新型噻吩并吲哚衍生物和使用了该衍生物的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术的噻吩并吲哚衍生物用下述通式(1)表示。通式(1)中，Ar1为芳香族烃基、X1和X2中的至少一者为具有芳香族叔氨基结构的基团，其他基团可以为氢原子。该化合物由于向噻吩并吲哚环结构中导入了芳香族叔氨基结构，具有(A)空穴的注入特性良好、(B)空穴的迁移率大、(C)电子阻挡能力优异、(D)薄膜状态稳定、以及(E)耐热性优异这样的特性，作为在有机EL器件中使用的空穴传输物质是有用的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
下述通式(1)所示的噻吩并吲哚衍生物：式中，Ar1表示芳香族烃基或芳香族杂环基，R1～R4分别为氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数5～10的环烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数5～10的环烷氧基、芳香族烃基、芳香族杂环基或芳氧基，R1～R3可以介由单键、任选具有取代基的亚甲基、氧原子或硫原子彼此键合而形成环，X1和X2在至少任一者为下述结构式(2)所示的1价基团的条件下，分别为氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数5～10的环烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数5～10的环烷氧基、芳香族烃基、芳香族杂环基或芳氧基、或者下述结构式(2)所示的1价基团：式中，A1表示2价的芳香族烃基、2价的芳香族杂环基或单键，Ar2和Ar3分别表示芳香族烃基或芳香族杂环基，Ar2与Ar3可以介由单键、任选具有取代基的亚甲基、氧原子或硫原子彼此键合而形成环，A1为2价的芳香族烃基时，A1与Ar2可以介由单键、任选具有取代基的亚甲基、氧原子或硫原子彼此键合而形成环。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山纪昌，桦泽直朗，林秀一，
申请(专利权)人：保土谷化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP