【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在第一基板上依次形成栅极、栅极绝缘层以及氧化物半导体膜层；在所述氧化物半导体膜层上依次形成第一金属层以及第二金属层，并在所述第二金属层上形成一漏极以及一源极，其中，所述源极和漏极被一沟道分隔开，且所述沟道暴露出部分所述第一金属层；对暴露的所述部分第一金属层进行氧化；形成绝缘钝化层并设置接触电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：迟世鹏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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