半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括管芯、设置为邻近管芯的导电柱以及包围导电柱和管芯的模塑件，模塑件包括从导电柱的侧壁凸出并且设置在导电柱的顶面上的凸部。另外，一种制造半导体器件的方法包括设置管芯，邻近管芯设置导电柱，在导电柱和管芯上方设置模塑件，从模塑件的顶部去除部分模塑件以及在导电柱的顶面之上形成模塑件的凹部。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。
技术介绍
含半导体器件的电子设备在我们日常生活中必不可少。随着电子技术的进步，电子设备变得更加复杂并且包含更多用于执行期望的多功能的集成电路。因此，为了制造电子设备中的半导体器件，电子设备的制造包括越来越多步骤和各种类别的材料。因此，不断需要对每个电子设备都简化制造步骤，提高制造效率并且降低相关的制造成本。在半导体器件的制造步骤中，半导体器件装配有多个包含热性能不同的各种材料的集成元件。因此，在半导体器件固化之后，集成元件处于不期望的结构。这种不期望的结构会导致半导体器件成品率损失、元件之间接合性不良、产生裂缝、元件分层等等。另外，半导体器件的元件包含各种稀有而成本较高的金属材料。元件的不期望结构和半导体的成品率损失会进一步加剧材料浪费，从而提高制造成本。随着涉及更多含不同材料的不同元件以及半导体器件的制造工艺的复杂程度增加，改变半导体器件的结构和改进制造工艺越发具有挑战性。因此，不断需要改进制造半导体的方法并且解决上述缺陷。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的问题，本专利技术的一个专利技术提供了一种半导体器件，包括：管芯；导电柱，设置为邻近所述管芯；以及模塑件，包围所述导电柱和所述管芯，其中，所述模塑件包括从所述导电柱的侧壁凸出并且设置在所述导电柱的顶面上的凸部。根据本专利技术的一个实施例，所述模塑件的顶面基本高于所述导电柱的顶面。根据本专利技术的一个实施例，所述模塑件的所述凸部包括从所述模塑件的顶面向所述导电柱的顶面延伸的凹部。根据本专利技术的一个实施例，所述导电柱的顶面和所述导电柱的侧壁之间的所述导电柱内的夹角为大约30度至大约130度。根据本专利技术的一个实施例，所述模塑件的所述凸部呈阶梯式结构。根据本专利技术的一个实施例，所述模塑件的高度为大约50μm至大约500μm。根据本专利技术的一个实施例，所述导电柱的顶面呈朝向所述模塑件的顶面的凸形或者呈朝向所述导电柱的底面的凹形。根据本专利技术的一个实施例，所述模塑件的所述凸部从所述导电柱的侧壁凸起大约10μm至大约50μm。根据本专利技术的一个实施例，所述模塑件的所述凸部包围与所述导电柱电连接的再分布层(RDL)的一部分。根据本专利技术的一个实施例，所述导电柱呈圆形或椭圆形。根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：管芯；第一导电柱，设置在所述管芯的焊盘上；第一再分布层(RDL)，设置在所述第一导电柱上，并且包括与所述第一导电柱的顶面相连接的第一延伸部；第二导电柱，设置为邻近所述管芯；模塑件，包括凹部，并且包围所述第二导电柱和所述管芯；以及第二再分布层(RDL)，包括与所述第二导电柱的顶面相连接并且被所述模塑件的所述凹部包围的第二延伸部。根据本专利技术的一个实施例，所述第二RDL的所述第二延伸部的高度基本大于所述第一RDL的所述第一延伸部的高度。根据本专利技术的一个实施例，所述第二导电柱的宽度基本大于所述第二RDL的所述第二延伸部的宽度。根据本专利技术的一个实施例，所述模塑件的所述凹部包围部分聚合物。根据本专利技术的一个实施例，所述部分聚合物包围所述第一RDL的所述第一延伸部或者所述第二RDL的所述第二延伸部。根据本专利技术的又一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：设置管芯；邻近所述管芯设置导电柱；在所述导电柱和所述管芯上方设置模塑件；从所述模塑件的顶部去除所述模塑件一部分；以及在所述导电柱的顶面之上形成所述模塑件的凹部。根据本专利技术的一个实施例，所述凹部的宽度小于所述导电柱的宽度。根据本专利技术的一个实施例，通过激光钻孔形成所述模塑件的所述凹部。根据本专利技术的一个实施例，通过研磨去除所述模塑件的所述一部分。根据本专利技术的一个实施例，还包括：在所述凹部内设置导电材料或聚合物材料，以形成再分布层(RDL)。附图说明当结合附图进行阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本专利技术。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各种不同部件没有按比例绘制。实际上，为了使论述清晰，可以任意增加或减小各种部件的数量和尺寸。图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体器件的示意图。图1A是根据本专利技术的一些实施例的图1中的半导体器件的左部的放大图。图2是根据本专利技术的一些实施例的具有被模塑件的凸起部分所包围的部分第二再分布层(RDL)的半导体器件的示意图。图3是根据本专利技术的一些实施例的具有顶面呈凸形的第二导电柱的半导体器件的示意图。图4是根据本专利技术的一些实施例的具有顶面呈凸形的第二导电柱的半导体器件的示意图。图5是根据本专利技术的一些实施例的具有顶面呈凹形的第二导电柱的半导体器件的示意图。图6是根据本专利技术的一些实施例的具有顶面呈凹形的第二导电柱的半导体器件的示意图。图7是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。图7A是根据本专利技术的一些实施例的具有载体的半导体器件的示意图。