本实用新型专利技术公开了一种程控衰减器，一种程控衰减器，它包括输入端口、输出端口、衰减位1、衰减位2、衰减位3、衰减位4、衰减位5、衰减位6和衰减位7，目标信号从输入端口进入，经过衰减位1~7的衰减后通过输出端口输出；所述的衰减位1~6各包括一个衰减单元，衰减位7包括两个衰减单元。本实用新型专利技术在原有的衰减器设计方案的情况下通过对分位衰减，隔离墙玻珠连接，TTL电平追加滤波器3个方面进行添加优化，极大的改善了传统的7位衰减器的衰减量只能达到64dB，超过64dB后衰减量不准确的现状。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种程控衰减器。
技术介绍
随着科技的发展和工业水平的不断进步，衰减器的应用范围也越来越广，现有的衰减器按照一位一衰减的方式进行，在低频的情况下完成64dB以内的衰减还可以实现。频率提高到超过3G后，由于PIN管芯的隔离度存在极限，这个时候的衰减值一旦超过64dB就很难增长。如图1所示，传统的7位衰减器实现信号的移相需要进行开关上下切换。但是每只PIN 二极管都存在理论上的隔离度上限，这个上限会随着频率的升高而下降，也就是说当隔离度已经达不到超过的衰减值时，这个时候衰减量就会发生异常，达不到要求的技术指标；比如若要求衰减64dB，但是2个PIN 二极管隔离度实际只有40dB，这时候进行衰减时就会发现实际衰减量只有不到40dB，达不到64dB。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种程控衰减器，极大的改善了传统的7位衰减器的衰减量只能达到64dB，超过64dB后衰减量不准确的现状。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种程控衰减器，它包括输入端口、输出端口、衰减位1、衰减位2、衰减位3、衰减位4、衰减位5、衰减位6和衰减位7，目标信号从输入端口进入，经过衰减位1~7的衰减后通过输出端口输出；所述的衰减位1~6各包括一个衰减单元，衰减位7包括两个衰减单元。所述的衰减单元包括信号输入端、信号输出端、第一 PIN 二极管、第二 PIN 二极管、第三PIN 二极管、第四PIN 二极管和两个控制命令输入端，信号输入端分别与第一 PIN 二极管N极和第三PIN 二极管N极连接，第一 PIN 二极管P极和第二 PIN 二极管P极连接，第三PIN 二极管P极和第四PIN 二极管P极连接，第二 PIN 二极管N极和第四PIN 二极管N极同时与信号输出端连接，所述的两个控制命令输入端分别接收来自外部的两个控制命令电路的信号，并分别位于第一、第二 PIN 二极管之间和第三、第四PIN 二极管之间。所述的控制命令电路由TTL电平连接3级滤波器组成。所述的衰减单元之间通过高频波珠进行连接并设置有隔离墙。本技术的有益效果是:(I)将衰减位7的将64dB拆分为2个32dB，并共用一个TTL电平信号，每一位2个PIN管芯的隔离度达到40dB，可以保证这个总体能够衰减到64dB；(2)每一个衰减位之间都增加了隔离墙，衰减位之间采用高频玻珠的方式进行连接，保证了性能指标，同时极大的减少了隔间辐射带来的信号串扰；(3)在每一个TTL电平前都增加了一个3级滤波器，防止射频信号通过驱动面串扰到微波面的情况，一定程度上增加了隔尚度。【附图说明】图1为传统的7位衰减器电路结构示意图；图2为本技术电路结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图2所示，一种程控衰减器，它包括输入端口、输出端口、衰减位1、衰减位2、衰减位3、衰减位4、衰减位5、衰减位6和衰减位7,目标信号从输入端口进入，经过衰减位1~7的衰减后通过输出端口输出；所述的衰减位1~6各包括一个衰减单元,衰减位7包括两个衰减单元。衰减位I的衰减量为ldB，衰减位2的衰减量为2dB，衰减位3的衰减量为4dB，衰减位4的衰减量为8dB，衰减位5的衰减量为16dB，衰减位的衰减量为32dB，衰减位7具有2个衰减量为32dB的衰减单元。