有机电致发光器件及其制备方法技术

技术编号:11478708 阅读:62 留言:0更新日期:2015-05-20 09:25
本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及其制备方法,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构包括:阴极层以及设在阴极层上的阻挡层,所述阻挡层由依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层组成;其中:所述第一、第二有机阻挡层的材质均为氮氧硅化合物膜,所述氮氧硅化合物的化学式为SiOxNy,所述第一无机阻挡层的材质为由硼化物和氮化物组成的混合物,所述第二无机阻挡层的材质为由氮化物和碳化物组成的混合物。本发明专利技术由于采用交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层,致密性高,防水氧能力强,而本发明专利技术的制备方法具有原料廉价、工艺简单以及易于大面积制备等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构依次包括:阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层,其特征在于,所述阴极层上还设有阻挡层,所述阻挡层由依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层组成;其中:所述第一、第二有机阻挡层的材质均为氮氧硅化合物膜,所述氮氧硅化合物的化学式为SiOxNy,其中,x表示含氧量,0.01<x<2,y表示含氮量,0.01<y<1.3;所述第一无机阻挡层的材质为由硼化物和氮化物组成的混合物;其中,所述硼化物为AlB2、LaB6、VB2、NbB、TiB2或MoB;所述氮化物为Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN;所述硼化物占所述第一无机阻挡层的重量百分比为60~80wt%;所述氮化物占所述第一无机阻挡层的重量百分比为20~40wt%;所述第二无机阻挡层的材质为由氮化物和碳化物组成的混合物;其中,所述氮化物为Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN;所述碳化物为SiC、WC、TaC、BC、TiC或HfC;所述氮化物占所述第二无机阻挡层的重量百分比为80~90wt%;所述碳化物占所述第二无机阻挡层的重量百分比为10~20wt%。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周明杰钟铁涛王平陈吉星
申请(专利权)人:海洋王照明科技股份有限公司深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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