图7B是根据本专利技术的一些实施例的具有管芯的半导体器件的示意图。图7C是根据本专利技术的一些实施例的具有管芯焊盘的半导体器件的示意图。图7D是根据本专利技术的一些实施例的具有钝化件的半导体器件的示意图。图7E是根据本专利技术的一些实施例的具有开口的半导体器件的示意图。图7F是根据本专利技术的一些实施例的具有第一导电柱的半导体器件的示意图。图7G是根据本专利技术的一些实施例的具有第二导电柱的半导体器件的示意图。图7H是根据本专利技术的一些实施例的具有第一聚合物的半导体器件的示意图。图7I是根据本专利技术的一些实施例的具有模塑件的半导体器件的示意图。图7J是根据本专利技术的一些实施例的具有经过研磨的模塑件的半导体器件的示意图。图7K是根据本专利技术的一些实施例的具有第一凹部的半导体器件的示意图。图7L是根据本专利技术的一些实施例的具有第二聚合物的半导体器件的示意图。图7M是根据本专利技术的一些实施例的具有第二凹部和第三凹部的半导体器件的示意图。图7N是根据本专利技术的一些实施例的具有第一RDL和第二RDL的半导体器件的示意图。图7P是根据本专利技术的一些实施例的具有第三聚合物的半导体器件的示意图。图7Q是根据本专利技术的一些实施例的具有接合焊盘的半导体器件的示意图。图7R是根据本专利技术的一些实施例的具有凸块的半导体器件的示意图。图7S是根据本专利技术的一些实施例的不具有载体的半导体器件的示意图。图7T是根据本专利技术的一些实施例的与另一管芯或另一封装件相接合的半导体器件的示意图。图8是根据本专利技术的一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。图8A是根据本专利技术的一些实施例的具有载体的半导体器件的示意图。图8B是根据本专利技术的一些实施例的具有管芯的半导体器件的示意图。图8C是根据本专利技术的一些实施例的具有管芯焊盘的半导体器件的示意图。图8D是根据本专利技术的一些实施例的具有钝化件的半导体器件的示意图。图8E是根据本专利技术的一些实施例的具有开口的半导体器件的示意图。图8F是根据本专利技术的一些实施例的具有第一导电柱的半导体器件的示意图。图8G是根据本专利技术的一些实施例的具有第二导电柱的半导体器件的示意图。图8H是根据本专利技术的一些实施例的具有第一聚合物的半导体器件的示意图。图8I是根据本专利技术的一些实施例的具有模塑件的半导体器件的示意图。图8J是根据本专利技术的一些实施例的具有经过研磨的模塑件的半导体器件的示意图。图8K是根据本专利技术的一些实施例的具有第一凹部的半导体器件的示意图。图8L是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：管芯；导电柱，设置为邻近所述管芯；以及模塑件，包围所述导电柱和所述管芯，其中，所述模塑件包括从所述导电柱的侧壁凸出并且设置在所述导电柱的顶面上的凸部。

【技术特征摘要】
2013.11.18 US 14/082,9771.一种半导体器件，包括：管芯；第一导电柱，设置在所述管芯的焊盘上；钝化件，设置在所述管芯的表面上方以及所述焊盘上方；第一聚合物，设置在所述钝化件上方；第二导电柱，设置为邻近所述管芯；以及模塑件，包围所述第二导电柱和所述管芯，其中，所述模塑件包括从所述第二导电柱的侧壁凸出并且设置在所述第二导电柱的顶面上的凸部，所述模塑件还包括设置在所述侧壁与所述钝化件之间以及所述侧壁与所述第一聚合物之间的部分；所述模塑件的凸部的顶面与所述第一导电柱的顶面齐平，所述第一导电柱和所述第二导电柱配置为将所述管芯内的电路与所述管芯外的电路电连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的顶面高于所述第二导电柱的顶面。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凸部包括从所述模塑件的顶面向所述第二导电柱的顶面延伸的凹部。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电柱的顶面和所述第二导电柱的侧壁之间的所述第二导电柱内的夹角为30度至130度。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凸部呈阶梯式结构。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的高度为50μm至500μm。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电柱的顶面呈朝向所述模塑件的顶面的凸形或者呈朝向所述第二导电柱的底面的凹形。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凸部从所述第二导电柱的侧壁凸起10μm至50μm。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凸部包围与所述第二导电柱电连接的再分布层(RDL)的一部分。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电柱呈圆形或椭圆形。11.一种半导体器件，包括：管芯；第一导电柱，设置在所述管芯的焊盘上；钝化件，设置在所述管芯的表面上方以及所述焊盘上方；第一聚合物，设置在所述钝化件上方；第一再分布层(RDL)，设置在所述第一导电柱上，并且包括与所述第一导电柱的顶面相连接的第一延伸部；第二导电柱，设置为邻近所述管...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑礼辉，蔡柏豪，洪瑞斌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71