【技术实现步骤摘要】
固态存储装置及其读取电压设定方法
本专利技术是涉及一种固态存储装置,特别是一种闪存模块的读取电压设定方法。
技术介绍
数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于闪存(flashmemory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性,最适于可携式电子产品,例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以闪存作为存储媒体的存储装置。因此,近年闪存产业成为电子产业中相当热门的一环。图1是根据现有技术所绘制的闪存元件的示意图。请参照图1,闪存元件1包含用于存储电子的电荷捕捉层(chargetrappinglayer)2、用于施加电压的控制栅极(ControlGate)3、隧穿氧化层(TunnelOxide)4与多晶硅间介电层(InterpolyDielectric)5。当欲写入数据至闪存元件1时,可通过将电子注入电荷捕捉层2以改变闪存元件1的临界电压,由此定义闪存元件1的数字高低状态,而实现存储数据的功能。在此,注入电子至电荷捕捉层2的过程称为程序化。反之,当欲将所存储的数据移除时,通过将所注入的电子从电荷捕捉层2中移除,则可使闪存元件1回复为未被程序化前的状态。在写入与抹除过程中,闪存元件1会随着电子的多次的注入与移除而造成磨损,导致电子写入速度增加并造成临界电压分布变宽。因此,在多次写入与抹除后,闪存元件1可能无法被正确地识别其存储状态,而产生错误位。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种固态存储装置及其读取电压设定方法,其能够在存储单元发生磨损时,正确地识别其存储状态。本专利技术提出一种固态存储装置的读 ...
【技术保护点】
一种固态存储装置的读取电压设定方法,其中所述固态存储装置包括用于存储数据的一闪存模块,所述闪存模块具有多个存储单元,且每一所述存储单元具有第一存储状态与第二存储状态,所述读取电压设定方法包括:调整所述存储单元的一预设读取电压以获得多个检测读取电压;分别地施予所述预设读取电压以及所述检测读取电压至所述存储单元,以读取分别关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的多个验证数据;根据关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证数据,计算并记录相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的多个统计参量;以及根据所述统计参量来获取一优化读取电压。
【技术特征摘要】
1.一种固态存储装置的读取电压设定方法,其中所述固态存储装置包括用于存储数据的一闪存模块,所述闪存模块具有多个存储单元,且每一所述存储单元具有第一存储状态与第二存储状态,所述读取电压设定方法包括:调整所述存储单元的一预设读取电压以获得多个检测读取电压;分别地施予所述预设读取电压以及所述检测读取电压至所述存储单元,以读取分别关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的多个验证数据;根据关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证数据,计算并记录相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的多个统计参量,所述统计参量代表相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的存储单元数量;施予一额外检测读取电压至所述存储单元,并计算与所述额外检测读取电压相邻的所述检测读取电压其中之一以及所述额外检测读取电压之间的一额外统计参量;将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一;以及根据所述统计参量来获取一优化读取电压。2.如权利要求1所述的读取电压设定方法,其特征在于,调整所述存储单元的所述预设读取电压以获得所述检测读取电压的步骤包括:以所述预设读取电压作为基准,根据所述预设读取电压以及多个预设区间而获得所述检测读取电压,其中所述检测读取电压的数目与所述预设区间的数目相等。3.如权利要求2所述的读取电压设定方法,其特征在于,根据关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证数据,计算并记录相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的所述统计参量的步骤包括:计算关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证数据之中被识别为一第一状态的位数据的多个变动量,所述变动量代表存储单元的临界电压分布偏移的程度;以及依据所述预设读取电压与所述检测读取电压各自对应的所述变动量以及所述预设区间,计算以获取相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的所述统计参量。4.如权利要求1所述的读取电压设定方法,其特征在于,根据所述统计参量来获取所述优化读取电压的步骤包括:根据当前记录的所述统计参量来建立一多项式方程式,以通过所述多项式方程式近似所述统计参量;以及根据所述多项式方程式寻找一最小估测值,并依据所述最小估测值获取所述优化读取电压。5.如权利要求4所述的读取电压设定方法,其特征在于,在根据当前记录的所述统计参量来建立所述多项式方程式,以通过所述多项式方程式近似所述统计参量的步骤之后,还包括:依据所述多项式方程式以及所述统计参量,判断所述多项式方程式与所述统计参量是否属于一正常状态;以及当所述多项式方程式与所述统计参量并非属于所述正常状态,施予所述额外检测读取电压至所述存储单元,以获取所述额外统计参量并将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一。6.如权利要求1所述的读取电压设定方法,其特征在于,还包括:依据一参数模型辨别所述统计参量属于一第一偏移状态或一第二偏移状态;当所述统计参量属于所述第一偏移状态,选择大于所述预设读取电压的所述额外检测读取电压;以及当所述统计参量属于所述第二偏移状态,选择小于所述预设读取电压的所述额外检测读取电压。7.一种固态存储装置的读取电压设定方法,其中所述固态存储装置包括用于存储数据的一闪存模块,所述闪存模块具有多个存储单元,且每一所述存储单元具有第一存储状态与第二存储状态,所述读取电压设定方法包括:调整所述存储单元的一预设读取电压以获得多个检测读取电压;分别地施予所述预设读取电压以及所述检测读取电压至所述存储单元,以读取分别关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的多个验证数据;根据关联于所述预设读取电压以及所述检测读取电压的所述验证数据,计算并记录相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的多个统计参量,所述统计参量代表相互相邻的所述预设读取电压以及所述检测读取电压之间的存储单元数量;判断是否可从所述统计参量搜寻到一局部最小值;若无法从所述统计参量搜寻到所述局部最小值,施予一额外检测读取电压至所述存储单元,以获取一额外统计参量并将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一;根据当前记录的所述统计参量来建立一多项式方程式,以通过所述多项式方程式近似所述统计参量;以及根据所述多项式方程式寻找一最小估测值,并依据所述最小估测值获取一优化读取电压。8.如权利要求7所述的读取电压设定方法,其特征在于,在施予所述额外检测读取电压至所述存储单元,以获取所述额外统计参量并将所述额外统计参量记录为所述统计参量其中之一的步骤之前,还包括:判断一读取次数是否大于一预设次数,其中所述读取次数为施予所述检测读取电压、施予所述预设读取电压至所述存储单元的次数以及施予所述额外检测读取电压至所述存储单元的次数的总和;以及若所述读...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾士家,傅仁杰,吴郁姍,张锡嘉,
申请(专利权)人:光宝科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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