复合薄片、层叠陶瓷电子部件以及其制造方法技术

本发明专利技术涉及复合薄片、层叠陶瓷电子部件以及其制造方法。提供提高了导体膜与陶瓷生片之间的密接性、能消除层叠偏离的复合薄片。复合薄片(11)具备：具有长度方向的陶瓷生片(13)；和印刷在所述陶瓷生片(13)上的导体膜(14)，所述导体膜(14)是具有在所述长度方向上延伸的长边方向和具有与长边方向正交的短边方向的形状，在所述导体膜(14)中，按照构成在所述长度方向上延伸的列的方式，设置沿长度方向分散配置且厚度与其余的部分(14a)不同的多个不同厚度区域(14b)。

【技术实现步骤摘要】
复合薄片、层叠陶瓷电子部件以及其制造方法
本专利技术涉及在陶瓷生片上印刷导体膜的复合薄片、和使用该复合薄片构成的层叠陶瓷电子部件以及其制造方法。
技术介绍
过去，在层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子部件的制造时，在陶瓷生片上印刷内部电极。然后，将印刷了内部电极的陶瓷生片即复合薄片层叠。伴随着层叠陶瓷电子部件的小型化而陶瓷生片和内部电极的层叠数不断增大。为此，层叠需要长时间。若缩短层叠时间，则层间的密接力会变低。若层间的密接力变低，在层叠工序中就易于发生层叠偏离。在下述的专利文献1中，公开了在内部电极端缘部分设置在厚度方向上突出的鞍部的层叠陶瓷电子部件。按照鞍部彼此在厚度方向上不重合的方式层叠多个内部电极。由此谋求脱层的抑制。专利文献专利文献1：WO2011/071143如专利文献1记载那样，在内部电极设置鞍部的结构中，能抑制脱层的发生且提高内部电极端缘部分的内部电极和陶瓷生片的密接力。因此，认为能抑制上述层叠偏离。但是，伴随层叠陶瓷电子部件的进一步的小型化，要求进一步提高内部电极和陶瓷生片的密接力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种进一步提高导体膜与陶瓷生片之间的密接力、能有效果地防止层叠偏离的复合薄片。本专利技术的其它目的在于，提供一种提高了陶瓷层与内部电极的密接性的层叠陶瓷电子部件以及其制造方法。本专利技术所涉及的复合薄片具备：具有长度方向的陶瓷生片；和印刷在所述陶瓷生片上的导体膜，在所述导体膜，按照构成在所述长度方向上延伸的列的方式，设有沿长度方向分散配置且厚度与其余的部分不同的多个不同厚度区域。在本专利技术所涉及的复合薄片的某特定的局面下，在俯视的情况下，所述不同厚度区域具有点状的形状。在本专利技术所涉及的复合薄片的其它特定的局面下，多个所述不同厚度区域被设置为构成多个所述列。在本专利技术所涉及的复合薄片的另外的特定的局面下，所述不同厚度区域是厚度比其余的部分薄的薄壁区域。在本专利技术所涉及的复合薄片的其它特定的局面下，所述不同厚度区域是厚度比其余的部分厚的厚壁区域。在本专利技术所涉及的复合薄片的再其它特定的局面下，在所述厚壁区域内，设有厚度比该厚壁区域薄的中央薄壁区域。本专利技术所涉及的层叠陶瓷电子部件具备：陶瓷烧结体；和在所述陶瓷烧结体内隔着陶瓷层相互重叠地配置的多个内部电极，所述内部电极是具有长边方向、和与长边方向正交的短边方向的平面形状，所述内部电极具有按照构成在所述长边方向上延伸的列的方式被分散配置且密度与其余的部分不同的多个不同密度区域。在本专利技术所涉及的层叠陶瓷电子部件的某特定的局面下，所述不同密度区域在俯视的情况下具有点状的形状。在本专利技术所涉及的层叠陶瓷电子部件的其它特定的局面下，多个所述不同密度区域被设置为构成多个所述列。在本专利技术所涉及的层叠陶瓷电子部件的再其它特定的局面下，所述不同密度区域是密度比其余的部分低的低密度区域。在本专利技术所涉及的层叠陶瓷电子部件的再另外的特定的局面下，所述不同密度区域是密度比其余的部分高的高密度区域。在本专利技术所涉及的层叠陶瓷电子部件的其它特定的局面下，在所述高密度区域内，设有密度比该高密度区域低的中央低密度区域。在本专利技术所涉及的层叠陶瓷电子部件的再另外的特定的局面下，提供作为层叠陶瓷电容器的层叠陶瓷电子部件。本专利技术所涉及的层叠陶瓷电子部件的制造方法具备：准备按照本专利技术而构成的复合薄片的工序；层叠多片的所述复合薄片来得到层叠体的工序；将所述层叠体切断为各个层叠陶瓷电子部件单位的层叠体的工序；烧成各个层叠陶瓷电子部件单位的层叠体来得到具有导体膜被烧成而形成的多个内部电极的陶瓷烧结体的工序。专利技术的效果在本专利技术所涉及的复合薄片中，由于在导体膜按照构成在长度方向上延伸的列的方式设有多个不同厚度区域，因此在层叠多片的该复合薄片时，能有效果地抑制层叠偏离。另外，能有效果地提高导体膜与陶瓷生片的密接性。因而，通过使用上述本专利技术的复合薄片来实施本专利技术的层叠陶瓷电子部件的制造方法，能提供本专利技术的层叠陶瓷电子部件。在本专利技术的层叠陶瓷电子部件中，有效地提高了内部电极与陶瓷的密接性，且不容易发生层叠偏离。附图说明图1(a)是在本专利技术的第1实施方式准备的复合薄片的俯视图，(b)是导体膜的示意俯视图，(c)是表示导体膜的主要部分的部分放大截面图。图2(a)是用于说明在本专利技术的第1实施方式中用于导体膜的印刷的凹版的概略立体图，(b)是用于说明该凹版的1个印刷部的示意俯视图。图3是用于说明在本专利技术的第1实施方式中将导体膜烧成之后的内部电极的结构的示意放大截面图。图4(a)以及(b)是表示在本专利技术的第1实施方式的层叠陶瓷电子部件的制造方法中准备的第1、第2复合薄片的主视截面图。图5是表示在本专利技术的第1实施方式中制作的母层叠体的示意主视图。图6是表示在本专利技术的第1实施方式中得到的作为层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器的主视截面图。图7(a)～(c)是用于说明将导电膏从凹版转印到陶瓷生片的工序的部分缺口放大截面图。图8是用于说明在本专利技术的其它实施方式中将导电膏从凹版转印到陶瓷生片的工序的部分缺口截面图。图9是用于说明在本专利技术的其它实施方式中将导电膏从凹版转印到陶瓷生片的工序的部分缺口截面图。图10是用于说明在本专利技术的第2实施方式中形成的导体膜的示意俯视图。图11是用于说明在本专利技术的第3实施方式中形成的导体膜的示意俯视图。图12是表示在本专利技术的第4实施方式中为了得到导体膜而使用的凹版的印刷部的形状的概略俯视图。图13是表示在本专利技术的第5实施方式中为了得到导体膜而使用的凹版的印刷部的形状的概略俯视图。图14是表示本专利技术的第6实施方式中的导体膜的结构的示意俯视图。图15是表示在第6实施方式中为了印刷导体膜而使用的凹版的印刷部的示意俯视图。图16是本专利技术的第7实施方式中的导体膜的示意俯视图。图17是本专利技术的第8实施方式中的导体膜的示意俯视图。图18是在本专利技术的第9实施方式中为了得到导体膜而使用的凹版的俯视图。标号的说明1凹版1a表面1b堤坝2凹穴3印刷部11、12第1、第2复合薄片13陶瓷生片14、15第1、第2导体膜14A、15A第1、第2内部电极14a第1区域14b第2区域14c厚度变化区域14d薄壁区域14x导电膏16母层叠体17陶瓷烧结体17a、17b第1、第2端面18、19第1、第2外部电极20层叠陶瓷电容器21导电性粒子31导体膜32、33第1、第2区域33a、33c厚度变化区域33b厚壁区域33d中央薄壁区域34导体膜35第2区域41、51凹穴42、52堤坝42a、52a肋43间隙61、71、81导体膜62第2区域62a厚度变化区域62b、82薄壁区域62c第1区域63凹穴64堤坝91凹穴图案92凹穴93、94堤坝具体实施方式以下通过参考附图来说明本专利技术的具体的实施方式，使本专利技术得到明确。(第1实施方式)本专利技术的第1实施方式是作为层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器的制造方法以及层叠陶瓷电容器。在第1实施方式中，为了通过印刷来形成导体膜，使用图2(a)所示的凹版(gravure)1。凹版1用于将导电膏凹版印刷在陶瓷生片。凹版1具有圆筒状的形状。凹版1由不锈钢等的适当的金属构成。在凹版1的外周面设置多个凹穴2。从该多个凹穴2转印的导电膏彼此相连，形成1个印刷图形。因此，如图2(b)概略示出那样，形成1个印刷图形的1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合薄片，具备：具有长度方向的陶瓷生片；和印刷在所述陶瓷生片上的导体膜，在所述导体膜，按照构成在所述长度方向上延伸的列的方式，设有沿长度方向分散配置且厚度与其余的部分不同的多个不同厚度区域。

