一种CdTe薄膜制备方法及包含其的CdTe太阳电池技术

本公开提供一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法：所述方法包括，在固态CdTe薄膜的制备过程中，在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层，所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。通过本公开的制备技术，可以得到具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。利用本公开制备的CdTe薄膜光吸收层，可以制备高转换效率的CdTe薄膜太阳电池。

【技术实现步骤摘要】
一种CdTe薄膜制备方法及包含其的CdTe太阳电池
本公开涉及一种碲化镉薄膜的制备方法，属于半导体光电器件制备领域。
技术介绍
CdTe是禁带宽度为1.45eV的II-VI族直接带隙半导体材料，它的吸收系数高达105cm-1，只需要2μm厚度，CdTe薄膜就可以将入射太阳光中能量高于其禁带宽度的99％的光子吸收。CdTe作为光吸收层的薄膜太阳电池，理论上吸收层所需厚度在几个微米左右，材料消耗极少，电池成本低。对于CdTe/CdS异质结薄膜太阳电池，CdTe是入射太阳光的吸收层，也是电子-空穴分离和传输的主要载体。因此，获得高质量的CdTe薄膜是制备高转换效率电池的关键。影响多晶薄膜质量最主要的因素是缺陷，主要包括晶界缺陷和晶粒内部的缺陷等。晶粒表面/界面处缺陷密度高，容易形成载流子传输过程中的复合中心，进而减小载流子寿命，严重影响电池的开路电压、填充因子和短路电流。因此，制备大晶粒、高结晶性、晶粒纵向贯穿、均匀致密的高质量CdTe薄膜，减少晶界的数目，对于提高CdTe薄膜太阳电池性能至关重要。本公开通过在CdTe薄膜沉积过程中，在CdTe表面形成一薄层低共熔点的CdTe及其氧化物的熔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法：所述方法包括，在固态CdTe薄膜的制备过程中，在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层，所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。

【技术特征摘要】
1.一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法：所述方法包括，在固态CdTe薄膜的制备过程中，在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层，所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成，其中所述氧化物包括CdOx、TeOy和/或CdTeOz，其中x大于0并且小于或等于1，y大于0并且小于或等于3，z大于0并且小于或等于4。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述固态CdTe薄膜的制备过程通过近空间升华法进行。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述固态CdTe薄膜的制备过程通过化学气相沉积法进行。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述固态CdTe薄膜的制备过程通过气相输运沉积法进行。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述CdTe薄膜的沉积温度高于所述液相共熔物的最低共熔温度点；和/或通过改变CdTe及其各氧化物的组分和比例控...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德亮，沈凯，白治中，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34