【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种应用于微波毫米波的低相移衰减器，其特征在于：包括输入端IN、输出端OUT、电容C1、晶体管FET6、电阻R12、电阻R13、控制电压V5，所述电容C1的一端连接在所述输入端IN、输出端OUT之间，所述电容C1的另一端与所述晶体管FET6的漏极连接，晶体管FET6的栅极与所述电阻R13的一端连接，电阻R13的另一端接衰减器的所述控制电压V5，所述电阻R12的一端与所述晶体管FET6的源极连接，电阻R12的另一端接地，所述电阻R14的一端与所述晶体管FET6的漏极连接，电阻R14的另一端接地。
【技术特征摘要】
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