【技术特征摘要】
2013.10.31 JP 2013-2264961.一种复合薄片，具备：具有长度方向的陶瓷生片；和印刷在所述陶瓷生片上的导体膜，所述导体膜是具有沿着所述长度方向延伸的长边方向及与所述长边方向正交的短边方向的形状，在所述导体膜，设有沿长度方向分散配置为构成在所述长度方向上延伸的列且厚度与其余的部分不同的多个不同厚度区域，所述不同厚度区域在所述短边方向上也分布有多个。2.根据权利要求1所述的复合薄片，其中，在俯视的情况下，所述不同厚度区域具有点状的形状。3.根据权利要求1或2所述的复合薄片，其中，多个所述不同厚度区域被设置为构成多个所述列。4.根据权利要求1或2所述的复合薄片，其中，所述不同厚度区域是厚度比其余的部分薄的薄壁区域。5.根据权利要求1或2所述的复合薄片，其中，所述不同厚度区域是厚度比其余的部分厚的厚壁区域。6.根据权利要求5所述的复合薄片，其中，在所述厚壁区域内，设有厚度比该厚壁区域薄的中央薄壁区域。7.一种层叠陶瓷电子部件，具备：陶瓷烧结体；和在所述陶瓷烧结体内隔着陶瓷层相互重叠地配置的多个内部电极，所述内部电极是具有长边方向、和与长边方向正交的短边方向的平面形状...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田好春，堤启恭，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP