AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法技术

本发明专利技术提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用5T1C结构，包括：第一、第二、第三、第四、第五薄膜晶体管管(M1、M2、M3、M4、M5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)。该AMOLED像素驱动电路通过直接抓取第四薄膜晶体管(M4)即驱动薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿；通过将数据信号(Data)从第四薄膜晶体管(M4)即驱动薄膜晶体管的源极输入，使电路在抓取驱动薄膜晶体管阈值电压的同时读入了数据信号(Data)，提升了电路的工作效率；通过设置电容(C1)的一端电性连接于第四薄膜晶体管(M4)即驱动薄膜晶体管的栅极，另一端电性连接于接地电位(GND)的方式，减少了电容端的信号输入，简化了需要提供的输入信号。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有发光二极管自身的电流决定。通常AMOLED像素驱动电路包括两个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)与一个电容(Capacitor)，即2T1C像素驱动电路。其中，用于控制数据信号(Data)写入的薄膜晶体管为开关薄膜晶体管(SwitchingTFT)，用于控制通过OLED的电流的薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管(DrivingTFT)。因此，驱动薄膜晶体管的阈值电压(Vth)的重要性便十分明显，阈值电压的正向或负向漂移都有会使得在相同数据信号下有不同的电流通过OLED，使OLED有不同的发光亮度。目前使用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)或者氧化物半导体制作的薄膜晶体管在使用的过程中均会发生阈值电压漂移的现象，例如氧化物半导体中的照光、源漏电极电压应力作用等因素，都可能导致阈值电压漂移，造成通过OLED的电流与想要的电流不一致，面板亮度因此也达不到要求。一般的2T1C像素驱动电路中驱动薄膜晶体管阈值电压的漂移无法通过调节得到改善，因此需要采用添加新的薄膜晶体管或新的信号的方式来减弱甚至消除阈值电压漂移带来的影响。请参阅图1，现有的一种采用5T1C结构的AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、电容Cst、及有机发光二极管OLED。所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接于电容Cst的一端及第二薄膜晶体管T2的漏极，源极电性连接于第三薄膜晶体管T3的漏极，漏极电性连接于第四薄膜晶体管T4的漏极及第五薄膜晶体管T5的源极；所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接于第一扫描控制信号N1，源极电性连接于第三薄膜晶体管T3的漏极，漏极电性连接于第一薄膜晶体管T1的栅极及电容Cst的一端；所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于发光控制信号EM，源极电性连接于电源正电压SR1/OVDD，漏极电性连接于第二薄膜晶体管T2的源极及第一薄膜晶体管T1的源极；所述第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接于第一扫描控制信号N1，源极电性连接于数据信号DIN/Vdata，漏极电性连接于第一薄膜晶体管T1的漏极及第五薄膜晶体管T5的源极；所述第五薄膜晶体管T5的栅极电性连接于发光控制信号EM，源极电性连接于第一薄膜晶体管T1的漏极及第四薄膜晶体管T4的漏极，漏极电性连接于有机发光二极管OLED的阳极；所述电容Cst的一端电性连接于第一薄膜晶体管T1的栅极及第二薄膜晶体管T2的漏极，另一端电性连接于第二扫描控制信号N2；所述有机发光二极管OLED的阳极电性连接于第五薄膜晶体管T5的漏极，阴极电性连接于电源负电压SR2/OVSS。该现有的5T1C结构的AMOLED像素驱动电路中，所述电容Cst的另一端需要单独输入第二扫描控制信号N2进行控制，造成了输入信号较复杂，面板的制造成本较高，电路稳定性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，减小流过有机发光二极管的电流随阈值电压漂移的变化，大幅提高电流的稳定性，使面板亮度均匀，并能够减少电容端的信号输入，简化输入信号，提高降低面板的制造成本，提升电路的工作效率。