一种制备少层MoS2纳米片的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备少层MoS2纳米片的方法，其方法为：配制100ml比例为30%的乙醇溶液置于250ml三口烧瓶中，称取0.1g MoS2粉末投入上述混合溶液中；将三口烧瓶置于水浴中升温回流，待温度达到75~85℃后持续2~4小时自然冷却至室温；混合溶液在一定的转速下离心20分钟，取上层清液，使用有机滤膜进行抽滤，再经60℃干燥12小时，得到目标产物。本发明专利技术的优点是：解决MoS2纳米片制备困难的问题，以及为MoS2纳米片在其他领域扩大应用奠定基础；本发明专利技术的材料制备采用混合溶剂回流剥离的方法，其操作简单、生产成本低廉、产品纯度高以及重复性好，适合扩大化生产的要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备少层MoS2纳米片的方法，其特征在于方法步骤如下：（1）配制100毫升体积比为30%的乙醇‑水溶液置于250毫升三口烧瓶中，称取0.1克 MoS2粉末投入上述混合溶液中；（2）再将三口烧瓶置于水浴中升温回流，待温度达到75~85℃后持续2~4小时，而后自然冷却至室温；（3）混合溶液在1500~2500转/分的转速下离心20分钟，取上层清液，使用0.22微米孔径有机滤膜进行抽滤，再经60℃干燥12小时，得到目标产物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邢秋菊，包少魁，熊华萍，占玉霞，邹建平，罗胜联，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西;36