所述的衰减单元包括信号输入端、信号输出端、ΡΙΝΙ、PIN2、PIN3、PIN4和两个控制命令输入端，信号输入端分别与PINl的N极和PIN3的N极连接，PINl的P极和PIN2的P极连接，PIN3的P极和PIN4的P极连接，PIN2的N极和PIN4的N极同时与信号输出端连接，所述的两个控制命令输入端分别接收来自外部的两个控制命令电路的信号，并分别位于 ΡΙΝΙ、PIN2 之间和 PIN3、PIN4 之间。所述的控制命令电路由TTL电平连接3级滤波器组成。所述的衰减单元之间通过高频波珠进行连接并设置有隔离墙。本技术在传统的7位衰减器上进行了三点改良，极大的提高了衰减量:1、将64dB拆分为2个32dB，这种做法在最后2个32dB的衰减位共用一个TTL信号，所以实际上还是7位衰减器，但是由于最后64dB位采用了 2个32dB进行，每一位2个PIN管芯的隔离度达到40dB，可以保证这个总体能够衰减到64dB。2、每一个衰减位之间都增加了隔离墙，衰减位与衰减位之间采用高频玻珠的方式进行连接，保证了性能指标，同时极大的减少了隔间辐射带来的信号串扰。3、TTL加电电平控制PIN管进行衰减信号的切换，设计时在每一个TTL电平前都增加了一个3级滤波器，防止射频信号通过驱动面串扰到微波面的情况，一定程度上增加了隔尚度。本技术在原有的衰减器设计方案的情况下通过对分位衰减，隔离墙玻珠连接，TTL电平追加滤波器3个方面进行添加优化，极大的改善了传统7位衰减器衰减量只能达到64dB,超过64dB后衰减量不准的现状。【主权项】1.一种程控衰减器，其特征在于:它包括输入端口、输出端口、衰减位1、衰减位2、衰减位3、衰减位4、衰减位5、衰减位6和衰减位7,目标信号从输入端口进入,经过衰减位1~7的衰减后通过输出端口输出；所述的衰减位1~6各包括一个衰减单元,衰减位7包括两个衰减单元。2.根据权利要求1所述的一种程控衰减器，其特征在于:所述的衰减单元包括信号输入端、信号输出端、第一 PIN 二极管、第二 PIN 二极管、第三PIN 二极管、第四PIN 二极管和两个控制命令输入端，信号输入端分别与第一 PIN 二极管N极和第三PIN 二极管N极连接，第一 PIN 二极管P极和第二 PIN 二极管P极连接，第三PIN 二极管P极和第四PIN 二极管P极连接，第二 PIN 二极管N极和第四PIN 二极管N极同时与信号输出端连接，所述的两个控制命令输入端分别接收来自外部的两个控制命令电路的信号，并分别位于第一、第二 PIN二极管之间和第三、第四PIN 二极管之间。3.根据权利要求2所述的一种程控衰减器，其特征在于:所述的控制命令电路由TTL电平连接3级滤波器组成。4.根据权利要求1所述的一种程控衰减器，其特征在于:所述的衰减单元之间通过高频波珠进行连接并设置有隔离墙。【专利摘要】本技术公开了一种程控衰减器，一种程控衰减器，它包括输入端口、输出端口、衰减位1、衰减位2、衰减位3、衰减位4、衰减位5、衰减位6和衰减位7，目标信号从输入端口进入，经过衰减位1~7的衰减后通过输出端口输出；所述的衰减位1~6各包括一个衰减单元，衰减位7包括两个衰减单元。本技术在原有的衰减器设计方案的情况下通过对分位衰减，隔离墙玻珠连接，TTL电平追加滤波器3个方面进行添加优化，极大的改善了传统的7位衰减器的衰减量只能达到64dB，超过64dB后衰减量不准确的现状。【IPC分类】H03H11-24【公开号】CN204362010【申请号】CN201420793964【专利技术人】骆兆宇, 徐克兴, 赵天新 【申请人】成都九洲迪飞科技有限责任公司【公开日】2015年5月27日【申请日】2014年12月16日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种程控衰减器，其特征在于：它包括输入端口、输出端口、衰减位1、衰减位2、衰减位3、衰减位4、衰减位5、衰减位6和衰减位7，目标信号从输入端口进入，经过衰减位1~7的衰减后通过输出端口输出；所述的衰减位1~6各包括一个衰减单元，衰减位7包括两个衰减单元。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：骆兆宇，徐克兴，赵天新，
申请(专利权)人：成都九洲迪飞科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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