本专利技术的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，该方法能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，减小流过有机发光二极管的电流随阈值电压漂移的变化，大幅提高电流的稳定性，使面板亮度均匀，并能够减少电容端的信号输入，简化输入信号，提高降低面板的制造成本，提升电路的工作效率。为实现上述目的，本专利技术提供一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第二反向扫描控制信号，漏极电性连接于电源电压，源极电性连接于第一节点；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号，漏极电性连接于第二节点，源极电性连接于第一节点；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第一反向扫描控制信号，漏极电性连接于有机发光二极管的阳极，源极电性连接于第三节点；所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点及电容的一端，漏极电性连接于第一节点，源极电性连接于第三节点及第五薄膜晶体管的漏极；所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号，漏极电性连接于第三节点及第四薄膜晶体管的源极，源极电性连接于数据信号；所述电容的一端电性连接于第二节点及第四薄膜晶体管的栅极，另一端电性连接于接地电位；所述有机发光二极管的阳极电性连接于第三薄膜晶体管的漏极，阴极电性连接于接地电位；所述第四薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；所述AMOLED像素驱动电路通过直接抓取所述第四薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿，且阈值电压抓取与数据信号读入同时完成。所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、与第五薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。所述第一扫描控制信号、第一反向扫描控制信号、第二扫描控制信号、第二反向扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。所述第一扫描控制信号、第一反向扫描控制信号、第二扫描控制信号、第二反向扫描控制信号、及数据信号相组合，先后对应于初始化阶段，阈值电压编程阶段、及驱动发光阶段；在所述阈值电压编程阶段同时完成阈值电压抓取与数据信号读入的过程。在所述初始化阶段，所述第一扫描控制信号提供高电位，第一反向扫描控制信号提供低电位，第二扫描控制信号提供低电位，第二反向扫描控制信号提供高电位，数据信号提供低电位；在所述阈值电压编程阶段，所述第一扫描控制信号提供高电位，第一反向扫描控制信号提供低电位，第二扫描控制信号提供高电位，第二反向扫描控制信号提供低电位，数据信号提供高电位；在所述驱动发光阶段，所述第一扫描控制信号提供低电位，第一反向扫描控制信号提供高电位，第二扫描控制信号提供低电位，第二反向扫描控制信号提供高电位，数据信号提供低电位。或者在所述初始化阶段，所述第一扫描控制信号提供高电位，第一反向扫描控制信号提供高电位，第二扫描控制信号提供低电位，第二反向扫描控制信号提供高电位，数据信号提供低电位；在所述阈本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(M1)、第二薄膜晶体管(M2)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；所述第一薄膜晶体管(M1)的栅极电性连接于第二反向扫描控制信号(XGate2)，漏极电性连接于电源电压(VDD)，源极电性连接于第一节点(A)；所述第二薄膜晶体管(M2)的栅极电性连接于第一扫描控制信号(Gate1)，漏极电性连接于第二节点(D)，源极电性连接于第一节点(A)；所述第三薄膜晶体管(M3)的栅极电性连接于第一反向扫描控制信号(XGate1)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极，源极电性连接于第三节点(S)；所述第四薄膜晶体管(M4)的栅极电性连接于第二节点(D)及电容(C1)的一端，漏极电性连接于第一节点(A)，源极电性连接于第三节点(S)及第五薄膜晶体管(M5)的漏极；所述第五薄膜晶体管(M5)的栅极电性连接于第二扫描控制信号(Gate2)，漏极电性连接于第三节点(S)及第四薄膜晶体管(M4)的源极，源极电性连接于数据信号(Data)；所述电容(C1)的一端电性连接于第二节点(D)及第四薄膜晶体管(M4)的栅极，另一端电性连接于接地电位(GND)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的漏极，阴极电性连接于接地电位(GND)；所述第四薄膜晶体管(M4)为驱动薄膜晶体管；所述AMOLED像素驱动电路通过直接抓取所述第四薄膜晶体管(M4)的阈值电压进行阈值电压补偿，且阈值电压抓取与数据信号(Data)读入同时完成。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(M1)、第二薄膜晶体管(M2)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；所述第一薄膜晶体管(M1)的栅极电性连接于第二反向扫描控制信号(XGate2)，漏极电性连接于电源电压(VDD)，源极电性连接于第一节点(A)；所述第二薄膜晶体管(M2)的栅极电性连接于第一扫描控制信号(Gate1)，漏极电性连接于第二节点(D)，源极电性连接于第一节点(A)；所述第三薄膜晶体管(M3)的栅极电性连接于第一反向扫描控制信号(XGate1)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极，源极电性连接于第三节点(S)；所述第四薄膜晶体管(M4)的栅极电性连接于第二节点(D)及电容(C1)的一端，漏极电性连接于第一节点(A)，源极电性连接于第三节点(S)及第五薄膜晶体管(M5)的漏极；所述第五薄膜晶体管(M5)的栅极电性连接于第二扫描控制信号(Gate2)，漏极电性连接于第三节点(S)及第四薄膜晶体管(M4)的源极，源极电性连接于数据信号(Data)；所述电容(C1)的一端电性连接于第二节点(D)及第四薄膜晶体管(M4)的栅极，另一端电性连接于接地电位(GND)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的漏极，阴极电性连接于接地电位(GND)；所述第四薄膜晶体管(M4)为驱动薄膜晶体管；所述AMOLED像素驱动电路通过直接抓取所述第四薄膜晶体管(M4)的阈值电压进行阈值电压补偿，且阈值电压抓取与数据信号(Data)读入同时完成；所述第一扫描控制信号(Gate1)、第一反向扫描控制信号(XGate1)、第二扫描控制信号(Gate2)、第二反向扫描控制信号(XGate2)、及数据信号(Data)相组合，先后对应于初始化阶段(Initial)，阈值电压编程阶段(Program)、及驱动发光阶段(Driving)；在所述阈值电压编程阶段(Program)同时完成阈值电压抓取与数据信号(Data)读入的过程。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(M1)、第二薄膜晶体管(M2)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、与第五薄膜晶体管(M5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(Gate1)、第一反向扫描控制信号(XGate1)、第二扫描控制信号(Gate2)、第二反向扫描控制信号(XGate2)均通过外部时序控制器提供。4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，在所述初始化阶段(Initial)，所述第一扫描控制信号(Gate1)提供高电位，第一反向扫描控制信号(XGate1)提供低电位，第二扫描控制信号(Gate2)提供低电位，第二反向扫描控制信号(XGate2)提供高电位，数据信号(Data)提供低电位；在所述阈值电压编程阶段(Program)，所述第一扫描控制信号(Gate1)提供高电位，第一反向扫描控制信号(XGate1)提供低电位，第二扫描控制信号(Gate2)提供高电位，第二反向扫描控制信号(XGate2)提供低电位，数据信号(Data)提供高电位；在所述驱动发光阶段(Driving)，所述第一扫描控制信号(Gate1)提供低电位，第一反向扫描控制信号(XGate1)提供高电位，第二扫描控制信号(Gate2)提供低电位，第二反向扫描控制信号(XGate2)提供高电位，数据信号(Data)提供低电位。5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，在所述初始化阶段(Initial)，所述第一扫描控制信号(Gate1)提供高电位，第一反向扫描控制信号(XGate1)提供高电位，第二扫描控制信号(Gate2)提供低电位，第二反向扫描控制信号(XGate2)提供高电位，数据信号(Data)提供低电位；在所述阈值电压编程阶段(Program)，所述第一扫描控制信号(Gate1)提供高电位，第一反向扫描控制信号(XGate1)提供低电位，第二扫描控制信号(Gate2)提供高电位，第二反向扫描控制信号(XGate2)提供低电位，数据信号(Data)提供高电位；在所述驱动发光阶段(Driving)，所述第一扫描控制信号(Gate1)提...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂诚磊，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44