯泡沫塑料育苗盘(68x34x6cm），作物为小白菜。播种后5天，向育苗水体进行剂喷施，所述药剂为：福帅得50000倍20ml/m3•育苗水体科佳40000倍20ml/m3•育苗水体氯化钙10g/m3•育苗水体氯化镁5g/m3•育苗水体。实施例2利用常规方法建漂浮育苗池，育苗基质为草炭：蛭石：膨化珍珠岩60:20:20、（V/V,%），采用聚苯乙烯泡沫塑料育苗盘（68x34x6cm）作物为青花菜。播种后5天，向育苗水体进行剂喷施，所述药剂为：福帅得70000倍30ml/m3•育苗水体科佳50000倍30ml/m3•育苗水体碳酸钙20g/m3•育苗水体硫酸镁10g/m3•育苗水体。实施例3利用常规方法建漂浮育苗池，育苗基质为草炭：蛭石：膨化珍珠岩60:20:20、（V/V,%），采用聚苯乙烯泡沫塑料育苗盘（68x34x6cm），作物为油菜。播种后5天，向育苗水体进行剂喷施，所述药剂为：福帅得60000倍25/m3•育苗水体科佳45000倍25/m3•育苗水体氯化钙15g/m3•育苗水体硫酸镁8g/m3•育苗水体。实施例4除还添加钼酸铵0.1mg/m3•育苗水体外，与实施例1一致。实施例5除还添加钼酸铵0.2mg/m3•育苗水体外，与实施例1一致。实施例6除还添加钼酸铵0.15mg/m3•育苗水体外，与实施例1一致。实施例7除还添加硫酸锰0.5mg/m3•育苗水体外，与实施例1一致。实施例8除还添加硫酸锰1.0mg/m3•育苗水体外，与实施例2一致。实施例9除还添加硫酸锰0.8mg/m3•育苗水体外，与实施例3一致。实施例10除还添加磷酸二氢钾80mg/m3•育苗水体外，与实施例1一致。实施例11除还添加磷酸二氢钾100mg/m3•育苗水体外，与实施例1一致。实施例12除还添加磷酸二氢钾90mg/m3•育苗水体外，与实施例2一致。实施例13除还添加磷酸二氢钾90mg/m3•育苗水体、除还添加硫酸锰0.8mg/m3•育苗水体和钼酸铵0.15mg/m3•育苗水体外，与实施例1一致。实施例14在完成实施例1的操作后，间隔15天，用实施例1的药剂对育苗水体进行第二次药剂喷施。实施例15在完成实施例1的操作后，每次间隔10天，用实施例1的药剂对育苗水体进行2次药剂喷施。对比实施例1除添加的氯化钙为30g/m3•育苗水体之外，与实施例1一致。对比实施例2除添加的硫酸镁为15g/m3•育苗水体之外，与实施例2一致。对比实施例3除不添加氯化镁之外，与实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种防治十字花科作物根肿病的漂浮育苗方法，其特征在于，所述方法包括：在十字花科作物种子播种于育苗基质中之后5天时，向育苗水体进行第一次药剂喷施，所述药剂包括：福帅得50000‑70000倍 20‑30ml/m3•育苗水体科佳40000‑50000倍 20‑30ml/m3•育苗水体钙盐 10‑20g/m3•育苗水体镁盐 5‑10g/m3•育苗水体。
【技术特征摘要】
1.一种防治十字花科作物根肿病的漂浮育苗方法，其特征在于，所述方法包括：在十字花科作物种子播种于育苗基质中之后5天时，向育苗水体进行第一次药剂喷施，所述药剂包括：2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述药剂还包括：钼酸铵0.1-0.2mg/m3·育苗水体。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述药剂还包括：硫酸锰0.5-1.0mg/m3·育苗水体。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述药剂还包括：磷酸二氢钾80-100mg/m3·育苗水体。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述福帅得的用量为：福帅得60000倍，25ml/m3·育苗水体；所述科佳的用量为：科佳48000倍，25ml/m3·育苗水体；所述钙盐的用量为18g/m3·育苗水体；所述镁盐的用量为8g/m3...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，黄小琴，张蕾，伍文宪，刘红雨，周西全，尹全，宋君，
申请(专利权)人：四川省农业科学院植物保护研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。